公开(公告)号：CN1658389A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009401.4

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体膜；形成在半导体膜中的一对第一杂质区；形成在一对第一杂质区之间的第一沟道区；形成在半导体膜中的一对第二杂质区；形成在一对第二杂质区之间的第二沟道区；形成在半导体膜上的栅绝缘膜；第一栅电极，形成为与第一沟道区相邻，并且栅绝缘膜夹在其间；第二栅电极，形成为与第二沟道区相邻，并且栅绝缘膜夹在其间；形成在第一栅电极和第二栅电极上的绝缘膜；形成在绝缘膜中的接触孔；以及形成在绝缘膜上的连线，其中一对第一杂质区中的一个第一杂质区与一对第二杂质区中的一个第二杂质区接触；其中连线电连接到一对第一杂质区中的一个第一杂质区和一对第二杂质区中的一个第二杂质区。

公开(公告)号：CN1532947A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410034293.1

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：在衬底上形成的薄膜晶体管，包括一个源区、一个漏区、形成在所述源区和漏区之间的沟道区、形成在所述沟道区上的栅电极，在所述栅电极和所述沟道区之间有一个栅绝缘膜；形成在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜上的源极布线、漏极布线、栅极布线；其中所述源区、漏区和栅电极中的每一个包括一个硅化物膜；其中所述源极布线、漏极布线和栅极布线分别被连接到所述源区的硅化物膜、所述漏区的硅化物膜和所述栅电极的硅化物膜。本发明还涉及包括上述半导体器件的便携式电话和照相机。

公开(公告)号：CN1474218A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN02140628.6

申请日：1997-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  福永健司

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/13392 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明提供了一种制造高像质液晶显示装置的技术，根据像素间距的宽度限定保持液晶层的单元间距的设定范围，尤其，设定单元间距的宽度为像素间距的十分之一，从而可获得高像质的液晶显示装置，它不会产生由于电场影响而引起的像显示失败，例如畸变。

公开(公告)号：CN1291792A

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：CN00130498.4

申请日：2000-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  山本一宇 ,  广木正明 ,  福永健司

IPC: H01L31/12 ,  H01L27/15 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/566

Abstract: 为了提供一种高效率薄膜沉积方法,用于精确地薄膜沉积由聚合物制成的有机EL材料而没有任何偏移。象素区被棱分割为多个象素行,薄膜沉积装置的头部沿着象素行扫描从而同时把红光发射层涂敷液体、绿光发射层涂敷液体和蓝光发射层涂敷液体涂敷成条状。然后进行热处理以便形成发射红、绿和蓝色光的光发射层。

公开(公告)号：CN1278110A

公开(公告)日：2000-12-27

申请号：CN00124124.9

申请日：2000-06-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山内幸夫 ,  福永健司

IPC: H01L31/12 ,  H01L27/15 ,  G09F9/30

CPC classification number: G09G3/3225 ,  G09G3/2018 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3258 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/04 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78627 ,  H01L33/62 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种能够进行清晰的多级灰度彩色显示的EL显示器件和配置有EL显示器件的电子设备,其中根据时分法执行灰度显示,在该方法中,设置在一个象素(104)中的发光或非发光的EL元件(109)受时间控制,并且可以避免电路控制TFT(108)的可变性的影响。当采用此法时,数据信号侧驱动电路(102)和栅极信号侧驱动电路(103)与TFT形成在一起,而TFT是利用一种具有特有的晶体结构的硅膜,显示极高的工作速度。

公开(公告)号：CN1272695A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN00118042.8

申请日：2000-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  北角英人 ,  福永健司

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种具有高操作性能和高可靠性的电光器件和包括这种电光器件的电子设备。通过在形成驱动电路的n沟道TFT中设置叠加栅极的LDD区可实现抗热载流子注入能力很强的TFT结构。此外,通过在形成象素部分的象素TFT中设置不叠加栅极的LDD区可实现具有低截止电流值的TFT结构。而且,该电光器件具有在同一绝缘体上的存储部分,该存储部分具有存储晶体管并存储数据。

公开(公告)号：CN1054943C

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN94112820.2

申请日：1994-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  福永健司 ,  张宏勇

IPC: H01L21/208 ,  H01L21/00 ,  H01L21/228

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  Y10S148/016

Abstract: 制造高稳定性的和高可靠性的半导体的方法，包括：在非晶硅膜表面覆盖以含有能加速非晶硅膜晶化的催化元素的溶液，并在此之后对非晶硅膜热处理以使此膜晶化。

公开(公告)号：CN1052570C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN93121667.2

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1169026A

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：CN97109936.7

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  宫永昭治 ,  福永健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种半导体器件，有源层只由单畴区构成。处于有源层下的绝缘膜有预定图形的特定的表面结构，包括凹凸形。为制成有源层，在衬底上溅射形成氧化硅膜。对氧化硅膜刻图形成表面结构。在氧化硅膜上用低压CVD形成非晶硅膜。使氧化硅膜和/或非晶硅膜中含促进结晶的金属元素。进行第1热处理使非晶硅膜变成结晶硅膜。之后在含卤素的气氛中进行第2热处理，在结晶硅膜上形成含卤的热氧化膜使结晶硅膜变成单畴区。

公开(公告)号：CN1162189A

公开(公告)日：1997-10-15

申请号：CN97104828.2

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/335 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种薄膜半导体，可以认为该薄膜半导体基本上是单晶，本发明还涉及一种包括由薄膜半导体构成的有源层的半导体器件。在与非晶硅膜的下表面接触的绝缘膜上有意形成至少一个凹凸图形，从而形成至少一个加速结晶的金属元素在此分凝的点。因此，在凹凸图形所在位置选择地形成了晶核，该方法能控制晶体直径。于是获得结晶硅膜。用激光照射或用有与激光相同能量的强光照射结晶硅膜，可以提高其结晶度，从而获得其中基本上没有晶界的单畴区。