公开(公告)号：CN1311549C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN02108075.5

申请日：2002-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  楠山义弘

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H05K1/00 ,  H05K3/46 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/3241 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L51/5203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。

公开(公告)号：CN1933142A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610099986.8

申请日：2000-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  小野幸治

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。

公开(公告)号：CN1881537A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610100376.5

申请日：2000-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  小野幸治

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。

公开(公告)号：CN1598677A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410085055.3

申请日：2001-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、以及源区和漏区，且LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。