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公开(公告)号：CN110988487B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201911184154.X
申请日：2019-11-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开基于T型馈线激励互补开环谐振器的微波微流体传感器，用于测量电解质溶液的复介电常数。包括微带线结构、金属薄片Ⅰ、介质层、金属薄片Ⅱ、刻槽金属CSRR结构；刻槽金属CSRR结构为一个方形槽环，槽环设有一个开口，其中与槽环开口相对的两个直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域，该区域放置微流控芯片并在芯片内的注射电解质溶液，通过矢量网络分析仪测量传感器S参数曲线。本发明具有高的横向灵敏度Q值，保证了测量的准确度。
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公开(公告)号：CN112763808B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011591212.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开基于微带互补开环谐振器结构的有源微波传感器，用于测量介质材料的复介电常数。传感器包括微带互补开环谐振器结构、有源反馈环路、介质层、金属薄片，其中有源反馈环路为带微波放大器MRF947的微带线环路，可以产生负电阻来补偿谐振器的损耗；微带互补开环谐振器结构由一对馈线和刻槽金属CSRR结构构成，刻槽金属CSRR结构为一个方形槽环，槽沟之间的部分为电场强度最大区域，将待测介质样品覆盖整个CSRR结构，通过矢量网络分析仪测量传感器S参数曲线。本发明具有高灵敏度、高质量因子和超小电尺寸，保证了测量的准确度。
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公开(公告)号：CN110108949A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910389143.9
申请日：2019-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的新型微波传感器。包括底层被刻蚀了一对CSRR槽环的金属薄片，中间层的PCB板，顶层微带线；整个微带线结构两端伸出馈电长脚用于连接SMA连接头，中间一段微带线带有两个金属补丁，两个金属补丁分别耦合底层的两个CSRR槽环；槽环具有两个敏感区域，其中外槽环开口槽沟之间的区域为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环内折直角相接的槽沟之间的区域为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数。该传感器具备同时测量磁介质材料介电常数和磁导率的功能，不仅具有高灵敏度和高精度的优良性能，而且结构简单、实用性很强。
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公开(公告)号：CN110133376B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910389157.0
申请日：2019-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器。由顶层至底层包括微带线结构、介质层、金属薄片、刻槽金属CSRR结构；刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，所述外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；能够在同一传感器不同区域同时测量介电常数和磁导率，具有极高的灵敏度和Q值，保证了测量的准确度。
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公开(公告)号：CN110988487A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911184154.X
申请日：2019-11-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开基于T型馈线激励互补开环谐振器的微波微流体传感器，用于测量电解质溶液的复介电常数。包括微带线结构、金属薄片Ⅰ、介质层、金属薄片Ⅱ、刻槽金属CSRR结构；刻槽金属CSRR结构为一个方形槽环，槽环设有一个开口，其中与槽环开口相对的两个直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域，该区域放置微流控芯片并在芯片内的注射电解质溶液，通过矢量网络分析仪测量传感器S参数曲线。本发明具有高的横向灵敏度Q值，保证了测量的准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112763808A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011591212.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开基于微带互补开环谐振器结构的有源微波传感器，用于测量介质材料的复介电常数。传感器包括微带互补开环谐振器结构、有源反馈环路、介质层、金属薄片，其中有源反馈环路为带微波放大器MRF947的微带线环路，可以产生负电阻来补偿谐振器的损耗；微带互补开环谐振器结构由一对馈线和刻槽金属CSRR结构构成，刻槽金属CSRR结构为一个方形槽环，槽沟之间的部分为电场强度最大区域，将待测介质样品覆盖整个CSRR结构，通过矢量网络分析仪测量传感器S参数曲线。本发明具有高灵敏度、高质量因子和超小电尺寸，保证了测量的准确度。
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公开(公告)号：CN110108949B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910389143.9
申请日：2019-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器。包括底层被刻蚀了一对CSRR槽环的金属薄片，中间层的PCB板，顶层微带线；整个微带线结构两端伸出馈电长脚用于连接SMA连接头，中间一段微带线带有两个金属补丁，两个金属补丁分别耦合底层的两个CSRR槽环；槽环具有两个敏感区域，其中外槽环开口槽沟之间的区域为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环内折直角相接的槽沟之间的区域为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数。该传感器具备同时测量磁介质材料介电常数和磁导率的功能，不仅具有高灵敏度和高精度的优良性能，而且结构简单、实用性很强。
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公开(公告)号：CN110165353B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910414535.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开同时测量磁介质材料介电常数和磁导率的高Q有源谐振器。由无源谐振器和负电阻电路构成；无源谐振器包括微带线结构、介质层、金属薄片、刻槽金属CSRR结构；刻槽金属CSRR结构由带有开口的槽环构成；位于槽环开口对面的两直角均向环内弯折，该区域电场强度最强，用以测量介电常数；向内弯折的两直角间由水平翻转后“凵”结构以及连接板构成；槽环的开口分别向环内外延伸，此区域磁场强度最强，用以测量磁导率。本发明能够在同一传感器不同区域同时测量介电常数和磁导率，并且由于其具有极高的灵敏度和Q值，从而保证了测量的准确度。因此很适用于测量介电常数和磁导率较高的磁介质材料。
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公开(公告)号：CN110133377B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910389158.5
申请日：2019-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的差分微波传感器。由顶层至底层包括两个微带线结构、介质层、金属薄片、两个刻槽金属CSRR结构；刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数。本发明能够在同一传感器不同区域同时测量介电常数和磁导率，具有极高的灵敏度和Q值，保证了测量的准确度。
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公开(公告)号：CN110133375B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910389156.6
申请日：2019-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器。由顶层至底层包括两个微带线结构、介质层、金属薄片、两个刻槽金属CSRR结构；刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；本发明采用了差分结构的形式，对介电常数和磁导率可做差分测量，采用相对测量的方式排除了环境因素的影响。
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