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公开(公告)号：CN118884778A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411132916.2
申请日：2018-08-08
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/004 , C09D163/10 , C09D4/02 , G03F7/012 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题是提供使用高低差基板被覆用组合物制造被覆基板的制造方法和制造半导体装置的制造方法。所述光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含：包含部分结构(I)和部分结构(II)的化合物(E)；溶剂(F)；以及交联性化合物(H)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与产质子化合物的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1‑1)～式(1‑5)中的至少一种部分结构、或由式(1‑6)与式(1‑7)或式(1‑8)的组合构成的部分结构，部分结构(II)为下述式(2‑1)或式(2‑2)的部分结构。化合物(E)中，以成为0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，使部分结构(II)为0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113994263B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080044359.2
申请日：2020-06-17
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、且优选显示溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有二氰基苯乙烯基的聚合物(P)或具有二氰基苯乙烯基的化合物(C)，且包含溶剂，不包含由三聚氰胺、脲、苯胍胺、或甘脲衍生的烷基化氨基塑料交联剂，且不包含质子酸固化催化剂。
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公开(公告)号：CN113574085B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202080018601.9
申请日：2020-03-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 提供下述保护膜形成用组合物、使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板、和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，包含：末端具有分子内包含至少1组彼此相邻的2个羟基的结构的聚合物、和有机溶剂。上述分子内包含彼此相邻的2个羟基的结构可以为1,2‑乙二醇结构(A)。
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公开(公告)号：CN110546568B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880024514.7
申请日：2018-04-11
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物。解决手段是一种等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，所述化合物(E)包含选自下述式(1‑1)～式(1‑7)所示的部分结构(I)中的至少一种结构。(式中，R1、R1a、R3、R5a和R6a各自独立地表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑NRa‑、‑NRb‑或由它们的组合形成的2价基团，R5各自独立地表示氮原子、或由氮原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑NRa‑和‑NRb‑中的至少一个以上基团的组合形成的3价基团，R2、R2a、R4、和R6各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、或由氢原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、氧原子、羰基、‑C(O)‑NRa‑和‑NRb‑中的至少一个以上基团的组合形成的1价基团，Ra表示氢原子或碳原子数1～10的烷基，Rb表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数1～10的烷基羰基，n表示1～10的重复单元数，并且虚线表示与相邻原子结合的化学键。)#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113316595A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202080009988.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08F212/14 , C08F220/10 , G03F7/11
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物、应用了该保护膜的抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：包含至少1个缩醛结构和至少1个酰胺结构的化合物或聚合物、和溶剂。上述聚合物优选为分子内包含至少1个缩醛结构的化合物(a)、与分子内包含至少1个酰胺结构的化合物(b)的共聚物。
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公开(公告)号：CN110809738B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201880041969.X
申请日：2018-06-22
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供包含涂布于具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分的半导体基板上表面的工序，在所形成的抗蚀剂下层膜中，将该具有高低差的部分和该不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差(Iso‑dense偏差)(逆高低差)降低5nm以上的方法。解决手段是一种降低抗蚀剂下层膜的高低差(Iso‑dense偏差)的方法，其包含下述工序：向包含(A)聚合物和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物中进一步添加(C)氟系表面活性剂的工序；以及将添加了(C)氟系表面活性剂的该组合物涂布于具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分的半导体基板上表面的工序，从而将该具有高低差的部分与不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差(逆高低差)降低5nm以上。
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公开(公告)号：CN111670410A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201980010876.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供尤其是干蚀刻速度高的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有具有至少1个二硫醚键的2官能以上化合物、3官能以上化合物和/或反应生成物、以及溶剂。所述2官能以上化合物优选是含有二硫醚键的二元羧酸。所述3官能以上化合物优选是含有3个以上环氧基的化合物。
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公开(公告)号：CN111033380A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880051389.9
申请日：2018-08-08
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C09D4/00 , C09D7/40 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。解决手段是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含：包含部分结构(I)和部分结构(II)的化合物(E)；溶剂(F)；以及交联性化合物(H)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与产质子化合物的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1-1)～式(1-5)中的至少一种部分结构、或由式(1-6)与式(1-7)或式(1-8)的组合构成的部分结构，部分结构(II)为下述式(2-1)或式(2-2)的部分结构。化合物(E)中，以成为0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，使部分结构(II)为0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比。
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公开(公告)号：CN109563234A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047436.8
申请日：2017-07-31
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , C08G59/68 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供用于在基板上形成具有平坦化性的被膜的光固化性组合物，其对图案的填充性高，能够形成不发生热收缩的涂膜。解决手段是一种光固化性组合物，其包含：包含光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构的至少1个化合物；以及溶剂。上述化合物为分子内具有1个以上光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构的化合物。上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构存在于同一分子内的化合物，或者上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构分别存在于不同分子间的化合物的组合。烃结构为碳原子数1～40的饱和或不饱和，且为直链、支链或环状的烃基。光分解性含氮结构包含通过紫外线照射而产生的反应性含氮官能团或反应性含碳官能团，光分解性含硫结构为包含通过紫外线照射而产生的有机硫自由基、或碳自由基的结构。
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