显示器件、其制造方法以及电视机

    公开(公告)号:CN1734776A

    公开(公告)日:2006-02-15

    申请号:CN200510091032.8

    申请日:2005-08-03

    Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法,所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT,其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。

    照明装置
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102544311B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201110385934.8

    申请日:2011-11-18

    CPC classification number: H01L51/524 H01L2251/5361

    Abstract: 通过简单的结构及工序以低成本提供可靠性高的照明装置。提供具有适于使用目的的形状且能够应对用途的多样化的方便性高的照明装置。将包括设置在柔性衬底上且包括电致发光(EL)层的发光元件的发光面板(该面板也称为EL薄膜)封入在玻璃框体内。因为EL薄膜具有柔性,所以可以对应于玻璃框体的形状来使EL薄膜变形为各种形状而设置。

    半导体器件及其制造方法
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101064320B

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN200710102484.0

    申请日:2007-04-27

    CPC classification number: H01L21/76264 H01L27/1214

    Abstract: 提供了一种半导体器件,它包括位于绝缘表面上的半导体层以及位于该半导体层上的绝缘层。该半导体层包括至少两个元件区域以及一个元件隔离区域。该元件隔离区域被设置在这两个元件区域之间。元件隔离区域包括选自氧、氮和碳中的至少一种杂质元素。与上述两个元件区域之一中所包括的第一源极和漏极区域以及上述两个元件区域中的另一个元件区域中所包括的第二源极和漏极区域相比,元件隔离区域具有更高的阻抗。

    照明装置
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102544311A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110385934.8

    申请日:2011-11-18

    CPC classification number: H01L51/524 H01L2251/5361

    Abstract: 通过简单的结构及工序以低成本提供可靠性高的照明装置。提供具有适于使用目的的形状且能够应对用途的多样化的方便性高的照明装置。将包括设置在柔性衬底上且包括电致发光(EL)层的发光元件的发光面板(该面板也称为EL薄膜)封入在玻璃框体内。因为EL薄膜具有柔性,所以可以对应于玻璃框体的形状来使EL薄膜变形为各种形状而设置。

    半导体衬底的制造方法
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102231368A

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:CN201110193390.5

    申请日:2008-03-26

    Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法,可以高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件及集成电路。当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时,通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层,然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底),该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸。因此,可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。

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