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公开(公告)号：CN101166020A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181952.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/205 , H03H3/00 , H03H3/0073 , H03H3/04 , H03H9/0211 , H03H9/02118 , H03H9/02133 , H03H9/02149 , H03H9/131 , H03H9/132 , H03H9/15 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/178 , H03H9/54 , H03H9/568 , H03H9/587 , H03H9/588 , H03H9/605 , H03H9/6483 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/0414 , H03H2003/0471 , Y10T29/42 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/49124 , Y10T29/49208 , Y10T29/49224
Abstract: 本发明提供了一种梯型滤波器。该梯型滤波器包括：串联谐振器，该串联谐振器具有第一层叠膜，在该第一层叠膜中，上部电极和下部电极隔着压电膜而彼此面对，并且在该第一层叠膜上设有第一膜；以及并联谐振器，该并联谐振器具有第二层叠膜，该第二层叠膜具有与所述第一层叠膜相似的结构，在该第二层叠膜上设有第二膜以及与所述第一膜相同的另一第一膜。
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公开(公告)号：CN1956324A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610137474.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/021
Abstract: 本发明提供了压电薄膜谐振器及滤波器。该压电薄膜谐振器包括构建于基板上的下电极，在该下电极和基板之间限定了圆形穹状空腔；设置于下电极之上的压电膜，以及设置于压电膜上的上电极。隔膜区域是下电极和上电极隔着压电膜的交叠区域，空腔在所述基板上的投影区域包含了该隔膜区域。
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公开(公告)号：CN1862959A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610080180.4
申请日：2006-05-10
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 一种压电薄膜谐振器，包括：形成于衬底上的下电极，形成于所述下电极上的压电膜，以及形成于所述压电膜上的上电极。在所述的压电薄膜谐振器中，所述上电极具有比下电极更厚的膜厚。
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公开(公告)号：CN104716925B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410783801.X
申请日：2014-12-16
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , C23C14/34 , C23C16/44 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: 压电薄膜谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器。一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：基板；压电膜，该压电膜具有设置在基板上的下压电膜和设置在下压电膜上的上压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；插入膜，该插入膜插入在下压电膜与上压电膜之间，并且位于其中下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区的外周部分中，插入膜不设置在谐振区的中央部分中；下压电膜的上表面在其中不设置插入膜的区域中具有第一粗糙度，并且在其中设置了插入膜的另一区域中具有第二粗糙度，第一粗糙度小于第二粗糙度。
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公开(公告)号：CN104716925A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410783801.X
申请日：2014-12-16
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/706 , C23C14/34 , C23C16/44 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: 压电薄膜谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器。一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：基板；压电膜，该压电膜具有设置在基板上的下压电膜和设置在下压电膜上的上压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；插入膜，该插入膜插入在下压电膜与上压电膜之间，并且位于其中下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区的外周部分中，插入膜不设置在谐振区的中央部分中；下压电膜的上表面在其中不设置插入膜的区域中具有第一粗糙度，并且在其中设置了插入膜的另一区域中具有第二粗糙度，第一粗糙度小于第二粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101741343B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910168371.X
申请日：2009-08-31
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明涉及谐振器、滤波器、以及电子装置。该谐振器包括：基板；下电极；压电薄膜，设置在所述下电极上；以及上电极，设置在所述压电薄膜上。所述下电极包括设置在所述基板上的第一薄膜、以及设置在第一薄膜上并且比重大于第一薄膜的比重的第二薄膜。所述压电薄膜设置在第二薄膜上。所述上电极包括设置在所述压电薄膜上的第三薄膜、以及设置在第三薄膜上的第四薄膜，第三薄膜的比重大于第四薄膜的比重。第三薄膜比第二薄膜厚。
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公开(公告)号：CN102638244A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027528.9
申请日：2012-02-08
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/02086 , H03H3/04 , H03H9/02157 , H03H9/173 , H03H9/582 , H03H2003/021 , H03H2003/0442 , H03H2003/045 , H03H2003/0471
Abstract: 本发明涉及声波器件和滤波器。所述声波器件包括：基板；压电膜，所述压电膜形成在所述基板上；下电极，所述下电极设置在所述压电膜的第一表面上；上电极，所述上电极设置在所述压电膜的与所述第一表面相对的第二表面上；以及质量负荷膜，所述质量负荷膜在谐振部分中具有第一图案和第二图案，在所述谐振部分中所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此面对，所述第一图案具有多个部分，并且所述第二图案具有将所述第一图案的所述多个部分相互连接的多个部分。
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公开(公告)号：CN101552094B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200810185049.3
申请日：2008-12-26
Abstract: 本发明涉及一种电子组件，该电子组件包括：多层陶瓷基底，所述多层陶瓷基底具有在其中形成的穿透电极，并且具有在其上表面上提供的无源元件；绝缘膜，所述绝缘膜被提供在所述多层陶瓷基底上，并且具有在所述穿透电极上方的开口；第一连接端子，所述第一连接端子被提供在所述绝缘膜上以覆盖所述开口，并且被电连接到所述穿透电极；以及第二连接端子，所述第二连接端子被提供在所述绝缘膜的区域上，所述区域不同于所述开口区域。其中，所述穿透电极的上表面被定位为相比所述多层陶瓷基底的所述上表面具有一个突起量，该穿透电极的突起量差不多等于所述绝缘膜的膜厚度，从而使所述第一连接端子的高度差不多等于所述第二连接端子的高度。
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公开(公告)号：CN102273073A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154141.6
申请日：2009-01-09
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/584 , H03H9/0095 , H03H9/542 , H03H9/60 , H03H9/706
Abstract: 滤波元件具有：相互级联连接的多个层叠滤波器(101、102)，各个层叠滤波器具有上下层叠的多个压电薄膜谐振器，各压电薄膜谐振器具有压电膜和上下夹着所述压电膜的一对第1电极；以及电容器(40)，其连接在多个层叠滤波器之中前级的层叠滤波器(101)的输入端子与多个层叠滤波器之中后级的层叠滤波器(102)的输入端子之间，所述前级和所述后级的层叠滤波器的输入端子所连接的所述压电薄膜谐振器(10a)和(20b)的激振方向相互反转。
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公开(公告)号：CN101960717A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880127827.1
申请日：2008-03-04
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/173 , H03H2003/021 , H03H2003/023
Abstract: 本发明的压电薄膜谐振器具有：基板(1)；中间层(7)，其配置在基板(1)上，由绝缘体形成；下部电极(3)，其配置在中间层(7)上；压电膜(4)，其配置在下部电极(3)上；以及上部电极(5)，其配置在隔着压电膜(4)与下部电极(3)相对向的位置处，在下部电极(3)与上部电极(5)相对向的谐振部(8)的区域内，在基板(1)和中间层(7)上，或在下部电极(3)与中间层(7)之间形成有空隙(6)，空隙(6)的区域包括在谐振部(8)的区域内。根据该结构，能够抑制振动能量从谐振区域散逸到基板，从而能够提高品质因数。
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