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公开(公告)号：CN112289856B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202011084056.1
申请日：2020-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种提高沟道长度亚10nm石墨烯TFET性能的方法。如何缩短器件的尺寸是场效应晶体管研究的一个重要方向。本发明用应变石墨烯条带代替常规均匀石墨烯条带作导电材料，利用应变石墨烯条带高开关特性、低亚阈值摆幅的优点来补偿沟道长度缩短引起的性能衰减。本发明通过调整跃迁能来模拟施加在石墨烯条带上的应变，通过修改原子坐标来模拟应变对条带结构的改变，并将应变力度调整为4.5％，使器件的开关特性提升了103，亚阈值摆幅降低了62％，让其在7nm的沟道长度下也能保持正常功能，缩短了器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN110806416B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201911044408.8
申请日：2019-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开同时测量湿度、温度和材料复介电常数的多功能传感器。本发明由金属补丁、微带线、介质板Kapton100HN、金属薄片、金属通孔构成EMSIW；微带线与CSRR槽环耦合。槽环开口相对的直角对齐向环内弯折，该区域电场强度最强，用来测量材料的复介电常数；向内弯折的两直角间由多个“凵”结构以及用于连接相邻两“凵”结构的连接板构成；槽环的开口分别向环内外延伸；槽环CSRR非折线区焊接热敏电阻。因此该传感器具备同时测量环境的温度、湿度和材料复介电常数的功能，不仅具有高灵敏度和高精度的优良性能，而且其结构简单、结构小型化、测量范围广、实用性很强。
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公开(公告)号：CN114354652A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111575898.1
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于负载开口谐振环的高灵敏度微波微流控传感器，为单端口器件；微波微流控传感器具有顶层、中间层及底层的三层结构；所述顶层包括一条微带线、一片金属地、一个50欧姆的电阻元件及一个SMA连接头，所述微带线具有一个输入端口，所述的微带线的另一个端口通过50欧姆的电阻元件连接微带线和金属地，所述输入端口与所述微带线连接，且所述输入端口与所述输出端口用于连接所述SMA连接头，所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通；所述中间层是介质板；所述底层包括一个改进SRR结构、所述改进结构上面置有一个PDMS，所述PDMS内部形成有微流体通道。该传感器灵敏度高、测量范围宽，检测误差小，检测结果准确。
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公开(公告)号：CN113971368A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111091674.3
申请日：2021-09-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G01B15/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了基于CSRR的微波二维位移传感器及其数值仿真优化方法，本发明传感器包括定子、动子，所述的定子包括：中间层为介质板，介质板的顶层设有金属制的微带，介质板的底层设有金属薄片，金属薄片刻有两个长方形狭缝；动子共有两个，均由两部分构成：下部是三角形金属补丁，上部采用三角形介质板；金属补丁设置于上层的下表面；两个动子的金属补丁分别与定子的两个长方形狭缝单元电接触且动子能沿定子的底面移动，共同构成根据定子运动而改变电学属性的CSRR。本发明提出的传感器结构更加紧凑，更大程度地利用了介质板上的空间。
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公开(公告)号：CN109360853B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201810928184.6
申请日：2018-08-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提高二硫化钼锯齿形条带自旋极化率的异质结结构及方法。本发明异质结结构中的散射区由沿输入端至输出端方向排布的散射区一段、散射区二段和散射区三段组成；散射区一段和散射区三段为宽度和长度均相等的锯齿型条带；散射区三段与散射区一段的长度方向一致，散射区二段的长度方向与散射区一段的长度方向呈90°夹角；散射区二段为沿长度方向的扶手椅型条带；输入端和输出端均为锯齿型条带。本发明通过寻找只允许某一种自旋方向的电子能级存在的能量范围，使电子以该范围内的能量入射时，另一种自旋方向的电子被完全过滤，实现自旋的完全极化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108717471B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201810240525.0
申请日：2018-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种电压域振荡量子器件伏安特性的建模方法。根据电压域振荡量子器件的电流疏运机理，对同类器件结构伏安特性的仿真测试曲线进行类比分析,进行曲线分解；对分解后的曲线分量建立数学模型。将分量数学模型进行叠加，得到初始完整伏安特性曲线模型，采用仿真拟合模型参数；将模型结果曲线与数值仿真测试曲线对比分析，根据存在误差的规律性优化拟合参数；采用误差消减方法得到精确的伏安特性模型结果。本发明解决了电压域振荡量子器件伏安特性难以直接解析求解及仿真测试曲线难以直接解析表述的问题。所得电压域振荡量子器件伏安特性精确模型为电压域电流振荡量子阱器件的伏安特性、器件结构与制造工艺设计奠定解析理论基础。
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公开(公告)号：CN113128154A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110427767.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/27
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体连续性方程的混合流线迎风有限元方法及系统，其方法包括如下步骤：S1、几何模型的空间离散化；S2、网格单元的构造及应用；S3、利用Nedelec边缘基空间将电流密度模型在网格单元相邻段的中心进行插值得到电流密度；S4、单元矩阵方程的构造；S5、通过对求解域中的所有网格单元进行遍历，得到系统矩阵方程。相较于FBSG方法，本发明对空间网格质量要求更低，从而使得收敛性更好；相较于SUPG方法，本发明在迎风函数的多维应用方面进行了优化；相较于FVFEM‑SG方法，本发明在定义人工扩散系数方面更具灵活性。
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公开(公告)号：CN110108949B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910389143.9
申请日：2019-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器。包括底层被刻蚀了一对CSRR槽环的金属薄片，中间层的PCB板，顶层微带线；整个微带线结构两端伸出馈电长脚用于连接SMA连接头，中间一段微带线带有两个金属补丁，两个金属补丁分别耦合底层的两个CSRR槽环；槽环具有两个敏感区域，其中外槽环开口槽沟之间的区域为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环内折直角相接的槽沟之间的区域为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数。该传感器具备同时测量磁介质材料介电常数和磁导率的功能，不仅具有高灵敏度和高精度的优良性能，而且结构简单、实用性很强。
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公开(公告)号：CN109037321A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810647726.2
申请日：2018-06-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/165 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/0665 , H01L29/1029 , H01L29/1606 , H01L29/165 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法。如何提高TFET的开态电流是TFET研究的一个重要方向。本发明的源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道组成石墨烯条带异质结；沟道由沿源区至漏区方向排布的沟道一段和沟道二段组成；源区、沟道二段和漏区均为扶手椅型石墨烯纳米条带；沟道一段的条带延伸方向与扶手椅型石墨烯纳米条带的延伸方向成一夹角。本发明在关态情况下，沟道一段沿器件长度方向为带隙扶手椅型石墨烯纳米条带，区域态密度为0，起到抑制关态电流的作用；开态情况下，沟道内有电流，沟道一段沿电流传输方向为锯齿型石墨烯条带，沟道一段内无带隙，促进电子在源区与沟道间的量子隧穿效应，提升开态电流。
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公开(公告)号：CN108717471A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810240525.0
申请日：2018-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种电压域振荡量子器件伏安特性的建模方法。根据电压域振荡量子器件的电流疏运机理，对同类器件结构伏安特性的仿真测试曲线进行类比分析,进行曲线分解；对分解后的曲线分量建立数学模型。将分量数学模型进行叠加，得到初始完整伏安特性曲线模型，采用仿真拟合模型参数；将模型结果曲线与数值仿真测试曲线对比分析，根据存在误差的规律性优化拟合参数；采用误差消减方法得到精确的伏安特性模型结果。本发明解决了电压域振荡量子器件伏安特性难以直接解析求解及仿真测试曲线难以直接解析表述的问题。所得电压域振荡量子器件伏安特性精确模型为电压域电流振荡量子阱器件的伏安特性、器件结构与制造工艺设计奠定解析理论基础。
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