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公开(公告)号：CN1430192A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02151880.7
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。
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公开(公告)号：CN107123653B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201710363003.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 半导体装置。本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。
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公开(公告)号：CN107104109B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201710362808.8
申请日：2012-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置。本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。
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公开(公告)号：CN106463777B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580025230.6
申请日：2015-05-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/058 , H01M2/02 , H01M2/18 , H01M10/04
Abstract: 当作为二次电池的外包装体使用薄膜时，因为薄膜的强度比金属罐低，所以在从外部向二次电池施加压力时配置在由外包装体围绕的区域的集电体或设置在集电体表面上的活性物质层等有可能受到损伤。实现一种即使从外部向其施加外力时也有耐久性的二次电池。在二次电池中，在由外包装体围绕的区域设置缓冲材料。具体而言，在集电体的周边设置缓冲材料，以使外包装体(薄膜)的密封部位于在该缓冲材料的外侧。
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公开(公告)号：CN103258839A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310079220.3
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035192A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210378806.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C19/184 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , H01L27/0248 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。
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公开(公告)号：CN101635263B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910165266.0
申请日：2004-11-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/50 , H01L21/82 , H01L27/32 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/56 , H01L2227/326
Abstract: 显示装置的制造方法为提供一种高产量制造具有优良抗冲击性的显示装置的方法，特别是一种制造具有用塑料衬底制成的光学膜的显示装置的方法。该制造显示装置的方法包括步骤：在第一衬底上顺序形成金属膜、氧化物膜、和光学滤光片；从所述第一衬底上分离包括所述光学滤光片的层；将包括光学滤光片的层贴到第二衬底上；在第三衬底的一个表面上形成包含像素的层；将该含有像素的层贴到第四衬底上；以及将包括光学滤光片的层贴到所述第三衬底的另一表面。
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公开(公告)号：CN102867736A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210352567.6
申请日：2003-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L2221/68368 , Y10T428/14
Abstract: 本发明的名称为转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法，其目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移部件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且，本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中，制造在衬底上的半导体元件被转移到转移部件，典型地说是塑料衬底上。此方法的特征在于包括：在衬底上形成剥离层和待要剥离的物体；通过双面胶带键合待要剥离的物体和支座；用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体，然后将待要剥离的物体键合到转移部件上；以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。
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公开(公告)号：CN1458665B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN03123823.8
申请日：2003-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L2221/68368 , Y10T428/14
Abstract: 转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法本发明的目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移部件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且，本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中，制造在衬底上的半导体元件被转移到转移部件，典型地说是塑料衬底上。此方法的特征在于包括：在衬底上形成剥离层和待要剥离的物体；通过双面胶带键合待要剥离的物体和支座；用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体，然后将待要剥离的物体键合到转移部件上；以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。
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公开(公告)号：CN102184891A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110062354.5
申请日：2004-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。
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