离子研磨装置
    32.
    发明公开
    离子研磨装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119542101A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411692488.9

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有:离子源(1);试样台(2),其载置通过照射来自离子源(1)的非聚焦离子束而被加工的试样(4);以及驱动单元(8),其配置在离子源(1)与试样台(2)之间,使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件(7)在与第一方向正交的第二方向上移动,在从离子源(1)以第一照射条件输出离子束的状态下,通过驱动单元(8)使离子束测定部件(7)在离子束的照射范围内移动,通过向离子束测定部件(7)照射离子束来测定流过离子束测定部件(7)的离子束电流。

    离子铣削装置以及离子铣削方法

    公开(公告)号:CN113410112B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202110696658.0

    申请日:2016-02-26

    Abstract: 本发明提供一种加工技术,其能够抑制在加工面产生再沉积的可能性,并且获得所需的加工内容。为了解决该问题,根据本发明的离子铣削装置具有:离子源(1),其发出离子束;试样保持部,其保持试样;以及试样滑动移动机构(70),其使试样保持部沿包括离子束的轴的法线方向成分的方向滑动移动。

    离子铣削装置
    34.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111095474B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201780094365.7

    申请日:2017-09-15

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种减少通过离子束照射而被弹飞的来自试样的微粒再次附着于离子铣削面的现象的技术。在本发明的离子铣削装置中,具备:离子源,其照射离子束;腔室;试样台,其在腔室内载置试样;遮蔽板,其载置于试样;以及磁铁,其配置在腔室内,由此能够减少来自试样的微粒的再次附着。

    离子铣削装置
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111095474A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201780094365.7

    申请日:2017-09-15

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种减少通过离子束照射而被弹飞的来自试样的微粒再次附着于离子铣削面的现象的技术。在本发明的离子铣削装置中,具备:离子源,其照射离子束;腔室;试样台,其在腔室内载置试样;遮蔽板,其载置于试样;以及磁铁,其配置在腔室内,由此能够减少来自试样的微粒的再次附着。

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