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公开(公告)号：CN119422328A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380052426.9
申请日：2023-06-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够提高IDT电极的电极指的耐功率性并且降低电阻的弹性波装置。本发明的弹性波装置具备压电性基板（2）和设置在压电性基板（2）上的IDT电极（7）。IDT电极（7）具有设置在压电性基板（2）上的密接层（12）、设置在密接层（12）上的Cu‑Al合金层（13）、以及设置在Cu‑Al合金层（13）上并且Al的重量百分比浓度[wt%]比50wt%高的Al电极层（14）。Cu‑Al合金层（13）以及Al电极层（14）为外延层。Cu‑Al合金层（13）的厚度为Cu‑Al合金层（13）以及Al电极层（14）的厚度合计的40%以下。
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公开(公告)号：CN112868177B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201980066809.5
申请日：2019-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生Q的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电体(5)，具有相互对置的一个主面以及另一个主面；IDT电极(6)，设置在压电体(5)的一个主面上，具有多根电极指(11、12)；高声速构件(3)，配置在压电体(5)的另一个主面侧，传播的体波的声速比在压电体(5)传播的弹性波的声速高；以及第1电介质膜(13)，设置在电极指(11、12)的上表面，在IDT电极(6)的电极指(11、12)间有不存在电介质的部分。
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公开(公告)号：CN115485973A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180028743.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供损耗小的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在压电性基板(2)上设置有IDT电极(6)及反射器电极(7、8)，IDT电极(6)的第一电极指(6c)与第二电极指(6d)在弹性波传播方向上重叠的区域为交叉区域(K)，交叉区域(K)具有中央区域(C)、以及位于中央区域(C)的两侧的第一边缘区域(E1)及第二边缘区域(E2)，电介质膜(9、10)配置为从第一边缘区域(E1)及第二边缘区域(E2)经过反射器电极(7、8)而到达反射器电极(7、8)的弹性波传播方向外侧的区域。
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公开(公告)号：CN115211036A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180010570.7
申请日：2021-01-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 抑制IMD的产生。若在各滤波器(3)中将特定的谐振器(4A)的等效电路中包含等效电阻、等效电感器及等效电容的串联电路流过的电流设为声路径电流，则在将第1发送带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ1Tx，将第2发送带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ2Tx，将第1发送带内的频率下的第1接收滤波器(32)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ1Rx，将第2发送带内的频率下的第1接收滤波器(32)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ2Rx的情况下，多工器(1)满足第1条件：|(2·θ1Tx‑θ2Tx)‑(2·θ1Rx‑θ2Rx)|＝180°±90°或第2条件：|(2·θ2Tx‑θ1Tx)‑(2·θ2Rx‑θ1Rx)|＝180°±90°。
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公开(公告)号：CN109690942A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055600.X
申请日：2017-06-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 谷口康政
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/1457 , H03F1/56 , H03F3/245 , H03F2200/451 , H03H9/02559 , H03H9/02637 , H03H9/02858 , H03H9/02866 , H03H9/02881 , H03H9/02992 , H03H9/25 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供一种能够有效地封闭所利用的弹性波且能够降低无用波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电基板(2)和设置在压电基板(2)上的IDT电极(3)。IDT电极(3)具有包括弹性波传播方向上的一端部的第一端部区域(C1)、包括弹性波传播方向上的另一端部的第二端部区域(C2)、以及位于比第一端部区域(C1)、第二端部区域(C2)靠弹性波传播方向内侧的内侧区域(D)，且具有第一高声速区域(B1)、第二高声速区域(B2)和位于交叉区域(A)的中央区域(Aa)以及第一低声速区域(Ab1)、第二低声速区域(Ab2)。第一端部区域(C1)中的交叉区域(A)和/或第二端部区域(C2)中的交叉区域(A)的IDT电极(3)的质量小于内侧区域(D)中的交叉区域(A)的IDT电极(3)的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103597744A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027712.1
申请日：2012-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 谷口康政
CPC classification number: H03H7/463 , H03H9/6409 , H03H9/72 , H04B1/0057
Abstract: 本发明提供一种分波器，其能够在并不导致部件件数的增大以及大型化的情况下，在高通滤波器的通带内形成陡峭的阻带。一种分波器(1)，其中，在天线端子(4)连接低通滤波器(2)的一端以及高通滤波器(3)的一端，在高通滤波器(3)连接弹性波陷波滤波器(6)，该弹性波陷波滤波器(6)在高通滤波器(3)的通带，即第2通带，形成频率宽度比第2通带窄的阻带。
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公开(公告)号：CN109560790B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201811120744.1
申请日：2018-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种在构成有半导体元件的硅基板上设置有弹性波元件且弹性波元件的特性不易劣化的复合元件。复合元件(10)具备：硅基板(3)，具有相互对置的第一主面(3a)以及第二主面(3b)；半导体元件(2)，在硅基板(3)的第一主面(3a)侧以及第二主面(3b)侧中的至少一方构成；以及弹性波元件(1)，具有直接或间接地设置在硅基板(3)的第一主面(3a)上的氧化硅膜(4)、直接设置在氧化硅膜(4)上的压电体层(5)、以及设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，压电体层(5)的厚度为2.5λ以下。
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公开(公告)号：CN114982129A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080092557.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够提高耐电力性且能够抑制损耗的增大的弹性波装置。弹性波装置(1)在压电体层(6)上设置有IDT电极(8)，IDT电极(8)具有多根第1、第2电极指(12、13)，多根第1、第2电极指(12、13)由合金膜构成，该合金膜包含Al和从由Cu、Mg、Ag以及Nd构成的组选择的至少一种，在弹性波传播方向上观察多根第1、第2电极指(12、13)时相互重叠的区域为交叉区域(K)，交叉区域(K)具有中央区域(C)和位于中央区域(C)的第1、第2电极指(12、13)延伸的方向两外侧的第1、第2边缘区域(E1、E2)，在多根第1、第2电极指(12、13)之中的至少一根第1、第2电极指(12、13)中，第1、第2边缘区域(E1、E2)的至少一部分中的Cu、Mg、Ag以及Nd的至少一种的浓度比中央区域(C)中的该浓度高。
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公开(公告)号：CN109560790A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811120744.1
申请日：2018-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种在构成有半导体元件的硅基板上设置有弹性波元件且弹性波元件的特性不易劣化的复合元件。复合元件(10)具备：硅基板(3)，具有相互对置的第一主面(3a)以及第二主面(3b)；半导体元件(2)，在硅基板(3)的第一主面(3a)侧以及第二主面(3b)侧中的至少一方构成；以及弹性波元件(1)，具有直接或间接地设置在硅基板(3)的第一主面(3a)上的氧化硅膜(4)、直接设置在氧化硅膜(4)上的压电体层(5)、以及设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，压电体层(5)的厚度为2.5λ以下。
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公开(公告)号：CN104604130A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045500.0
申请日：2013-08-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/0576 , H03H7/463 , H03H9/0566 , H03H9/24 , H03H9/25 , H03H9/542 , H03H9/568 , H03H9/605 , H03H9/6483 , H03H9/706 , H03H9/725 , H03H2001/0085
Abstract: 提供一种能实现通带附近的频带外衰减量的扩大的弹性波滤波器装置。该弹性波滤波器装置在基板(2)上搭载有弹性波滤波器元件芯片(3A)，在弹性波滤波器元件芯片(3A)内构成具有多个串联臂谐振器(S1～S5)及多个并联臂谐振器(P～P4)的梯子型滤波器，在基板(2)中构成与串联臂谐振器(S5)并联地连接的第1电感器(L1)、和被连接于并联臂谐振器(P1～P3)与接地电位之间的第2电感器(L2)，在基板(2)内，在第1电感器(L1)与第2电感器(L2)之间设置有屏蔽电极。
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