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公开(公告)号：CN106026932B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201610187685.4
申请日：2016-03-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在具有多个动作方式的功率放大模块中，适当地控制偏置。功率放大模块包括：放大晶体管，该放大晶体管被提供第1动作方式的第1电源电压或第2动作方式的第2电源电压，向该放大晶体管输入第1信号，并输出放大第1信号后得到的第2信号；以及偏置电路，该偏置电路向放大晶体管提供偏置电流，偏置电路包含：第1电阻；第1晶体管，该第1晶体管与第1电阻串联连接并根据在第1动作方式时提供的第1偏置控制电压变为导通；第2电阻；第2晶体管，该第2晶体管与第2电阻串联连接，并根据在第2动作方式时提供的第2偏置控制电压变为导通。
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公开(公告)号：CN107508558B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201710343985.1
申请日：2017-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种维持可靠性并提高功率附加效率的功率放大电路。功率放大电路包括：基极输入有无线频率信号的第1晶体管；输出与电源电压相对应的第1电压的第1电压输出电路；以及基极或栅极被提供有第1电压、发射极或源极连接至第1晶体管的集电极、并从集电极或漏极输出对无线频率信号进行放大后而得的第1放大信号的第2晶体管。
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公开(公告)号：CN111683471A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010161392.5
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供多层布线基板，能够抑制晶体管的工作区域的温度上升上的偏差。在多层布线基板的覆盖最上方的导体层的导体图案的保护膜上，设置有使导体图案的局部暴露的在一个方向上较长的开口。第1通路导体从最上方的导体图案向下方延伸，至少到达第2层的导体图案。第2通路导体从第2层或者第3层的导体图案向下方延伸，到达至少向下1层的导体图案。在俯视时，第1通路导体与开口局部重叠。多个第2通路导体中的至少2个第2通路导体配置在隔着开口的位置。隔着开口的多个第2通路导体中，从配置在开口的一侧的第2通路导体到开口为止的最窄的间隔与从配置在另一侧的第2通路导体到开口止的最窄的间隔之差小于从多个第2通路导体到开口止的最窄的间隔。
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公开(公告)号：CN110034737A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811553133.6
申请日：2018-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路，提高增益的线性度。功率放大电路具备：将第1信号放大的第1晶体管；将与第1晶体管的输出信号相应的第2信号放大的第2晶体管；向第2晶体管的基极或栅极供给偏置电流或电压的偏置电路；以及根据从偏置电路供给的控制电压而使第1信号或第2信号衰减的衰减器，衰减器包括：阳极被供给控制电压的第1二极管；集电极与第1信号或第2信号的供给路径连接、发射极与接地侧连接、且基极被从第1二极管的阴极供给控制电压的第3晶体管；以及与第1二极管并联连接的电容器，第2信号的功率电平越大，则控制电压越为低电压，第3晶体管根据向基极供给的控制电压，使第1或第2信号的一部分从第3晶体管的集电极流向发射极。
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公开(公告)号：CN107800440A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710729984.0
申请日：2017-08-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 近藤将夫
Abstract: 本发明提出能对应于多频段方式而不增加元器件数量的发送模块及收发模块。发送模块(700)包括：放大器(50)，该放大器(50)放大频带互不相同的多个发送信号；电源电压调整电路(110)，该电源电压调整电路(110)针对发送信号的每个频带将不同的电源电压提供给放大器(50)；以及可变匹配电路(60)，该可变匹配电路(60)具有至少一个可变电容器元件(C2)及至少一个固定电感器元件(L1、L2)，基于提供给放大器(50)的电源电压的变化所引起的放大器(50)的输出阻抗匹配条件的变化，改变至少一个可变电容器元件(C2)的电容值，从而针对发送信号的每个频带满足不同的放大器(50)的输出阻抗匹配条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119452568A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050116.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 钳位电路连接在高频信号所通过的节点与接地电位之间。钳位电路具备连接为多级的多个钳位元件。多个钳位元件中的每一个若被施加上升沿电压以上的电压则导通。多个钳位元件中的至少一个由包含双极晶体管和连接在基极‑集电极间的基极‑集电极间电阻元件的电阻连接型晶体管构成。
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公开(公告)号：CN118339766A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280079126.5
申请日：2022-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/45
Abstract: 包含供差动信号输入的一对差动输入节点、以及供差动信号输出的一对差动输出节点的第一差动放大电路配置于基板。第一转换器的二次线圈的两端分别与第一差动放大电路的一对差动输入节点连接，二次线圈的中间位置被交流接地。第二转换器的一次线圈的两端分别与第一差动放大电路的一对差动输出节点连接，一次线圈的中间位置被交流接地。将第一转换器的二次线圈的两端分别与第一差动放大电路的一对差动输入节点连接的差动布线对、以及将第一差动放大电路的一对差动输出节点分别与第二转换器的一次线圈的两端连接的差动布线对中的一个差动布线对的两根布线在俯视基板时相互交叉。
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公开(公告)号：CN112531022B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010985508.7
申请日：2020-09-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L23/34
Abstract: 本发明提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。在基板的表层部，设置有具有导电性的子集电极层。在俯视时，在子集电极层的内部，配置有集电极层、基极层、以及发射极层。集电极层与子集电极层连接。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的发射极电极配置于与发射极层重叠的位置。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的基极电极在与第一方向正交的第二方向上与发射极电极隔着间隔来配置。在俯视时，从发射极电极观察集电极电极配置于第二方向的一侧，而未配置于另一侧。在基极电极的长度方向的两端以外的部位，基极布线与基极电极连接。
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公开(公告)号：CN113014212B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202011518210.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供能够抑制晶体管列所占的区域的长度的长大化、且抑制从晶体管到阻抗转换电路的寄生电阻的增大、寄生电感的偏差的增大的功率放大模块。半导体芯片包括多个晶体管列。与多个晶体管列对应地配置有与晶体管的集电极连接的第一凸块，配置有与发射极连接的第二凸块。晶体管列沿着凸多边形的边配置。设置于电路板的第一焊盘以及第二焊盘分别与第一凸块以及的第二凸块连接。第一阻抗转换电路将第一焊盘和信号输出端子连接。晶体管列的多个晶体管被分组为多个组，第一阻抗转换电路包括针对每个组配置的电抗元件。
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公开(公告)号：CN109659286B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201811182641.8
申请日：2018-10-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L29/417 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够提高散热效率的功率放大器模块。基板在其上表面内包含活性区域和元件分离区域。在活性区域上层叠有集电极层、基极层以及发射极层。由层间绝缘膜覆盖集电极层、基极层以及发射极层。垫片与元件分离区域热耦合。在层间绝缘膜上配置有发射极凸块。发射极凸块经由设置于层间绝缘膜的导通孔与发射极层电连接，并且也与垫片电连接。在俯视时，发射极凸块与发射极层中的流过发射极电流的区域亦即发射极区域部分地重叠。
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