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公开(公告)号：CN110999078A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051686.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种多工器，具备一端被公共连接的N个弹性波滤波器，在将N个弹性波滤波器从通带的频率低的一方起依次设为弹性波滤波器1、2、…、N的情况下，N个弹性波滤波器中的除通带的频率最高的弹性波滤波器以外的至少一个弹性波滤波器n包含一个以上的弹性波谐振器，该弹性波谐振器具有：氮化硅膜，层叠在支承基板上；氧化硅膜，层叠在氮化硅膜上；压电体，层叠在氧化硅膜上，由欧拉角为θLT的钽酸锂构成；以及IDT电极，设置在压电体上。在弹性波谐振器t中，第一高阶模、第二高阶模以及第三高阶模的频率fhs_t(n)(s＝1、2、3)中的至少一个和具有频率比弹性波滤波器n的通带的频率高的通带的全部的弹性波滤波器m(n＜m≤N)满足下述的式子中的任一个：fh1_t(n)＞fu(m)fh1_t(n)＜fl(m)。
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公开(公告)号：CN107615654A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680030389.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能压制横向模式纹波、不易产生插入损耗的劣化、能提高Q值的滤波器装置。滤波器装置(1)具备：纵向耦合谐振器型弹性波滤波器(11)，具有多个第1IDT电极(31～39)且作为第1带通型滤波器(5)发挥功能，第1IDT电极在与弹性波传播方向正交的方向上在IDT电极的中央区域的外侧具有低声速区域、且在低声速区域的外侧具有高声速区域；和弹性波谐振器(21、22)，与纵向耦合谐振器型弹性波滤波器(11)电连接。弹性波谐振器(21、22)具有由LiTaO3构成的压电膜和传播的体波的声速与在压电膜中传播的弹性波的声速相比为高速的高声速构件。压电膜直接或间接地层叠在高声速构件上。多个第1IDT电极(31～39)在压电膜的一个面上进行纵向耦合连接。在压电膜的一个面上设置有第2IDT电极。连结第2IDT电极的多条第1电极指的前端的方向及连结多条第2电极指的前端的方向相对于由LiTaO3的欧拉角 规定的弹性波传播方向ψ呈倾斜角度v(v是超过0°的正值)。
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公开(公告)号：CN107112975A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580059165.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/02818 , H03H9/02574 , H03H9/02992 , H03H9/14541 , H03H9/1457 , H03H9/54
Abstract: 本发明提供一种能够在不导致制造工序的复杂化以及成本的上升的情况下有效地抑制横模波动的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，其中，在高音速件上层叠有低音速膜、压电膜以及IDT电极，在IDT电极(3)中，在第1、第2电极指(13、14)中的至少一方中，与长度方向中央相比宽度方向尺寸被设得较大的宽宽度部(13a～13d、14a～14d)设置在与中央区域相比更靠近基端侧以及前端侧中的至少一侧，第1以及第2汇流条(11、12)中的至少一方具有沿着汇流条长度方向分散配置的多个开口部(15)，第1以及第2汇流条(11、12)中的至少一方具有：内侧汇流条部(11A)，位于与开口部(15)相比更靠近第1或者第2电极指(13、14)侧，且在第1以及第2汇流条(11、12)的长度方向上延伸；中央汇流条部(11B)，设置有开口部(15)；以及外侧汇流条部(11C)。
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公开(公告)号：CN103262410A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059880.4
申请日：2011-12-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/0222 , H01L41/04 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834 , H03H9/54 , H03H2003/023 , H03H2003/027 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
Abstract: 提供能对应高频且能提高Q值的弹性波装置。本发明的弹性波装置（1）中，在支撑基板（2）上层叠有进行传播的体波声速比在压电膜（5）传播的弹性波声速高的高声速膜（3），在高声速膜（3）上，层叠有进行传播的体波声速比在压电膜（5）传播的体波声速低的低声速膜（4），在低声速膜（4）上层叠有上述压电膜（5），且在压电膜（5）的一面层叠有IDT电极（6）。
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公开(公告)号：CN112054780B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010497318.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
Abstract: 提供能抑制通带外的杂散的弹性波装置。弹性波装置(1)具备高声速支承基板(3)、设置在高声速支承基板(3)上的低声速膜(4)、设置在低声速膜(4)上的压电体层(5)和设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在高声速支承基板(3)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速高。在低声速膜(4)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的体波的声速低。低声速膜(4)具有第1部分(A)和位于比第1部分(A)更靠高声速支承基板(3)侧的第2部分(B)。第1部分(A)及第2部分(B)由同种材料构成。在将低声速膜(4)的第1部分(A)处的密度设为ρ1，将第2部分(B)处的密度设为ρ2时，密度ρ1和密度ρ2不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112868177B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201980066809.5
申请日：2019-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生Q的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电体(5)，具有相互对置的一个主面以及另一个主面；IDT电极(6)，设置在压电体(5)的一个主面上，具有多根电极指(11、12)；高声速构件(3)，配置在压电体(5)的另一个主面侧，传播的体波的声速比在压电体(5)传播的弹性波的声速高；以及第1电介质膜(13)，设置在电极指(11、12)的上表面，在IDT电极(6)的电极指(11、12)间有不存在电介质的部分。
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公开(公告)号：CN110663175B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880034029.8
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种即使在调整了相对带宽的情况下也不易产生Q值的劣化的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，在高声速材料层(2)上直接或间接地设置有压电体(4)，在压电体(4)上直接或间接地设置有IDT电极(5)，IDT电极(5)具有第一汇流条(11)、与第一汇流条(11)隔开的第二汇流条(12)、多根第一电极指(13)、以及多根第二电极指(14)，IDT电极(5)被加权，加权是具有不与第一汇流条(11)以及第二汇流条(12)电连接的浮置电极指(17)的加权，或者是具有通过将第一电极指(13)彼此或第二电极指(14)彼此的电极指间缝隙金属化而一体化了的电极指的加权。
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公开(公告)号：CN110431743B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880016602.2
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能够抑制在压电体传播的第一高次模式的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、压电体(4)及IDT电极(5)。当将由IDT电极(5)的电极指间距决定的波长设为λ时，支承基板(2)的厚度为3λ以上。在压电体(4)传播的第一高次模式的声速与由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在支承基板内传播的体波的声速VSi＝(V1)1/2相同、或者与Vsi相比为高速。Ax3+Bx2+Cx+D＝0...式(2)。
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公开(公告)号：CN110999080B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201880051492.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在其它弹性波滤波器中不易产生由高阶模造成的纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)，是硅基板；氮化硅膜(3)，层叠在支承基板(2)上；氧化硅膜(4)，层叠在氮化硅膜(3)上；压电体(5)，层叠在氧化硅膜(4)上，且由钽酸锂构成；以及IDT电极(6)，设置在压电体(5)的一个主面，关于压电体的波长归一化膜厚TLT、压电体的欧拉角θLT、所述氮化硅膜的波长归一化膜厚TN、氧化硅膜(4)的波长归一化膜厚TS、通过所述IDT电极的波长归一化膜厚和所述IDT电极的密度相对于铝的密度之比的积求出的、换算为铝的厚度的IDT电极(6)的波长归一化膜厚TE、支承基板(2)的传播方向ψSi、支承基板(2)的波长归一化膜厚TSi的值，TLT、θLT、TN、TS、TE、ψSi被设定为由下述的式(1)表示的与第一高阶模的响应强度对应的Ih、与第二高阶模的响应强度对应的Ih、以及与第三高阶模的响应强度对应的Ih中的至少一个大于‑2.4，且TSi>20。[数学式1]
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公开(公告)号：CN111448757B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201880079648.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在将弹性波元件和半导体元件形成为一体来谋求小型化的同时，降低向支承构件的漏电流的产生。电子部件(1)具备支承构件(2)、压电膜(4)和IDT电极(5)。支承构件(2)以硅为主成分。压电膜(4)直接或者间接地设置在支承构件(2)上。IDT电极(5)包含多个电极指(51)。多个电极指(51)相互隔离地排列设置。IDT电极(5)设置在压电膜(4)的主面(41)。在将由IDT电极(5)的电极指间距规定的弹性波的波长设为λ的情况下，压电膜(4)的膜厚(L1)为3.5λ以下。在支承构件(2)中，高杂质浓度区域(27)与低杂质浓度区域(28)相比远离压电膜(4)。
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