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公开(公告)号:CN113109308A
公开(公告)日:2021-07-13
申请号:CN202110392178.5
申请日:2021-04-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,属于VOCs气体传感器研究领域。通过在不同MEMS芯片上涂覆不同敏感材料制备传感器阵列,传感器阵列与VOCs气体反应后,在LED紫外灯激发下,传感器阵列上的敏感材料产生荧光颜色的变化,通过微型摄像头模组采集反应前后的图像,利用图像处理技术提取各传感器单元对应位置上RGB的变化值,判断VOCs气体的种类;同时,MEMS芯片叉指电极两端产生电信号的变化,利用此变化获得气体的响应曲线,判断出VOCs气体的浓度值;结合在同一传感阵列上检测到的两类变化,实现VOCs气体的定性和定量测量。本发明所制备的气体传感器阵列尺寸微小、制造成本低、易于集成,检测方法简单高效,检测范围广,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN104482964A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201410779711.3
申请日:2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器,适用于风速和风向测量领域。本发明的目的是要解决现有的风速风向传感器受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器其特征在于:主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体,氧化铝绝缘层、镍铬合金膜传感器、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器,内置渗B半导体加热体,可为传感器提供适应的工作温度,从而提高精度;悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费;MEMS技术的应用,可使本传感器体积变小、成本降低。
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公开(公告)号:CN101762623B
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201010300140.2
申请日:2010-01-08
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
Abstract: 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法,涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽,基片背面设置有加热电极和信号电极,通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通,加热电极为蛇形排列结构,敏感膜附在信号电极上,制造方法如下:一选择基片;二传感器Pt金属薄膜信号电极制备:首先光刻,其次镀膜,最后金属膜剥离;三异面加热电极制备:首先镀膜,然后激光刻蚀;四热隔离;五退火;六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。
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公开(公告)号:CN101777884B
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN200910312591.5
申请日:2009-12-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H03H9/25
Abstract: 叠片式微电子机械系统压电振子的制造方法,它涉及一种微电子机械系统压电振子的制造方法。它解决了现有的微电子机械系统压电振子无法解决其微驱动组装的多层片式结构和优化、以及无法满足微电子机械系统集成化、小型化要求的问题。它的步骤是:步骤一、对铍青铜基片进行热处理;步骤二、在陶瓷片的上下表面溅射铜膜并进行热处理;步骤三、对步骤二处理后的陶瓷片做极化处理;步骤四、将步骤三处理后的陶瓷片陈化放置后采用超声波清洗;步骤五、将清洗后的压电陶瓷片按照一定的结构设计固定在铍青铜基片的上、下表面上。本发明适用于主动振动控制、强振隔离体、航空航天、机器人、动力机械等多领域的驱动场合。
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公开(公告)号:CN101775586A
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN201010032484.X
申请日:2010-01-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 在非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备方法,它涉及多孔Al2O3膜的制备方法。本发明解决了现有制备多孔Al2O3膜的方法复杂,膜厚度大、脆且易碎,采用这种膜制备的纳米线无序且长度过大的问题。方法:一、取基片进行表面清洗,然后烘干,再采用磁控溅射的方式在基片上溅射Al膜,然后在氩气保护下热处理,得镀有Al膜的基片;二、以镀有Al膜的基片为阳极,不锈钢片为阴极,草酸溶液为电解液进行阳极氧化,即完成。本发明简化了制备步骤,操作简单,易于控制,加工成本低廉,制备的Al2O3膜厚度为6~10μm、膜的韧性好,采用本发明中的Al2O3膜制备纳米线,所得纳米线行序且长度在3~5μm可控。
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公开(公告)号:CN101769888A
公开(公告)日:2010-07-07
申请号:CN201010032466.1
申请日:2010-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法,它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差,使得Cl2传感器普遍存在着功耗高,体积大,只能进行低浓度检测的问题。方法:一、原料混合得到共沉积混合物;二、离心、抽滤、干燥;三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体;四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好,使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0~500ppm,且功耗低,体积小。
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公开(公告)号:CN101767994A
公开(公告)日:2010-07-07
申请号:CN201010032479.9
申请日:2010-01-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/626
Abstract: 一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法,它涉及一种压电陶瓷粉体的制备方法。本发明解决了现有固相合成法制备压电陶瓷粉体存在化学配比不能精确控制、粉体活性低、所需烧结温度高、材料均匀性差的问题。方法:一、取Pb(Ac)2·3H2O、TiCl4、MnCl2、NiCl2·6H2O和ZrOCl2·8H2O的可溶性盐溶液混合并搅拌,得混合溶液;二、向混合溶液中加入Sb2O3并搅拌,得悬浊液;三、向悬浊液中加入氨水,得氢氧化物胶体,离心后弃上清液,清洗沉淀,干燥后研磨,得微粉;四、微粉烧结后即得改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体。本发明各元素配比得到了精确控制,反应在低温下进行,粉体活性高,粉体均匀性好。
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公开(公告)号:CN101762623A
公开(公告)日:2010-06-30
申请号:CN201010300140.2
申请日:2010-01-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法,涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽,基片背面设置有加热电极和信号电极,通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通,加热电极为蛇形排列结构,敏感膜附在信号电极上,制造方法如下:一选择基片;二传感器Pt金属薄膜信号电极制备:首先光刻,其次镀膜,最后金属膜剥离;三异面加热电极制备:首先镀膜,然后激光刻蚀;四热隔离;五退火;六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。
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公开(公告)号:CN100568022C
公开(公告)日:2009-12-09
申请号:CN200710071956.0
申请日:2007-03-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 阵列式多参数风传感器芯片基板,涉及到风传感器领域。本发明解决了现有技术中存在的测量功能单一、热场影响大、不稳定、热平衡时间长的问题。阵列式多参数风传感器芯片基板由基板、n个加热元件、m个热敏元件以及若干个隔热沟槽组成,其中n是大于或等于2的自然数,m=n+1,基板是圆形或者正多边形的非导体平板,在基板的背面固定n个以中心点对称的加热元件,在每相邻的两个加热元件中间,刻有隔热沟槽,在基板的正面,与n个加热元件的位置对应固定有n个热敏元件,在基板正面的中心固定有一个热敏元件,在每相邻的两个热敏元件之间,刻有隔热沟槽。本发明的阵列式多参数风传感器芯片基板可以应用到风传感器以及风参数测量系统中。
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公开(公告)号:CN209281412U
公开(公告)日:2019-08-20
申请号:CN201822120237.X
申请日:2018-12-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G06K7/10 , G06K19/077 , G06K17/00 , H04W4/38 , H04W84/18
Abstract: 本实用新型公开了一种融合RFID和气体传感器网定位与信息采集系统。其包括气体传感器(11-2),气体传感器节点(11-1),ZigBee模块(14),路由器(2),协调器(3),PC机(13),惯性导航模块(9),WiFi通信传输模块(12),激光扫描装置(4),超声波避障仪(5),电机驱动模块(6),电源模块(7),RFID读写器(8),主控制器(10),RFID电子标签(1)其利用RFID与ZigBee相结合来达成气体传感器网的精准定位并实现全自动小车巡检和紧急情况时给出处理意见,实时监测、有效降低事故发生的概率,在出现泄漏时及时精确的找到泄露源并及时处理。
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