公开(公告)号：CN101948309A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010259715.0

申请日：2010-08-20

Applicant: 暨南大学

Inventor： 刘彭义 ,  常鹏 ,  祝兰 ,  陈伟业

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(PSMZT)预烧物，按化学计量比掺入钴-铌-铋-锂-铜-镍低熔玻璃，经造粒，压片，排胶，烧结，抛光，烧银和极化步骤得到掺杂PSMZT压电陶瓷。本发明方法明显的降低了陶瓷的烧结温度且没有恶化陶瓷的性能，适用于大功率压电材料的应用，为叠层压电陶瓷元器件的制备提供原材料。

公开(公告)号：CN101948309B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201010259715.0

申请日：2010-08-20

Applicant: 暨南大学

Inventor： 刘彭义 ,  常鹏 ,  祝兰 ,  陈伟业

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/493 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种掺杂PSMZT压电陶瓷及其制备方法和应用。制备方法按如下步骤：合成三元系Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(PSMZT)预烧物，按化学计量比掺入钴-铌-铋-锂-铜-镍低熔玻璃，经造粒，压片，排胶，烧结，抛光，烧银和极化步骤得到掺杂PSMZT压电陶瓷。本发明方法明显的降低了陶瓷的烧结温度且没有恶化陶瓷的性能，适用于大功率压电材料的应用，为叠层压电陶瓷元器件的制备提供原材料。