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公开(公告)号：CN103023500B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210224176.6
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/1061 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03M1/365
Abstract: 本发明涉及模数转换器。根据一个实施例，模数转换器包括电压生成单元以及多个比较器。电压生成单元被配置来利用多个可变电阻器对基准电压进行分压，以生成多个比较电压。所述多个比较器中的每一个被配置来将所述多个比较电压中的任意一个与模拟输入电压进行比较，以及基于比较电压和模拟输入电压之间的比较结果输出数字信号。所述多个可变电阻器中的每一个包括串联连接的多个可变电阻性元件，并且所述多个可变电阻性元件中的每一个具有根据外部信号可变地设置的电阻值。
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公开(公告)号：CN102148055B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010509925.0
申请日：2010-10-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极。
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公开(公告)号：CN101140952B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710149786.3
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3272
Abstract: 一种自旋MOSFET，包括：半导体衬底；第一磁性膜，该第一磁性膜形成在该半导体衬底上且包括第一铁磁层，该第一铁磁层的磁化方向固定；第二磁性膜，该第二磁性膜形成在该半导体衬底上并与该第一磁性膜间隔开，并且包括磁化自由层、第一非磁性层以及磁化固定层，其中该第一非磁性层是隧道绝缘体且设置在该磁化自由层上，该磁化固定层设置在该第一非磁性层上，该磁化自由层的磁化方向可变而该磁化固定层的磁化方向固定；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜至少设置在该第一磁性膜和该第二磁性膜之间的半导体衬底上；以及形成在该栅极绝缘膜上的栅电极。
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公开(公告)号：CN101483428A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910002015.0
申请日：2009-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03K19/0944 , G11C11/16
CPC classification number: H03K19/1733 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1697
Abstract: 可以提供一个可重新配置逻辑电路，可以采用该可重新配置逻辑电路实现高集成度。可重新配置逻辑电路包括：包括多个自旋MOSFET和选择部分的多路复用器，每个所述自旋MOSFET具有包含磁材料的源极和漏极，并且所述选择部分包括多个MOSFET，并且基于从控制线传输的控制数据，从多个自旋MOSFET中选择一个自旋MOSFET；确定电路，其确定由选择部分选择的所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化处于第一状态还是第二状态；以及第一和第二写电路，其通过提供在所选择的自旋MOSFET的源极和漏极之间流动的写电流，分别将所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化置于第二和第一状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100454599C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610071020.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L43/08 , H01L27/115 , H01L29/66 , G11C11/00
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , H01L27/115 , H01L29/66984 , H01L29/7881
Abstract: 提供一种自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路。该自旋注入场效应晶体管包括：磁化方向被固定的第1铁磁性体；磁化方向被自旋注入电流改变的第2铁磁性体；位于上述第1铁磁性体和第2铁磁性体之间的沟道；在上述沟道上隔着栅绝缘层形成的栅电极；控制自旋注入电流的取向以确定上述第二铁磁性体的磁化方向的第1驱动器/汇流器，上述自旋注入电流流过上述沟道；流过辅助电流的导电线，该辅助电流在上述第2铁磁性体的易磁化轴方向上产生磁场；以及控制流过上述导电线的辅助电流的取向的第2驱动器/汇流器。
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公开(公告)号：CN119677141A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410217287.7
申请日：2024-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够降低导通电阻的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～3导电部、第1绝缘部以及半导体部。第2导电部在第1方向上与第1导电部分离。第3导电部在与第1方向交叉的第2方向上与第2导电部的一部分排列。第1绝缘部包括设置于第2导电部的一部分与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括第1、2半导体区域，是第1导电类型。第1半导体区域设置于第1导电部与第2导电部之间。第2半导体区域设置于第2导电部的一部分与第1绝缘区域之间且与第2导电部肖特基接合。在第2导电部和第2半导体区域的界面，第1杂质偏析。在第1导电类型为n型的情况下，第1杂质包含从由砷、磷、锑以及镁构成的群选择的至少1种。
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公开(公告)号：CN113345961B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202010950518.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。
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公开(公告)号：CN117673152A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202310153804.4
申请日：2023-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/40
Abstract: 提供能够得到稳定的特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第一～第四电极、半导体构件、第一导电构件、第二导电构件以及绝缘构件。所述半导体构件包括第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域。所述第一半导体区域包括第一外缘区域、第一部分区域、第二部分区域、第三部分区域以及第四部分区域。所述第二部分区域的电阻率高于所述第一部分区域的电阻率。
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公开(公告)号：CN115411094A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210137348.X
申请日：2022-02-15
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 实施方式的半导体装置具有：第一电极；第二电极；包含第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域在内的半导体层；第三电极；第一绝缘区域；第二绝缘区域；第四电极，具有包含第一部分、第二部分以及第三部分在内的在第一方向上连续的多个部分，第一部分的第二方向上的宽度为第一宽度，第二部分在第一方向上位于比所述第一部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第一宽度小的第二宽度，第三部分与所述第二部分邻接，在所述第一方向上位于比所述第二部分靠所述第二电极侧，所述第二方向上的宽度为比所述第二宽度大的第三宽度；以及第三绝缘区域。
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