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公开(公告)号：CN119786974A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510008128.0
申请日：2025-01-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种带外高抑制高频率选择性的滤波贴片天线，包括介质基板、印制在介质基板正面的辐射贴片、寄生枝节、空气层、金属地面、蚀刻在金属地面上用于隔开馈电短针和金属地平面的馈电圆孔、插入在介质基板中的馈电短针、插入在介质基板和金属地平面四角中用于固定的尼龙柱。本发明结构简单紧凑，拓宽了工作带宽，显著增强了带外抑制能力和频率选择性，满足多频段共存的需求。
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公开(公告)号：CN108717471B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201810240525.0
申请日：2018-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种电压域振荡量子器件伏安特性的建模方法。根据电压域振荡量子器件的电流疏运机理，对同类器件结构伏安特性的仿真测试曲线进行类比分析,进行曲线分解；对分解后的曲线分量建立数学模型。将分量数学模型进行叠加，得到初始完整伏安特性曲线模型，采用仿真拟合模型参数；将模型结果曲线与数值仿真测试曲线对比分析，根据存在误差的规律性优化拟合参数；采用误差消减方法得到精确的伏安特性模型结果。本发明解决了电压域振荡量子器件伏安特性难以直接解析求解及仿真测试曲线难以直接解析表述的问题。所得电压域振荡量子器件伏安特性精确模型为电压域电流振荡量子阱器件的伏安特性、器件结构与制造工艺设计奠定解析理论基础。
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公开(公告)号：CN113671476A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110850487.2
申请日：2021-07-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型被动毫米波成像方法。传统的被动毫米波辐射模拟的射线发射方法一般用的都是等值角度发射法，这种方法在成像效果方面更符合人体的视觉效果，这样处理的弊端是图像尺寸和相对位置存在较大的畸变，无法分辨出物体实际尺寸和位置信息，从而极大影响了被动毫米波辐射模拟成像的准确度。本发明如下：一、对被探测区域进行正方形网格划分。二、以网格内部或交点为目标发射射线并进行亮温反演。三、建立被探测区域内的亮温分布图。亮温分布图的每个像素点对应一条射线的亮温。本发明能够更为精准地探测出物体的位置和尺寸信息，从而大幅增加了被动毫米波成像模拟的准确性。此外，本发明能够减少溢出射线的产生。
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公开(公告)号：CN109884619A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811524844.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种能够区分不同粗糙面的被动毫米波辐射模拟方法。现有被动毫米波辐射模拟方法只适用于深粗糙面，而无法适用于中等粗糙面或是微粗糙面。本发明的步骤如下：一、建立被测场景的三维模型。二、对步骤一中建立的三维模型进行剖分。三、定义a个射线组，一个射线组包括b条射线。四、计算沿a×b条射线到达辐射计的亮温，计算中考虑第二层反射。五、将所得的a×b个到达辐射计天线的亮温，转化为a×b分辨率的亮温成像模拟图。本发明在进一步精确地表征了粗糙面的被动辐射模型，使得本发明获取的亮温成像模拟图和实际探测情况愈加接近。本发明能够用于与辐射计拍摄出的亮温图像进行对比，从而判断辐射计的品质好坏。
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公开(公告)号：CN109524453A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811230233.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种GaN基高压整流共振隧穿二极管。本发明包括 面GaN基底、n+-In0.07Ga0.93N集电区层、i-In0.07Ga0.93N第一隔离层、AlGaN第一势垒层、i-In0.14Ga0.86N量子阱层、GaN第二势垒层、i-In0.21Ga0.89N第二隔离层、n+-In0.21Ga0.89N发射区层、钝化层、集电区金属电极引脚与发射区金属电极引脚。该种GaN基高压共振隧穿二极管—HVRTD具有正向较高阻断电压和反向超低电阻率的伏安特性，且制造工艺与GaN基集成器件和路(包括电路、光路、磁路、气路、机械路及复合路)的微纳集成制造工艺兼容，非常适用于GaN基集成器件和路的ESD保护应用，可以在近似理想的840ns时间内承受±2000V ESD而确保GaN基集成器件和路不被损毁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109215072A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810818113.0
申请日：2018-07-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于tanh-sinh积分法的箔条云RCS获取方法。传统的箔条云RCS算法的计算效率低，当计算大规模箔条云时，其计算量将无法满足实际需求。本发明如下：一、获取箔条云及特征箔条的信息，并建立全局坐标系、局部坐标系。二、获取特征箔条的双站散射系数。三、计算被积函数σ⊥to⊥、σ⊥to//、σ//to//的奇异点。四、剖分σ⊥to⊥、σ⊥to//、σ//to//的待积分区域。五、分别积分各小区域的雷达散射截面积。六、通过叠加的方式计算特征箔条的雷达散射截面积。七、通过乘上箔条数量计算箔条云的雷达散射截面积。本发明在计算精度接近蒙特卡罗法的同时，大大增强了计算效率。
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公开(公告)号：CN108717471A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810240525.0
申请日：2018-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种电压域振荡量子器件伏安特性的建模方法。根据电压域振荡量子器件的电流疏运机理，对同类器件结构伏安特性的仿真测试曲线进行类比分析,进行曲线分解；对分解后的曲线分量建立数学模型。将分量数学模型进行叠加，得到初始完整伏安特性曲线模型，采用仿真拟合模型参数；将模型结果曲线与数值仿真测试曲线对比分析，根据存在误差的规律性优化拟合参数；采用误差消减方法得到精确的伏安特性模型结果。本发明解决了电压域振荡量子器件伏安特性难以直接解析求解及仿真测试曲线难以直接解析表述的问题。所得电压域振荡量子器件伏安特性精确模型为电压域电流振荡量子阱器件的伏安特性、器件结构与制造工艺设计奠定解析理论基础。
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公开(公告)号：CN107728113A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710947756.0
申请日：2017-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了被动毫米波成像模拟中多层亮温追踪的快速计算方法，其属计算机辅助分析与设计以及软件设计领域，主要用于被动毫米波成像模拟仿真，其目的是针对粗糙面散射系数的特殊分布，通过计算粗糙面的双站散射系数，找到其分布特点与规律，依据规律找到与之相适应的子层射线发射方法，该方法将双站散射系数较小的区域射线稀疏化，而双站散射系数较大的区域内的射线密集化，从而避免射线的冗余计算，提高计算效率，实现多层亮温追踪法的快速计算。
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公开(公告)号：CN106649948A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610871162.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于形状融合算法的宽带天线自动化设计与优化方法，该方法为，根据天线带宽的要求，选取两个基本天线，分别是CPW馈电圆形辐射贴片宽缝隙天线与CPW馈电菱形辐射贴片宽缝隙天线，它们的辐射贴片的形状分别是圆形与菱形，再将将上述两种天线中的圆形与菱形提取出来，分别作为初始形状和目标形状，进行形状融合。对初始形状和目标形状进行特征点的选取和对应，得到对应的特征点后进行插值，从而可以得到一系列的形状，可以得到一系列的天线。本发明减小了搜索空间，在算法效率方面有较为明显的提高，节省了计算时间，天线尺寸上也有所减小，可以容易得到一系列天线，做到一次设计，多个结果，从而大大提高了设计的效率。
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公开(公告)号：CN101656339B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200910153103.0
申请日：2009-09-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/205
Abstract: 本发明涉及一种小型化的同轴腔可调滤波器。现有的同轴腔可调滤波器的输入输出端口电纳大，很难构成多路耦合器。本发明包括滤波器壳体，隔板地将滤波器壳体分成多个同轴腔，滤波器壳体的相对侧壁上分别设置有输入同轴接头和输出同轴接头；主耦合环的一端与滤波器壳体腔内底部连接，副耦合环的一端与同轴接头所在的滤波器壳体侧壁连接，主耦合环的另一端以及副耦合环的另一端均与同轴接头连接。本发明将主耦合环与副耦合环结合，利用此结构能够实现同轴腔可调滤波器在整个频率调谐范围内大幅度的减小端口电纳。
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