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公开(公告)号：CN120019467A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202280100969.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供的实施方式大体而言包括用于射频(RF)电力生成操作所需的RF传感器的快速且不昂贵的修理及替换的等离子体处理系统中的设备及方法，以及用于在其中的半导体处理期间在等离子体腔室中生成等离子体的阻抗匹配装备。在等离子体处理系统的装备之间的灵活通信允许共享处理信息及装备设置，用于在制造工艺期间的多个半导体晶圆的分批处理。主等离子体处理系统的操作设置可用于控制多个从处理系统的操作。此外，主等离子体处理系统的操作设置可记录并且重新用于控制多个从处理系统。
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公开(公告)号：CN119343741A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380045602.6
申请日：2023-01-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·N·M·W·阿扎德 , K·拉马斯瓦米 , 杨扬 , 郭岳 , F·斯李维亚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文中提供的实施例通常包括设备，例如等离子体处理系统，以及用于在处理腔室中基板的等离子体处理的方法。一些实施例涉及波形产生器。所述波形产生器通常包括第一电压级，其具有：第一电压源；第一开关；接地参考点；具有第一变压比的变压器，所述第一变压器包含：耦接至所述第一电压源及所述接地参考点的初级绕组；以及具有第一端部和第二端部的次级绕组，其中所述第一端部耦接至所述接地参考点，并且所述第二端部被配置成通过共同节点耦接至负载；以及与所述第一变压器的所述初级绕组并联耦接的第一二极管。所述波形产生器通常还包括通过所述共同节点耦接至负载的一个或多个附加电压级。
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公开(公告)号：CN117941050A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280062291.X
申请日：2022-08-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种用于处理基板的装置可包括气体分配板，所述气体分配板包括上部板和下部板以及在上部板和下部板之间的实心盘。上部板和下部板中的每一者具有中心区域和围绕中心区域的外部区域，中心区域是实心的并且外部区域具有多个通孔。上部板和下部板沿着中心轴同轴地对准，中心轴延伸穿过上部板的中心区域的中心和下部板的中心区域的中心。实心盘与上部板和下部板同轴地对准。实心盘配置成阻隔紫外线辐射透射通过实心盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117795639A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054272.2
申请日：2022-08-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供的实施例大体包括用于减缓失真电流的装置、等离子体处理系统和方法。示例等离子体处理系统包括耦合至输入节点的电压源，输入节点耦合至设置在处理腔室内的电极，其中电压源被配置为在输入节点处产生脉冲电压信号；具有输出的信号产生器，其中RF信号产生器被配置为将第一RF频率的第一RF信号传送到输入节点；耦合在信号产生器的输出与输入节点之间的带通滤波器，其中带通滤波器被配置为使在包括第一RF信号的第一RF频率的频率范围之外的第二RF信号衰减；以及耦合在带通滤波器与输入节点之间的阻抗匹配电路。
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公开(公告)号：CN117461108A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280041392.9
申请日：2022-06-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 用于检测等离子体处理腔室的功率输送系统中的电弧的方法利用可见电弧检测传感器来帮助定位电弧并关闭与电弧位置相关联的功率源。在一些实施例中，所述方法包括：接收来自在可见光谱中操作的电弧检测传感器的电弧指示，其中所述至少一个电弧检测传感器定位在用于等离子体处理腔室的功率输送系统的组件中；通过所述等离子体处理腔室的电弧检测控制器来确定所述电弧指示的位置；以及当所述至少一个电弧指示超过阈值时，启动安全互锁信号到所述等离子体处理腔室的所述功率输送系统的所述功率源。安全互锁信号控制功率源的功率状态，并且启动安全互锁信号移除功率源功率。
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公开(公告)号：CN113936997A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111197853.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32 , G03F7/20
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于‑500MPa的应力。
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公开(公告)号：CN110622280A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880030287.9
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , G03F7/20 , H01L21/033 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于-500MPa的应力。
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公开(公告)号：CN110419091A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201880018470.7
申请日：2018-03-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种在腔室中的工件上执行类金刚石碳沉积的方法，包括：将工件支撑在腔室中，其中所述工件面向从腔室的顶板悬吊的上电极；将烃气引入腔室中；以及以第一频率将第一RF功率施加至上电极，其在腔室中产生等离子体且在所述工件上产生类金刚石碳的沉积。施加RF功率产生从上电极朝向工件的电子束以增强烃气的离子化。
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