公开(公告)号：CN103887154B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410135913.4

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  刘超铭 ,  杨剑群 ,  肖景东 ,  何世禹

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331

Abstract: 一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法，属于电子技术领域。本发明目的是针对目前的双极型器件表面的氧化物俘获正电荷和界面态使得双极型器件的抗辐照能力减弱的问题。本发明所述基于钝化层离子注入方式的双极型器件抗电离辐照加固方法，首先通过对离子种类为F、Cl、Br、I和As离子采用SRIM和TCAD软件进行模拟仿真，仿真获得离子能量、射程与注量，再进行离子注入。入射离子选用F、Cl、Br、I和As元素形成电离辐射缺陷的俘获陷阱，可降低电离辐射缺陷的密度。通过钝化层离子注入方式，减小氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能的影响，提高双极型器件的抗辐照能力，用于航天器用电子器件的抗辐照加固。

公开(公告)号：CN103887171A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410136054.0

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  刘超铭 ,  杨剑群 ,  肖景东 ,  何世禹

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L21/3105

Abstract: 一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法，涉及双极器件抗辐照技术领域。解决了双极器件的钝化层中，由于氧化物俘获正电荷和界面态的影响，导致双极器件的抗辐照能力低的问题。所述抗辐照加固方法包括以下步骤：步骤一、采用传统工艺制备双极晶体管，并在双极晶体管上形成第一钝化层；步骤二、第一钝化层形成后，采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层；步骤三、对第二钝化层进行离子注入；步骤四、对双极晶体管、第一钝化层和第二钝化层形成的一体结构进行退火工艺。本发明适用于提高双极器件抗辐照能力。

公开(公告)号：CN103884945A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410136016.5

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  杨剑群 ,  刘超铭 ,  肖景东 ,  马国亮 ,  何世禹 ,  杨德庄

IPC: G01R31/00

Abstract: 基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。

公开(公告)号：CN103887155B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410135934.6

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  刘超铭 ,  杨剑群 ,  马国亮 ,  肖景东 ,  何世禹 ,  杨德庄

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/331

Abstract: 一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息；采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间，最后进行退火处理，实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。

公开(公告)号：CN103091698B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310024924.0

申请日：2013-01-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  肖景东 ,  刘超铭 ,  杨德庄 ,  何世禹

IPC: G01T1/29

Abstract: 一种质子/电子综合辐照束流注量的检测方法，它涉及一种质子/电子综合辐照束流注量的检测方法，本发明是为解决现有的辐照试验检测方法一次只能检测一种入射粒子束流的辐照通量，当质子/电子综合辐照时，束流积分仪无法显示相应的辐照通量的技术问题，合成方法如下：a确定综合辐照源能量，b确定检测材料，c计算综合辐照源在检测材料中的射程，d根据射程确定检测材料的厚度，e然后通过束流积分仪检测得到质子/电子综合辐照束流注量，解决了现有综合辐照检测方法，当通量近似的两种入射粒子同时辐照时，束流积分仪无法显示的问题，可以同时检测不同的辐照粒子束流的注量，检测方法操作简单，准确性高，可应用于地面综合辐照试验中。

公开(公告)号：CN103116176A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310024890.5

申请日：2013-01-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  刘超铭 ,  肖景东 ,  杨德庄 ,  何世禹

IPC: G01T1/02

Abstract: 电子元器件带电粒子辐照效应地面等效注量计算方法，本发明涉及电子元器件的模拟试验方法。本发明是要解决现有的电子元器件辐照效应地面模拟试验误差大的技术问题。本方法：一、测定电子元器件所接受的轨道带电粒子能谱；二、利用Monte-Carlo方法或GEANT4程序计算经防护层后到达电子元器件表面的在轨电离及位移吸收剂量D1；三、确定电子元器件敏感区厚度；四、确定所选试验条件下的粒子种类及能量，通过Monte-Carlo方法或GEANT4程序计算敏感区在试验条件下的电离或位移吸收剂量D2；五、按D1＝D2，计算实验室条件下的等效注量Φ和辐照时间t。本发明的方法用于电子元器件的模拟试验。

公开(公告)号：CN103872106B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410135845.1

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  杨剑群 ,  刘超铭 ,  肖景东 ,  何世禹

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 抗辐照双极器件及该器件的制备方法，涉及双极器件的抗辐照技术。它为了解决现有双极器件抗辐照能力差的问题。本发明在双极器件基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区。抗辐照双极器件的制备方法为：在完成基区扩散或离子注入后，进行发射区扩散或离子注入前，进行抗辐照加固方法，抗辐照加固方法首先在基区掩膜版的基础上制备基区表面掺杂掩膜版，基于该掩膜版向基区表面注入与基区体内相同的杂质离子，注入浓度为体区浓度的10～10000倍，最后进行退火处理。本发明通过改变基区表面结构及掺杂浓度，使器件失效阈值高了1.4～3.7倍。本发明适用于NPN器件、PNP器件、数字双极电路、模拟双极电路及数模/模数电路。

公开(公告)号：CN103884945B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410136016.5

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  杨剑群 ,  刘超铭 ,  肖景东 ,  马国亮 ,  何世禹 ,  杨德庄

IPC: G01R31/00

Abstract: 基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。

公开(公告)号：CN103870664A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410135842.8

申请日：2014-04-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  刘超铭 ,  杨剑群 ,  肖景东 ,  何世禹 ,  杨德庄

IPC: G06F17/50

Abstract: 一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，属于电子技术领域，本发明为解决现有双极型器件的ELDRS效应地面模拟实验没有加速实验的普遍适用方法，即不能用高剂量率辐照实验来实现低剂量率增强效应加速实验的问题。具体过程为：根据选取的双极型器件钝化层厚度和密度，利用SRIM软件进行仿真，获取注入氢离子的能量与射程；利用TCAD软件进行仿真，获取抗辐照性能参数：电流增益；改变氢离子的注量，使TCAD模拟双极型器件的电流增益变化量小于10%，记录氢离子注量；根据注入氢离子的能量、射程和注量，在钝化层中注入氢离子；对注入氢离子后的双极型器件进行辐照实验。本发明用于空间辐照环境中。

公开(公告)号：CN103091698A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310024924.0

申请日：2013-01-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 ,  肖景东 ,  刘超铭 ,  杨德庄 ,  何世禹

IPC: G01T1/29

Abstract: 一种质子/电子综合辐照束流注量的检测方法，它涉及涉及一种质子/电子综合辐照束流注量的检测方法，本发明是为解决现有的辐照试验检测方法一次只能检测一种入射粒子束流的辐照通量，当质子/电子综合辐照时，束流积分仪无法显示相应的辐照通量的技术问题，合成方法如下：a确定综合辐照源能量，b确定检测材料，c计算综合辐照源在检测材料中的射程，d根据射程确定检测材料的厚度，e然后通过束流积分仪检测得到质子/电子综合辐照束流注量，解决了现有综合辐照检测方法，当通量近似的两种入射粒子同时辐照时，束流积分仪无法显示的问题，可以同时检测不同的辐照粒子束流的注量，检测方法操作简单，准确性高，可应用于地面综合辐照试验中。