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公开(公告)号：CN117722957B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311573239.3
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明提供了一种磁栅式光纤光栅大量程位移传感器，包括：第一磁探头、第二磁探头和磁栅尺；第一磁探头包括第一等强度梁、第一光栅光纤和第一永磁体；第一等强度梁的自由端固定第一永磁体；第二磁探头包括第二等强度梁、第二光栅光纤和第二永磁体；第二等强度梁的自由端固定所述第二永磁体；第一永磁体的磁极与第二永磁体的磁极同向布置；磁栅尺包括等间距阵列的多个磁栅永磁体，并且相邻两个磁栅永磁体的磁极反向布置；第一永磁体和第二永磁体之间的间距L满足如下关系：L＝(m±1/4)τ，其中，m为正整数，τ为相邻两个同向布置的所述磁栅永磁体的间距。本发明提高实现了温度解耦控制，实现大量程的位移精确测量。
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公开(公告)号：CN117747692A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN115857099A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211340279.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯混合硅基Fano共振调制器，包括：绝缘体上硅基层，以及在所述绝缘体上硅基层上形成的微环谐振器结构，其中，所述微环谐振器结构包括直波导和环形波导，在所述直波导的耦合区域开设一个或多个空气洞；在所述绝缘体上硅基层上铺设单层石墨烯，其中，所述单层石墨烯覆盖所述微环谐振器结构。与现有的硅基光学调制器相比，本发明结构简单，占用空间少，易于生产，能够实现更高的开关速率和调制速率。
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公开(公告)号：CN115708719A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211341508.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: A61B34/30
Abstract: 本发明提供了一种用于三维重构的软体操作器包括，圆柱形结构的软体载体，所述软体载体内以螺旋的方式嵌入光纤，所述光纤上刻有光栅阵列；所述软体载体内部贯穿所述软体载体开设第一通孔，以及围绕所述第一通孔开设的第二通孔，所述第一通孔为圆形通孔，所述第二通孔为半圆形通孔。本发明在操作器内布设螺旋光纤光栅进行形状反馈，在操作器外布设镍钛记忆合金导丝约束最大弯曲角度，解决了直线型光纤伸缩弯曲形变范围小的问题，满足微创手术软体操作器大伸缩和各向弯曲形变时的测量需求，并且可以防止气压输入故障时操作器的弯曲扭转出现变故。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120065408A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510217430.7
申请日：2025-02-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及光纤传感技术领域，公开了基于榫卯结构的耐辐照传感器无胶化装配封装方法，包括以下步骤：步骤一，对待封装的光纤光栅用无水酒精擦拭，去除浮尘及碎屑，将光纤光栅放入装有去离子水的超声波清洗仪中进行清洗，清洗完成后使用氮气吹干，步骤二，将封装结构下装配体固定在封装固定系统上，将光纤光栅放置于下装配体与上装配体之间预留的光纤槽自锁结构上，且使光纤光栅位于下装配体正中央。通过采用全金属钽封装结构，通过榫卯机械互锁和无胶化密封设计，彻底避免胶体老化、蠕变导致的监测失效，显著延长传感器在辐射环境下的使用寿命，同时彻底避免胶体老化、蠕变导致的监测失效，显著延长传感器在辐射环境下的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119831824A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411622430.7
申请日：2024-11-14
Applicant: 吉林电力股份有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 北京信息科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于风格迁移的云图增强方法、装置、设备、介质及产品，涉及云图增强领域，该方法包括对卫星云图数据中的多源云产品数据进行初步增强，确定多源云特征图；基于风格迁移算法，以红外云图作为内容云图，提取所述内容云图的内容特征，并以所述多源云特征图作为风格云图，提取所述风格云图的风格特征；融合所述内容特征以及所述风格特征，生成融合云图；根据所述融合云图预测光伏电站功率，本申请提高了云图数据质量，确保了融合云图不仅维持了云图的基本形态结构，还增添了丰富的颜色分布信息，从而使得预测的光伏电站功率的准确率更高。
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公开(公告)号：CN117826307B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202311800323.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于超材料结构的中红外偏振转换器包括，金属衬底层、在金属衬底层上制备的二氧化硅层，以及在二氧化硅层上制备的超表面层；超表面层包括周期排布的多个超表面结构单元；每一个所述超表面结构单元包括倾斜排布的中间矩形金属块，以及在中间矩形金属块两边倾斜排布的第一矩形金属块和第二矩形金属块；第一矩形金属块、第二矩形金属块和中间矩形金属块平行。本发明可以在3‑5μm波段实现高效的偏振转换，并且可以通过调整结构的参数来灵活改变其工作波长。
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公开(公告)号：CN117782317B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311810577.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线；GaN/AlN纳米线的一端为GaN，GaN/AlN纳米线的另一端为AlN，GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
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公开(公告)号：CN117782317A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311810577.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线；GaN/AlN纳米线的一端为GaN，GaN/AlN纳米线的另一端为AlN，GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
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