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公开(公告)号：CN105789030A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610144011.6
申请日：2016-03-14
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02557 , H01L21/02631
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种少层三氧化钼二维原子晶体的制备方法。该方法包括以下具体步骤：(1)将衬底放入溶剂中超声清洗；(2)取三氧化钼粉末放入干净的陶瓷舟中，陶瓷舟放入管式炉的中间位置，同时将步骤(1)中得到的衬底放入沉积温度为500～700℃的区域；(3)对管式炉进行升温，待达到升华温度后，保温沉积，得少层三氧化钼二维原子晶体。本发明利用物理气相沉积的方法制备三氧化钼二维原子晶体，该方法无需任何催化剂、不需要任何载气，并且有着低成本、制备工艺简单、制备流程无毒、快速高效的优点，而且对外界环境要求不高，可以获得大尺寸、层数可控的三氧化钼二维原子晶体。
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公开(公告)号：CN105720197A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610094507.7
申请日：2016-02-19
Applicant: 暨南大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , B82Y40/00 , H01L51/0017 , H01L51/002
Abstract: 本发明公开了一种自驱动宽光谱响应硅基杂化异质结光电传感器及其制备方法，其中所述光电传感器包括金属背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、有机聚合物半导体薄膜和传感器正极。其中，该杂化光电传感器器件特征在于N型硅纳米线阵列与有机聚合物半导体薄膜构成三维立体的异质结接触，有效缩短了光生载流子传输路径，提高分离效率，通过界面烷基化处理减少表/界面复合效应。所述的硅基微纳结构不仅是作为主要吸光层，而且还是光生载流子的产生和传输层，空穴传输层所述的为P型有机半导体薄膜。本发明的光电传感器具有自供电、宽光谱响应、低成本大面积制备、光电响应速度快等特点。
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公开(公告)号：CN115985995A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211531586.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明具体涉及一种二维钙钛矿掺杂过渡金属硫族化合物同质结光电探测器，涉及光电探测领域，其包括最下层的绝缘衬底层；置于所述绝缘衬底层上的二维钙钛矿纳米片层；置于所述二维钙钛矿纳米片层上的过渡金属硫族化合物纳米片层，作为沟道层，使得部分所述过渡金属硫族化合物纳米片层下方有所述二维钙钛矿纳米片层；以及与所述过渡金属硫族化合物纳米片层两端连接的电极。采用简单的方法构建同质结光电探测器，具有明显整流效果，提高响应速度，用简单的结构实现对二维过渡金属硫族化合物的可控稳定掺杂，推动同质结光电探测器的应用。
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公开(公告)号：CN114420846B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210058299.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 广东食品药品职业学院 , 暨南大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体地，公开了一种二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器包括:导电衬底，所述导电衬底位于最下层；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述导电衬底的上表面；光敏浮栅层，所述光敏浮栅层设于所述第一电介质层的上表面，所述光敏浮栅层为具有超晶格结构的二维钙钛矿单晶纳米片；所述光敏浮栅层的上表面设有或不设有第二电介质层；半导体沟道层，所述半导体沟道层设于所述第二电介质层或所述光敏浮栅层的上表面；电极，所述电极设于所述半导体沟道层上。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器，可以实现低功耗编程且高数据存储。
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公开(公告)号：CN114420846A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210058299.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 广东食品药品职业学院 , 暨南大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体地，公开了一种二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器包括:导电衬底，所述导电衬底位于最下层；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述导电衬底的上表面；光敏浮栅层，所述光敏浮栅层设于所述第一电介质层的上表面，所述光敏浮栅层为具有超晶格结构的二维钙钛矿单晶纳米片；所述光敏浮栅层的上表面设有或不设有第二电介质层；半导体沟道层，所述半导体沟道层设于所述第二电介质层或所述光敏浮栅层的上表面；电极，所述电极设于所述半导体沟道层上。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器，可以实现低功耗编程且高数据存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111893569A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010668883.9
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，公开了一种形貌良好、结晶性强的VO2晶体及其制备方法与应用。本发明采用一种改良CVD方法制备VO2晶体，具体包括以下步骤：(1)将V2O5粉末溶于水中，得到V2O5前驱溶液，将其加入容器中，干燥，在容器底部得到V2O5前驱物，作为蒸发源；(2)将衬底置于容器上方，然后将衬底和含有V2O5前驱物的容器一同放置于热处理炉中，抽真空，进行热处理，得到形貌良好、结晶性强的VO2晶体。本发明制备方法工艺简单、温度较低、重复性高、原料利用率高，制备得到的VO2晶体具有形貌良好、表面光滑、结晶性强、生长取向好、物相单一等优点，在微电子器件领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109449247B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811057075.8
申请日：2018-09-11
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及锡掺杂氧化钼薄膜、基于锡掺杂氧化钼薄膜的宽光谱光电探测器阵列及其制备方法，其方法包括以下步骤：步骤a、将氧化钼粉末与氯化亚锡粉末按一定的质量比研磨均匀后置于真空腔的钨舟中，干净的衬底贴于腔体顶部的样品座上；步骤b、将腔体抽真空,直到压强小于5×10‑4Pa后开始蒸镀。缓慢增加电流到50A后打开挡板，先以慢速蒸镀到10nm后继续增加电流到60A左右，以较快的速率蒸发直到薄膜完成后关闭蒸发电源，自然冷却后取出样品。通过上述方式，本发明利用工艺成熟的热蒸发镀膜技术制备大面积均匀的锡掺杂氧化钼薄膜，制作方式简单，便于产业化。
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公开(公告)号：CN110467159A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910641135.9
申请日：2019-07-16
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动、微区、定位离子插层及图案化方法，该方法包括以下步骤：选取高纯度的具有负电化学势的金属丝，利用电化学刻蚀得到具有一定曲率半径的尖端，配制一定浓度的金属盐溶液并滴在二维材料表面，将刻蚀后的金属丝固定于精度较高的三维控制平台，通过控制平台来移动金属丝，同时借助光学显微镜使金属丝尖端与材料表面接触，插层反应在接触部位开始进行，通过该反应实现了材料的性能优化，包括拓宽响应光谱范围以及实现局部功能化，同时控制金属丝根据设置好的图案在材料表面移动，可以得到定位插层图案，这是现有插层技术所无法达到的。本发明在调控二维材料性质以及在纳米尺度下实现高分辨图案化取得显著效果。
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公开(公告)号：CN109950321A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910225445.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子-电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。
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公开(公告)号：CN105350078B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510763073.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子材料与器件制备技术领域，公开了一种快速制备大面积钙钛矿晶体的方法。该方法包括以下步骤：称取一定量的卤化铅和甲基卤化铵，混合，然后加入1,4‑丁内脂，溶解，得钙钛矿溶液；然后将所得钙钛矿溶液加入到一定量的有机溶剂中，析出得钙钛矿晶体。本发明通过溶液抽提的方式快速析出钙钛矿晶体，该方法简单易行，重复性好，对外界要求不高，而且还可以根据实际需求选择不同的有机溶剂生长得到不同尺寸大小的单晶颗粒，其晶体晶粒尺寸最大可达几十微米尺度，使得其在制作光电器件等方面具有更大的优势。
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