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公开(公告)号：CN117910403A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311603852.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型可扩展性自动化检查方法，涉及MOSFET模型技术领域。所述自动化检查方法包括：输入待检查MOSFET模型参数；输入并扩展器件工作条件，求解待检查变量；运行检查函数；输出检查结果。为了检查模型的可扩展性，扩展器件的工作条件，求解代表器件性能的中间变量，并进行检查。
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公开(公告)号：CN115879337A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211409695.X
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种面向工艺仿真的矩阵元素重排列方法、装置及存储介质，其中，面向工艺仿真的矩阵元素重排列方法包括：获取半导体器件工艺仿真中有限元网格的变化情况；当所述有限元网格发生变化时，采用贪心策略调整所述有限元网格的逻辑顶点的顺序；根据调整后的所述有限元网格的逻辑顶点的顺序，重新生成系数矩阵。本发明在半导体器件工艺仿真的每个工艺步骤完成后，当有限元网格发生变化时，通过贪心策略重新排定逻辑顶点顺序来重新排列有限元系数矩阵的元素，保证重新生成的系数矩阵的非零元素能够尽量靠近矩阵主对角线，以达成稳定系数矩阵的存储开销、提高存储效率和内存空间使用效率、提升工艺仿真软件处理大规模网格能力的目的。
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公开(公告)号：CN115420190A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211145034.0
申请日：2022-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B7/16 , G06F30/20 , G16C60/00 , G06F113/26
Abstract: 本发明提供一种基于高能电子辐照提高柔性传感器性能的分析方法，包括：获取柔性传感器；构建柔性传感器的仿真模型；对仿真模型进行高能电子辐照仿真，获取入射范围大于柔性传感器厚度的第一辐照能量；采用不同辐照注量的高能电子对所述柔性传感器进行辐照；测试辐照前后柔性传感器的基础性能和缺陷结构；根据初始状态下柔性传感器的基础性能和缺陷结构，以及，辐照后柔性传感器的基础性能和缺陷结构，分析高能电子辐照对柔性传感器性能的影响效应及机制。本发明提供的分析方法能够通过辐照前后柔性传感器的表征分析高能电子对柔性传感器性能的影响效应及机制，从而为高能电子辐照技术应用于提高柔性传感器性能提供理论依据。
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公开(公告)号：CN115186580A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210759867.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/27 , G06F17/18 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种不同类型空间辐照入射粒子的作用效应预测方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述预测方法包括：获取数据库中的样本数据，所述样本数据包括入射粒子的参数信息以及相应的作用效应信息；将所述样本数据划分为训练集和测试集，并分别定义所述训练集和所述测试集中的自变量和因变量；根据所述自变量和所述因变量建立回归模型，并通过所述回归模型进行所述自变量与所述因变量之间的关联分析。本发明基于回归算法，对拥有不同参数类型的入射粒子对航空航天半导体器件辐照损伤所造成的作用效应进行智能预测，为半导体器件的材料选取提供重要依据和思路，且预测效率高、成本低。
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公开(公告)号：CN115186566A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210762714.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种不同入射粒子能量效应智能预测方法及系统，所述预测方法包括：步骤一，采用机器学习方法预测不同能量的入射粒子辐照器件所产生的初级离位原子的信息；步骤二，根据所述初级离位原子的信息，采用区域增长算法，进行所述初级离位原子在所述器件中的移位级联动态演化仿真。本发明对拥有不同能量信息的入射粒子对空间半导体器件辐照损伤所造成的移位级联进行智能动态地预测和仿真，为快速准确地计算入射粒子与移位级联的相互作用提供基础，从而有助于揭示不同能量粒子对材料产生的物理作用现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115169209A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210769768.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25
Abstract: 本发明提供了一种空间辐射环境多模型耦合仿真方法、装置及计算机设备，涉及计算机仿真技术领域，仿真方法包括：根据仿真粒度将仿真时间范围划分为连续分布的多个仿真时刻；将每一初始轨道任务参数实例化为一个第一仿真对象，在每一仿真时刻遍历所有第一仿真对象，获取每一第一仿真对象在当前仿真时刻的当前状态参数；根据初始位置和初始轨道任务参数，获取多个空间辐射环境模型初始参数，将每一空间辐射环境模型初始参数实例化为一个第二仿真对象，根据每一第一仿真对象在当前仿真时间的当前状态参数，遍历所有第二仿真对象，计算空间辐射环境模型的量化数据。本发明能够实现多任务轨道与多模型高度耦合同时计算，提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN115146457A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762618.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , H01L21/66 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法，包括以下步骤：构建无缺陷和有缺陷的半导体材料结构，然后指定材料的带电状态a，a‑1和a+1，对半导体材料进行优化，使原子均处于各自的平衡位置；计算构建得到的几种半导体材料结构的能量；采用公式计算半导体材料中缺陷的俘获截面。本发明通过模拟计算的方式能够快速、准确计算半导体材料中的俘获截面，从而评估半导体材料的抗辐射性能，解决了传统的俘获截面计算过程中实验测试周期长、效率低的问题。
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公开(公告)号：CN115146559B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210762679.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/28 , G06F30/25 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种器件辐照缺陷演化分子动力学仿真的注量模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取收敛的单个入射粒子辐照器件产生PKA的数量；对器件进行网格化处理，得到多个含有PKA的网格；构建与网格等大小的体系模型；标定注量的入射粒子分批次辐照器件，基于体系模型，利用分子动力学方法和KMC方法对网格中的PKA进行缺陷演化；统计每个网格中缺陷的种类和数量并归入器件中，改变入射粒子的注量，重复上述步骤，获得不同注量入射粒子与器件中缺陷信息之间的关系。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法，实现在不同注量下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算，且计算逻辑清晰，步骤简单易操作。
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公开(公告)号：CN115186464B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210768541.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/18 , G06F111/10 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种确定航天器薄弱区域辐射余度的方法，包括：对航天器的三维几何结构进行射线跟踪运算，获得屏蔽深度数据，以及每个空间角度区域内的剂量值和空间角大小；计算深度‑立体角占比曲线、剂量占比‑立体角占比曲线以及总剂量；将计算结果换算为剂量倍数‑立体角占比曲线以及剂量倍数‑深度曲线；将薄弱区域的立体角比例和屏蔽深度上限分别作为判据，将所述判据分别代入剂量倍数‑立体角占比曲线以及剂量倍数‑深度曲线中，获得根据薄弱区域确定的辐射余度。本发明能够对用户关心的航天器薄弱区域进行针对性分析，有助于对航天器设计提供多标准、多维度的参考，加强对薄弱部位的辐射防护，延长敏感元器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115618689A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211404832.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种面向工艺仿真的有限元装配矩阵压缩存储方法及装置，其中，面向工艺仿真的有限元装配矩阵压缩存储方法包括：采用两个数组分别存储待存储矩阵的元素的位置和数值。本方法采用两个数组分别存储待存储矩阵的元素的位置和数值，其相比于直接存储待存储矩阵所需空间更小，能够极大地削减待存储矩阵所需的存储开销，提高相应工艺仿真数值计算过程的内存使用效率，提升相应工艺仿真软件处理大规模网格的能力；而且，本方法步骤简单、易于实现、操作过程对用户透明，不影响工艺仿真数值计算方法的精度，不显著影响工艺仿真过程数值计算的效率，提高了内存空间使用效率，提升了软件处理大规模网格的能力，具有广泛的应用前景。
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