基于PSO_BP神经网络的三维定位方法

    公开(公告)号:CN106912105B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201710133596.6

    申请日:2017-03-08

    Abstract: 本发明设计了一种基于粒子群算法(Particle Swarm Optimizer,PSO)优化后的BP神经网络的终端三维定位方法,可广泛应用于无线定位领域。本方法过程为:测得某区域内多个基站与终端的距离数据。将实测距离从小到大排序,选择距离最近的四个基站,用这四个基站通过最小二乘法计算出含非视距影响的终端位置。再计算出所有含非视距的终端位置,并计算出每个基站到终端的三维方向角。最后把所得终端位置坐标、基站到终端距离以及三维方向角作为PSO_BP神经网络的特征值输入层,输出层是修正后的终端位置坐标。本发明利用PSO算法优化了BP神经网络,所得结果消除了非视距因素带来的终端位置测量误差,提出的算法具有性能稳定、算法收敛快、定位精度高等优点,适合推广使用。

    用于PSD传感器的遮光筒及确定筒体筒高的方法

    公开(公告)号:CN108225183A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201810024800.5

    申请日:2018-01-11

    Inventor: 孙旭 施云波

    CPC classification number: G01B11/00 G01B11/02

    Abstract: 本发明一种用于PSD传感器的遮光筒及确定筒体筒高的方法属于传感器领域;包括筒盖、筒体和底座;所述筒盖、筒体和底座表面由黑色反光纸包裹,所述筒盖为圆形,所述筒体为圆柱体,所述筒盖的直径与筒体的直径相等,所述筒盖覆盖在筒体上,所述筒体的筒高为25mm,所述筒盖中间位置设有圆孔,所述圆孔为直径4mm,所述底座设置在筒体内,圆孔的正下方;本发明不仅能够使PSD传感器不受外界环境的影响,同时使PSD传感器测量更加准确。

    一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器

    公开(公告)号:CN104482964A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410779711.3

    申请日:2014-12-17

    Abstract: 一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器,适用于风速和风向测量领域。本发明的目的是要解决现有的风速风向传感器受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器其特征在于:主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体,氧化铝绝缘层、镍铬合金膜传感器、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器,内置渗B半导体加热体,可为传感器提供适应的工作温度,从而提高精度;悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费;MEMS技术的应用,可使本传感器体积变小、成本降低。

    一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器

    公开(公告)号:CN101762623B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201010300140.2

    申请日:2010-01-08

    Abstract: 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法,涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽,基片背面设置有加热电极和信号电极,通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通,加热电极为蛇形排列结构,敏感膜附在信号电极上,制造方法如下:一选择基片;二传感器Pt金属薄膜信号电极制备:首先光刻,其次镀膜,最后金属膜剥离;三异面加热电极制备:首先镀膜,然后激光刻蚀;四热隔离;五退火;六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。

    叠片式微电子机械系统压电振子的制造方法

    公开(公告)号:CN101777884B

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN200910312591.5

    申请日:2009-12-30

    Abstract: 叠片式微电子机械系统压电振子的制造方法,它涉及一种微电子机械系统压电振子的制造方法。它解决了现有的微电子机械系统压电振子无法解决其微驱动组装的多层片式结构和优化、以及无法满足微电子机械系统集成化、小型化要求的问题。它的步骤是:步骤一、对铍青铜基片进行热处理;步骤二、在陶瓷片的上下表面溅射铜膜并进行热处理;步骤三、对步骤二处理后的陶瓷片做极化处理;步骤四、将步骤三处理后的陶瓷片陈化放置后采用超声波清洗;步骤五、将清洗后的压电陶瓷片按照一定的结构设计固定在铍青铜基片的上、下表面上。本发明适用于主动振动控制、强振隔离体、航空航天、机器人、动力机械等多领域的驱动场合。

    在非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101775586A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010032484.X

    申请日:2010-01-18

    Abstract: 在非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备方法,它涉及多孔Al2O3膜的制备方法。本发明解决了现有制备多孔Al2O3膜的方法复杂,膜厚度大、脆且易碎,采用这种膜制备的纳米线无序且长度过大的问题。方法:一、取基片进行表面清洗,然后烘干,再采用磁控溅射的方式在基片上溅射Al膜,然后在氩气保护下热处理,得镀有Al膜的基片;二、以镀有Al膜的基片为阳极,不锈钢片为阴极,草酸溶液为电解液进行阳极氧化,即完成。本发明简化了制备步骤,操作简单,易于控制,加工成本低廉,制备的Al2O3膜厚度为6~10μm、膜的韧性好,采用本发明中的Al2O3膜制备纳米线,所得纳米线行序且长度在3~5μm可控。

    复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法

    公开(公告)号:CN101769888A

    公开(公告)日:2010-07-07

    申请号:CN201010032466.1

    申请日:2010-01-14

    Abstract: 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法,它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差,使得Cl2传感器普遍存在着功耗高,体积大,只能进行低浓度检测的问题。方法:一、原料混合得到共沉积混合物;二、离心、抽滤、干燥;三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体;四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好,使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0~500ppm,且功耗低,体积小。

    一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN101767994A

    公开(公告)日:2010-07-07

    申请号:CN201010032479.9

    申请日:2010-01-18

    Abstract: 一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法,它涉及一种压电陶瓷粉体的制备方法。本发明解决了现有固相合成法制备压电陶瓷粉体存在化学配比不能精确控制、粉体活性低、所需烧结温度高、材料均匀性差的问题。方法:一、取Pb(Ac)2·3H2O、TiCl4、MnCl2、NiCl2·6H2O和ZrOCl2·8H2O的可溶性盐溶液混合并搅拌,得混合溶液;二、向混合溶液中加入Sb2O3并搅拌,得悬浊液;三、向悬浊液中加入氨水,得氢氧化物胶体,离心后弃上清液,清洗沉淀,干燥后研磨,得微粉;四、微粉烧结后即得改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体。本发明各元素配比得到了精确控制,反应在低温下进行,粉体活性高,粉体均匀性好。

    一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101762623A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN201010300140.2

    申请日:2010-01-08

    Abstract: 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法,涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽,基片背面设置有加热电极和信号电极,通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通,加热电极为蛇形排列结构,敏感膜附在信号电极上,制造方法如下:一选择基片;二传感器Pt金属薄膜信号电极制备:首先光刻,其次镀膜,最后金属膜剥离;三异面加热电极制备:首先镀膜,然后激光刻蚀;四热隔离;五退火;六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。

    阵列式多参数风传感器芯片基板

    公开(公告)号:CN100568022C

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200710071956.0

    申请日:2007-03-28

    Abstract: 阵列式多参数风传感器芯片基板,涉及到风传感器领域。本发明解决了现有技术中存在的测量功能单一、热场影响大、不稳定、热平衡时间长的问题。阵列式多参数风传感器芯片基板由基板、n个加热元件、m个热敏元件以及若干个隔热沟槽组成,其中n是大于或等于2的自然数,m=n+1,基板是圆形或者正多边形的非导体平板,在基板的背面固定n个以中心点对称的加热元件,在每相邻的两个加热元件中间,刻有隔热沟槽,在基板的正面,与n个加热元件的位置对应固定有n个热敏元件,在基板正面的中心固定有一个热敏元件,在每相邻的两个热敏元件之间,刻有隔热沟槽。本发明的阵列式多参数风传感器芯片基板可以应用到风传感器以及风参数测量系统中。

Patent Agency Ranking