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公开(公告)号：CN111876826B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010668344.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。
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公开(公告)号：CN111876826A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010668344.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。
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公开(公告)号：CN110306236A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910628556.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸V6O13单晶片及其制备方法，该方法采用溶液辅助固相热解的方法进行V6O13单晶片的制备，其先后经历V2O5前驱液的配制、滴涂以及热处理三个步骤；该方法克服了气相、固相法难以合成出V6O13、溶液法以及溶剂热解方式制备存在不纯以及结晶性差的问题，其不但制备工艺简单，效率高，而且所制备出的V6O13单晶片具有尺寸大、生长取向好、物相单一等优点；解决了目前实验上难以合成高质量V6O13单晶的困难。更重要的是，本发明提供的V6O13单晶的制备方法能够大批量制备。因此，本发明实施例中提供的大尺寸V6O13单晶片及其制备方法对进一步研究V6O13的相关性能提供了原材料。
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公开(公告)号：CN108663297A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810638117.0
申请日：2018-06-20
Applicant: 暨南大学 , 湖北省环境监测中心站
Abstract: 本发明涉及一种大气颗粒物采样管路综合质控系统，技术方案包括位于室外的颗粒物粒径切割头、位于室内的分析仪器和第一气路,所述第一气路的进口端连接颗粒物粒径切割头,出口端连接分析仪器，所述第一气路的室外管路部分还设有室外管路温度探头，室内管路部分沿进气方向依次设有动态保温装置和电控球阀，所述动态保温装置所在的第一气路管路上还设有室内管路温度探头，所述室外管路温度探头和室内管路温度探头的输出端均连接系统控制芯片的输入端，所述系统控制芯片的输出端分别连接动态保温装置和电控球阀。本发明结构简单、易于改造、能够有效保持采样气体温度恒定、具有零点校正功能、测量精度高、灵活可靠。
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公开(公告)号：CN110306236B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910628556.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸V6O13单晶片及其制备方法，该方法采用溶液辅助固相热解的方法进行V6O13单晶片的制备，其先后经历V2O5前驱液的配制、滴涂以及热处理三个步骤；该方法克服了气相、固相法难以合成出V6O13、溶液法以及溶剂热解方式制备存在不纯以及结晶性差的问题，其不但制备工艺简单，效率高，而且所制备出的V6O13单晶片具有尺寸大、生长取向好、物相单一等优点；解决了目前实验上难以合成高质量V6O13单晶的困难。更重要的是，本发明提供的V6O13单晶的制备方法能够大批量制备。因此，本发明实施例中提供的大尺寸V6O13单晶片及其制备方法对进一步研究V6O13的相关性能提供了原材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108233165A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810057860.7
申请日：2018-01-22
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种面向0.95～1.65微米全固体激光器的近红外铋钽双掺激光晶体，涉及近红外激光增益材料领域，该激光晶体中，铋离子作为激活离子，钽离子具有双重作用，一方面，既可作为铋离子的电荷补偿离子，使得铋离子有效发射0.95～1.65微米荧光，另一方面，又可作为铋离子之间的隔断离子，打破铋离子团簇，有利于晶体的近红外发光，实现增强荧光输出，降低激光阈值和提高激光效率。该激光晶体可以用于0.95～1.65微米的激光输出，在医疗、科研及军事等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN110467159B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910641135.9
申请日：2019-07-16
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动、微区、定位离子插层及图案化方法，该方法包括以下步骤：选取高纯度的具有负电化学势的金属丝，利用电化学刻蚀得到具有一定曲率半径的尖端，配制一定浓度的金属盐溶液并滴在二维材料表面，将刻蚀后的金属丝固定于精度较高的三维控制平台，通过控制平台来移动金属丝，同时借助光学显微镜使金属丝尖端与材料表面接触，插层反应在接触部位开始进行，通过该反应实现了材料的性能优化，包括拓宽响应光谱范围以及实现局部功能化，同时控制金属丝根据设置好的图案在材料表面移动，可以得到定位插层图案，这是现有插层技术所无法达到的。本发明在调控二维材料性质以及在纳米尺度下实现高分辨图案化取得显著效果。
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公开(公告)号：CN111893569B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010668883.9
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，公开了一种形貌良好、结晶性强的VO2晶体及其制备方法与应用。本发明采用一种改良CVD方法制备VO2晶体，具体包括以下步骤：(1)将V2O5粉末溶于水中，得到V2O5前驱溶液，将其加入容器中，干燥，在容器底部得到V2O5前驱物，作为蒸发源；(2)将衬底置于容器上方，然后将衬底和含有V2O5前驱物的容器一同放置于热处理炉中，抽真空，进行热处理，得到形貌良好、结晶性强的VO2晶体。本发明制备方法工艺简单、温度较低、重复性高、原料利用率高，制备得到的VO2晶体具有形貌良好、表面光滑、结晶性强、生长取向好、物相单一等优点，在微电子器件领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108233165B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810057860.7
申请日：2018-01-22
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种面向0.95～1.65微米全固体激光器的近红外铋钽双掺激光晶体，涉及近红外激光增益材料领域，该激光晶体中，铋离子作为激活离子，钽离子具有双重作用，一方面，既可作为铋离子的电荷补偿离子，使得铋离子有效发射0.95～1.65微米荧光，另一方面，又可作为铋离子之间的隔断离子，打破铋离子团簇，有利于晶体的近红外发光，实现增强荧光输出，降低激光阈值和提高激光效率。该激光晶体可以用于0.95～1.65微米的激光输出，在医疗、科研及军事等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN111893569A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010668883.9
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，公开了一种形貌良好、结晶性强的VO2晶体及其制备方法与应用。本发明采用一种改良CVD方法制备VO2晶体，具体包括以下步骤：(1)将V2O5粉末溶于水中，得到V2O5前驱溶液，将其加入容器中，干燥，在容器底部得到V2O5前驱物，作为蒸发源；(2)将衬底置于容器上方，然后将衬底和含有V2O5前驱物的容器一同放置于热处理炉中，抽真空，进行热处理，得到形貌良好、结晶性强的VO2晶体。本发明制备方法工艺简单、温度较低、重复性高、原料利用率高，制备得到的VO2晶体具有形貌良好、表面光滑、结晶性强、生长取向好、物相单一等优点，在微电子器件领域有良好的应用前景。
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