离子研磨装置
    1.
    发明公开
    离子研磨装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119542101A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411692488.9

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有:离子源(1);试样台(2),其载置通过照射来自离子源(1)的非聚焦离子束而被加工的试样(4);以及驱动单元(8),其配置在离子源(1)与试样台(2)之间,使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件(7)在与第一方向正交的第二方向上移动,在从离子源(1)以第一照射条件输出离子束的状态下,通过驱动单元(8)使离子束测定部件(7)在离子束的照射范围内移动,通过向离子束测定部件(7)照射离子束来测定流过离子束测定部件(7)的离子束电流。

    离子研磨装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112585714A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201880096759.0

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有:离子源(1);试样台(2),其载置通过照射来自离子源(1)的非聚焦离子束而被加工的试样(4);以及驱动单元(8),其配置在离子源(1)与试样台(2)之间,且使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件(7)在与第一方向正交的第二方向上移动,在从离子源(1)以第一照射条件输出离子束的状态下,通过驱动单元(8)使离子束测定部件(7)在离子束的照射范围内移动,通过向离子束测定部件(7)照射离子束来测定流过离子束测定部件(7)的离子束电流。

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