公开(公告)号：CN109037321B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201810647726.2

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王晶 ,  封路 ,  阮良浩 ,  赵文生 ,  张海鹏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/165 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法。如何提高TFET的开态电流是TFET研究的一个重要方向。本发明的源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道组成石墨烯条带异质结；沟道由沿源区至漏区方向排布的沟道一段和沟道二段组成；源区、沟道二段和漏区均为扶手椅型石墨烯纳米条带；沟道一段的条带延伸方向与扶手椅型石墨烯纳米条带的延伸方向成一夹角。本发明在关态情况下，沟道一段沿器件长度方向为带隙扶手椅型石墨烯纳米条带，区域态密度为0，起到抑制关态电流的作用；开态情况下，沟道内有电流，沟道一段沿电流传输方向为锯齿型石墨烯条带，沟道一段内无带隙，促进电子在源区与沟道间的量子隧穿效应，提升开态电流。

公开(公告)号：CN109037321A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810647726.2

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王晶 ,  封路 ,  阮良浩 ,  赵文生 ,  张海鹏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/165 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66045

Abstract: 本发明公开了石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法。如何提高TFET的开态电流是TFET研究的一个重要方向。本发明的源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道组成石墨烯条带异质结；沟道由沿源区至漏区方向排布的沟道一段和沟道二段组成；源区、沟道二段和漏区均为扶手椅型石墨烯纳米条带；沟道一段的条带延伸方向与扶手椅型石墨烯纳米条带的延伸方向成一夹角。本发明在关态情况下，沟道一段沿器件长度方向为带隙扶手椅型石墨烯纳米条带，区域态密度为0，起到抑制关态电流的作用；开态情况下，沟道内有电流，沟道一段沿电流传输方向为锯齿型石墨烯条带，沟道一段内无带隙，促进电子在源区与沟道间的量子隧穿效应，提升开态电流。