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公开(公告)号：CN100377310C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200480003202.6
申请日：2004-01-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α-取代化合物所构成的组中的任一种的N-单取代化合物骨架或N，N-二取代化合物骨架的化合物。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。
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公开(公告)号：CN101037586A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710107442.6
申请日：2003-05-29
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
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公开(公告)号：CN101029214A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710096425.7
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳－碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
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公开(公告)号：CN1966548A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610141890.3
申请日：2000-08-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C08J5/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01－3重量％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。
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公开(公告)号：CN1524917A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN03119818.X
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1235698A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN97199370.X
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/321 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料,其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米,一次颗粒粒径中央值为30～250纳米,颗粒粒径中央值为150～600纳米,颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN101423747B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810183028.8
申请日：1998-12-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6-5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1966548B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200610141890.3
申请日：2000-08-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C08J5/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01-3重％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。
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公开(公告)号：CN101023512B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200580031762.7
申请日：2005-09-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、分散剂、聚羧酸、第一可离解酸基的pKa值为3.2以下的强酸以及水，pH值为4.5～7.5，上述强酸的浓度为100～1000ppm或50～1000ppm，是一价的强酸，浓度为50～500ppm，或者是二价的强酸，浓度为100～1000ppm。较好的是，上述聚羧酸是聚丙烯酸。这样，在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜平坦化的CMP技术中，可降低图案密度依存的影响，可有效、高速进行抛光，且无抛光损伤并容易进行工艺管理。
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