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公开(公告)号：CN113891906A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039710.9
申请日：2020-03-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/26 , G03F7/11 , C09D5/00 , C08L83/04 , C09D183/06 , C09D183/08
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，其包含选自水解性硅烷化合物、其水解物和其水解缩合物中的至少1种，以及溶剂，上述水解性硅烷化合物包含分子内具有氰基的下述式(1)所示的水解性硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，并且表示包含氰基的有机基，R2为通过Si‑C键而与硅原子结合的基团，并且彼此独立地表示可以被取代的烷基等，R3为与硅原子结合的基团或原子，并且彼此独立地表示羟基、烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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公开(公告)号：CN113227281A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085619.8
申请日：2019-10-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/08 , C07F7/18 , C08G77/26 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。
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公开(公告)号：CN113227214A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980086354.3
申请日：2019-12-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/22 , C09D183/06 , C09D183/08 , C07F7/08 , C07F7/10 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成兼具良好的EUV抗蚀剂密合性、和由于氟系蚀刻速率也高因此具有的良好的蚀刻加工性的含有Si的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。
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公开(公告)号：CN112470076A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980048174.6
申请日：2019-07-19
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 包含附加了下式(1)所示的基团的聚合物。(在式(1)中，Rx、Sy和Sz各自独立地为氢原子或一价有机基，Ry和Rz各自独立地为单键或二价有机基，环Ary和环Arz各自独立地为碳原子数4～20的环状烷基或碳原子数6～30的芳基，并且，可以彼此结合而在环Ary和环Arz之间形成新的环，ny为0以上并且为能够在环Ary上取代的最大数以下的整数，nz为0以上并且为能够在环Arz上取代的最大数以下的整数，※为与聚合物的结合位置。)
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公开(公告)号：CN111902774A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980020366.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供可以用于制造半导体装置的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其是用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷(a)的水解缩合物(c)、硝酸根离子和〔溶在剂式，该(1)水中解，R性1硅为烷式((a2))的包有含机式基(1并)：且R1通aR过2bSSii‑(CR键3)4与‑(a硅+b原)式子(1结)合。〕所示的水解性硅烷。还包含水解性硅烷(a)和/或其水解物(b)。在抗蚀剂下层膜形成用组合物中以1ppm～1000ppm的范围含有硝酸根离子。关于水解缩合物(c)，式(1)所示的水解性硅烷中的式(2)的官能团以(氢原子)/(氢原子+R5基)的摩尔比计为1％～100％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108699389B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201780012899.0
申请日：2017-02-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , G03F7/11 , C08G77/06 , C08G77/16
Abstract: 本发明提供高低差基板的平坦化用组合物。本发明提供了在有机图案上涂布的高低差基板平坦化用组合物，含有含水解性硅烷的水解缩合物的聚硅氧烷和溶剂，上述聚硅氧烷含有相对于Si原子为20摩尔％以下的硅醇基，上述聚硅氧烷的重均分子量为1000～50000。
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公开(公告)号：CN111742020A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201880089915.0
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , C08G77/04 , C08G59/68 , C09D183/08 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40
Abstract: 本发明的课题是提供下述光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其在高低差基板上在不需要将含硅被覆膜在高温下固化烧成的情况下进行光固化，从而不会使存在于下层的进行了光固化的有机下层膜的平坦化恶化，因此在平坦化性高的有机下层膜上形成平坦化性高的含硅被覆膜，在其上层被覆抗蚀剂，从而对抑制层界面的漫反射、抑制蚀刻后的高低差产生是有效的。解决手段是一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)(在式(1)中，R1为与光交联有关的官能团。)的水解性硅烷。一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其用于在制造半导体装置的光刻工序中在基板上的有机下层膜与抗蚀剂膜的中间层形成通过紫外线照射而固化的含硅被覆膜。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1)。
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公开(公告)号：CN111226175A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880067123.3
申请日：2018-10-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/26 , C08G77/388 , G03F7/11
Abstract: 本发明的课题是提供使用具有高蚀刻速度且在基板加工后能够通过药液除去的抗蚀剂下层膜形成用组合物的半导体装置的制造方法。解决手段是一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在使用包含在强酸的存在下在非醇溶剂中将水解性硅烷进行水解并缩合而获得的水解缩合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物转印于下层后，用混合双氧水与硫酸而得的硫酸双氧水混合液(SPM)和/或混合双氧水与氨水而得的氨水双氧水混合液(SC1)将经图案化的抗蚀剂膜、经图案化的抗蚀剂下层膜和/或颗粒除去的工序(G)，上述水解性硅烷包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4-(a+b)(在式(1)中，R1表示具有伯氨基、仲氨基或叔氨基的有机基，并且R1以Si-C键与硅原子结合。)所示的水解性硅烷，水解缩合物包含具有由来源于强酸的抗衡阴离子与来源于伯铵基、仲铵基或叔铵基的抗衡阳离子形成的盐结构的有机基。
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公开(公告)号：CN109791376A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780060916.8
申请日：2017-10-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/40 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供在溶剂显影光刻工艺中用于涂布在经图案化的抗蚀剂膜上而使图案反转的涂布用组合物的制造方法。解决手段是一种涂布于经图案化的抗蚀剂膜的组合物的制造方法，其包含下述工序：将水解性硅烷在非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而获得水解缩合物的工序(A)；对该水解缩合物进行溶剂置换，而将该非醇系亲水性溶剂置换成疏水性溶剂的工序(B)。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序(1)；将该抗蚀剂膜曝光和显影的工序(2)；对工序(2)的显影中或显影后获得的经图案化的抗蚀剂膜涂布通过上述制造方法获得的组合物，而在图案间形成涂膜的工序(3)；将经图案化的抗蚀剂膜蚀刻除去而使图案反转的工序(4)。一种制造方法，曝光使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)进行。一种制造方法，显影为采用有机溶剂的负型显影。
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公开(公告)号：CN108885997A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780013335.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/312 , B05D7/24 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: B05D7/24 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于将使用了含硅组合物的半导体基板平坦地被覆的方法。本发明提供一种聚硅氧烷被覆基板的制造方法，所述聚硅氧烷被覆基板是经过下述工序制造的：第一工序，将包含第一被覆用聚硅氧烷的第一被覆用聚硅氧烷组合物涂布于高低差基板上并进行烧成，从而制成第一聚硅氧烷被覆膜，以及，第二工序，将包含第二被覆用聚硅氧烷的第二被覆用聚硅氧烷组合物涂布于第一聚硅氧烷被覆膜上并进行烧成，从而制成第二聚硅氧烷被覆膜，所述第二被覆用聚硅氧烷与第一被覆用聚硅氧烷不同，上述第二聚硅氧烷被覆膜的Iso‑dense偏差为50nm以下，上述第一被覆用聚硅氧烷包含下述水解性硅烷原料的水解缩合物，所述水解性硅烷原料以在全部硅烷中成为0～50摩尔％的比例包含每一分子具有4个水解性基团的第一水解性硅烷，上述第二被覆用聚硅氧烷以相对于Si原子为30摩尔％以下的比例包含硅烷醇基，并且重均分子量为1,000～50,000。
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