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公开(公告)号：CN106644907A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610911406.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
CPC classification number: G01N17/00
Abstract: 低地球轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，涉及空间环境效应领域。本发明是为了解决现有低地球轨道航天器用暴露材料地面模拟试验方法不能够全面实现暴露材料空间综合环境效应研究的问题。本发明所述的低地球轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，将待实验样品置密封腔体内，对待实验样品进行粉尘模拟试验，对待实验样品进行原子氧环境及紫外环境试验，对密封腔体抽真空，进行热循环试验，根据待试验样品的厚度t，选择入射电子及质子的能量，对待实验样品进行带电粒子辐照试验，进行低地球轨道航天器用暴露材料性能测试。本发明适用于空间环境效应研究与抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN106353622A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610911425.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/002
Abstract: 基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决电子元器件地面辐照过程中，由于环境气氛和温度的影响，导致电性能原位测试不准确和评价效率低的问题。本发明采用氩气环境，这样可以有效地排除以往辐照试验过程中空气中氧气的影响和真空辐照中负压的影响，提高了电子元器件原位测试的准确性。在辐照过程中进行变温辐照，温度区间选取双极晶体管工作的环境温度条件，这样的原位测试方法低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明适用于双极型电子元器件空间辐照效应研究和试验。
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公开(公告)号：CN103887330B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN103871873B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410135985.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L21/328 , H01L21/265
Abstract: 基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大，双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术，制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构，能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响，显著增强双极器件的抗辐照能力，同比增强了2‑5倍。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN103887171A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136054.0
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/66272 , H01L21/3105
Abstract: 一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法，涉及双极器件抗辐照技术领域。解决了双极器件的钝化层中，由于氧化物俘获正电荷和界面态的影响，导致双极器件的抗辐照能力低的问题。所述抗辐照加固方法包括以下步骤：步骤一、采用传统工艺制备双极晶体管，并在双极晶体管上形成第一钝化层；步骤二、第一钝化层形成后，采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层；步骤三、对第二钝化层进行离子注入；步骤四、对双极晶体管、第一钝化层和第二钝化层形成的一体结构进行退火工艺。本发明适用于提高双极器件抗辐照能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103884945A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136016.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN103869199A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410136726.8
申请日：2014-04-04
Applicant: 中国空间技术研究院 , 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决现有的地面实验采用实际空间环境的低剂量率评估电子元器件进行抗辐射能力，导致辐照时间长的问题。本发明所述的采用TCAD软件模拟氢气气氛下的双极型器件电性能及电离辐射缺陷的变化规律，根据氢气气氛中双极型器件内的氧化物电荷与界面态密度，获得氢气浸泡的时间与氢气浓度，通过氢气浸泡、加热，加速双极型器件内部的电离辐射缺陷产生，从而起到加速低剂量率增强效应评价的作用，达到用高温氢气浸泡条件下高剂量率辐照双极型器件与低剂量率条件下辐照双极型器件的辐照时间相比所用的时间短的目的。它可用于航天电子系统中。
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公开(公告)号：CN117291135A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311317217.0
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06F119/02 , G06F119/06
Abstract: 本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法，涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、通过结构参数建立模拟的功率场效应管MOSFET；结构参数包括功率MOSFET的沟道长度、沟道宽度和氧化层厚度；步骤二、对功率MOSFET进行仿真，获取功率MOSFET的漂移阈值电压实际值；步骤三、建立初始预测模型；将结构参数作为初始预测模型的输入参数，漂移阈值电压实际值作为初始预测模型的输出参数，对初始预测模型进行训练、验证和测试，得到可靠性预测模型。
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公开(公告)号：CN114268276A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111579626.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于太阳电池低温低光强综合试验装置以及试验方法，该装置包括光源、低温恒温舱、无油分子泵、风冷压缩机、温度控制仪以及电学测试系统；其试验方法包括：根据电池服役环境，确定温度光照条件；整理装置，安装衰减片；样品放置，检查光路与测试线路；打开无油分子泵将低温恒温舱抽成真空环境；打开风冷压缩机对冷头降温至额定温度；校准太阳模拟器；测试样品光特性。该发明能在地面模拟出空间环境中低温低光强的试验装置的试验方法。
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公开(公告)号：CN108460196B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201810135807.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367 , G06F111/08 , G06F119/02 , G06F119/16
Abstract: 双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法，涉及材料和器件的辐照试验，属于核科学与技术领域，为了实现对不同类型粒子辐照条件下双极晶体管的性能退化特征的预测。本发明基于一种辐照源建立性能退化模型等效模拟其他辐照源辐射损伤的地面等效模拟试验方法，其应用对象包括双极晶体管及其他类型的双极工艺器件；仅通过选择某一特定种能量和种类的带电粒子，在合适的辐照通量条件下进行辐照试验，就可建立双极器件性能退化模型；结合Monte Carlo方法计算分析其他类型辐照源的损伤能力，即可将不同类型辐照源的辐射损伤进行归一化，达到预测在轨性能退化的目的。有益效果为准确地预测双极晶体管在轨电离损伤性能退化规律，步骤简单，易于操作。
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