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公开(公告)号：CN103725214A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310464231.3
申请日：2013-10-08
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B27/08 , B32B7/06 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B2307/30 , B32B2307/584 , B32B2307/748 , B32B2405/00 , B32B2457/00 , B32B2571/00 , C09J7/29 , Y10T428/24752 , Y10T428/31515
Abstract: 本发明的课题在于，在冲压加工时防止由来自树脂片的树脂造成的加工用装置被污染。本发明的解决手段是提供一种层叠体，其具有支承体、在支承体的一部分上层叠的树脂片、和在树脂片上层叠的剥离片，支承体与树脂片之间的剥离力F1比树脂片与剥离片之间的剥离力F2大。
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公开(公告)号：CN101500718B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780029948.8
申请日：2007-06-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B08B1/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67046 , B08B1/00 , B08B7/0028 , C23C16/4407
Abstract: 本发明提供一种在清洁部位不产生污染、并能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、特别是亚微米级的异物的清洁部件。并且，本发明提供一种具有该清洁部件的带清洁功能的搬送部件、以及使用该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。本发明的清洁部件具有清洁层，所述清洁层在表面具有多个柱状结构的凸部，该柱状结构的凸部的长径比为5以上。
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公开(公告)号：CN101402091A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810170809.3
申请日：2004-04-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B08B1/006 , B08B1/00 , B08B7/00 , B08B7/0028 , C11D3/162 , C11D17/049 , H05K3/26
Abstract: 本发明涉及清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法。包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O－，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO－，CH3SiO2－和Si+的相对强度为0.1或更少。
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公开(公告)号：CN101297395A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680039996.0
申请日：2006-10-12
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/304 , A47L25/00 , B08B1/00
CPC classification number: B08B1/00 , B08B7/0028 , H01L21/02096 , Y10T428/24355 , Y10T428/2457 , Y10T428/24612 , Y10T428/31
Abstract: 本发明提供一种附有清洁功能的输送构件，其异物除去性能及输送性能优异，且可特别有效地除去具有特定粒径的异物。本发明的附有清洁功能的输送构件具有输送构件(50)、及在该输送构件的至少一面所设置的清洁层(20)。清洁层的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以下，且具有最大高度Rz为1.0μm以下的凹凸形状。优选对应每1mm2清洁层的平面的实质表面积为对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的150％以上。
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公开(公告)号：CN1778830A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510124931.3
申请日：2005-10-19
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G73/10 , C09D179/08 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供了一种基片处理设备的清洁基片，其包含清洁层，所述清洁层包括位于基片的至少一个表面上的且在20℃～150℃下存储模量(1Hz)为5×107Pa至1×109Pa的耐热性树脂；并且提供了一种适合用于清洁层的并可以用于涉及由于硅氧烷杂质而可能产生严重缺陷的应用，例如HDD应用和一些半导体应用中的耐热性树脂的聚酰亚胺树脂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1589980A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410079435.6
申请日：2004-04-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B08B1/006 , B08B1/00 , B08B7/00 , B08B7/0028 , C11D3/162 , C11D17/049 , H05K3/26
Abstract: 包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O－，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO－，CH3SiO2－和Si+的相对强度为0.1或更少。
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