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公开(公告)号：CN111403604A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010147756.4
申请日：2020-03-05
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种双空穴传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的透明导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及金属电极，该钙钛矿吸光层为甲胺铅碘薄膜，空穴传输层由第一空穴传输层并四苯以及第二空穴传输层酞菁铜组成，第一空穴传输层邻接钙钛矿吸光层，第二空穴传输层邻接金属电极。由并四苯和酞菁铜组成的双空穴传输层，实现了本发明钙钛矿太阳能电池的水、氧以及热稳定性，并且其材料成本和工艺难度也得到了降低；另外由于该钙钛矿太阳能电池的制备过程中主要采用真空蒸镀的方法，工艺上较为简单，且能够大面积制备以及工业化生产，相较于传统的溶液旋涂法更节省材料、更环保。
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公开(公告)号：CN110306236A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910628556.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸V6O13单晶片及其制备方法，该方法采用溶液辅助固相热解的方法进行V6O13单晶片的制备，其先后经历V2O5前驱液的配制、滴涂以及热处理三个步骤；该方法克服了气相、固相法难以合成出V6O13、溶液法以及溶剂热解方式制备存在不纯以及结晶性差的问题，其不但制备工艺简单，效率高，而且所制备出的V6O13单晶片具有尺寸大、生长取向好、物相单一等优点；解决了目前实验上难以合成高质量V6O13单晶的困难。更重要的是，本发明提供的V6O13单晶的制备方法能够大批量制备。因此，本发明实施例中提供的大尺寸V6O13单晶片及其制备方法对进一步研究V6O13的相关性能提供了原材料。
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公开(公告)号：CN110305019A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910756048.8
申请日：2019-08-15
Applicant: 暨南大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , C07C211/03
Abstract: 本发明涉及一种二维层状钙钛矿晶体及其制备方法，该方法主要包括，取一定量的丁胺氢碘酸盐或者丁胺氢碘酸盐与甲基碘化胺，与一定量的碘化铅研磨混合均匀，得混合粉末；将所述混合粉末转移至聚四氟乙烯内胆中密封；将密封后的聚四氟乙烯内胆放入反应釜中，在160-200℃下加热24-48小时，得二维层状钙钛矿晶体(BA)2(CH3NH3)n-1PbnI3n+1，其中，n为正整数。该方法不使用有毒的溶液进行反应，更加绿色环保。并且采用该方法制备的二维层状钙钛矿晶体稳定性好。
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公开(公告)号：CN109809490A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910225427.4
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种紫色氧化钨纳米线及其制备方法，该方法包括，将三氧化钨粉末均匀压紧平铺在衬底上，平铺厚度为0.5～3mm；在真空条件下，对所述三氧化钨粉末进行高温加热40～90min，然后自然冷却至室温，即可获得紫色氧化钨纳米线。本发明采用一步法即可获得W18O49纳米线，其工序简单，该方法获得的W18O49纳米线比表面积大，适用于光电器件及电化学器件等，多余的WO3粉末可重复煅烧使用，节约成本。
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公开(公告)号：CN108269921A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810108688.3
申请日：2018-02-01
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿平面异质结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括导电衬底FTO、电子传输层、三维-二维钙钛矿层、空穴传输层、电极；其中，所述的三维-二维钙钛矿层均通过气相法制备而成。本发明用三维-二维钙钛矿层作为吸光层，一方面提高了太阳能电池对湿度和温度稳定性，降低了工艺上对封装的要求，并且减少了有机溶剂的使用。另一方面，此气相法制备的三维-二维钙钛矿层更具有工业生产的价值，为产业化生产具有高稳定性的钙钛矿太阳能电池提供一种新的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105720197A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610094507.7
申请日：2016-02-19
Applicant: 暨南大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , B82Y40/00 , H01L51/0017 , H01L51/002
Abstract: 本发明公开了一种自驱动宽光谱响应硅基杂化异质结光电传感器及其制备方法，其中所述光电传感器包括金属背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、有机聚合物半导体薄膜和传感器正极。其中，该杂化光电传感器器件特征在于N型硅纳米线阵列与有机聚合物半导体薄膜构成三维立体的异质结接触，有效缩短了光生载流子传输路径，提高分离效率，通过界面烷基化处理减少表/界面复合效应。所述的硅基微纳结构不仅是作为主要吸光层，而且还是光生载流子的产生和传输层，空穴传输层所述的为P型有机半导体薄膜。本发明的光电传感器具有自供电、宽光谱响应、低成本大面积制备、光电响应速度快等特点。
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公开(公告)号：CN101948309A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010259715.0
申请日：2010-08-20
Applicant: 暨南大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(PSMZT)预烧物，按化学计量比掺入钴-铌-铋-锂-铜-镍低熔玻璃，经造粒，压片，排胶，烧结，抛光，烧银和极化步骤得到掺杂PSMZT压电陶瓷。本发明方法明显的降低了陶瓷的烧结温度且没有恶化陶瓷的性能，适用于大功率压电材料的应用，为叠层压电陶瓷元器件的制备提供原材料。
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公开(公告)号：CN100527376C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200710032263.0
申请日：2007-12-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明提供了一种三重态激子扩散长度和能量转移长度的测量方法，包括制造主体材料层厚度各不相同的磷光有机发光二极管；在通入相同电流密度的条件下，不断更换磷光有机发光二极管，检测发光层的发射强度与空间隔离层厚度的关系，得出三重态激子的扩散长度；在通入相同电流密度的条件下，不断更换磷光有机发光二极管，检测发光层的发射强度，得出三重态激子的能量转移长度。本发明对磷光有机发光二极管的设计、材料的选配、器件的优化以及发光效率的提高都具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN101183654A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710032263.0
申请日：2007-12-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明提供了一种三重态激子扩散长度和能量转移长度的测量方法，包括制造主体材料层厚度各不相同的磷光有机发光二极管；在通入相同电流密度的条件下，不断更换磷光有机发光二极管，检测发光层的发射强度与空间隔离层厚度的关系，得出三重态激子的扩散长度；在通入相同电流密度的条件下，不断更换磷光有机发光二极管，检测发光层的发射强度，得出三重态激子的能量转移长度。本发明对磷光有机发光二极管的设计、材料的选配、器件的优化以及发光效率的提高都具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN101009357A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710026438.7
申请日：2007-01-19
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L41/24
Abstract: 本发明涉及一种压电陶瓷变压器的制作方法，包括：用掺杂MnO2、Sb2O3和Cr2O3的PZN－PZT陶瓷粉在20～50MPa的压力下进行压片；烧银电极；对压成的陶瓷片在50～200℃温度下，500V/mm～3000V/mm电场强度下极化20～40分钟，在900～1240℃温度下烧结1～3小时，形成压电陶瓷片；把若干块压电陶瓷片叠装成一体，上引线；外封装，构成压电陶瓷变压器。其升压比高，约为常规材料制备的叠层压电变压器的2倍。
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