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公开(公告)号：CN219226293U
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202223602793.3
申请日：2022-12-30
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62
Abstract: 本实用新型提供一种显示面板，包括：第一基板，第一基板的一侧表面具有导电层组，导电层组包括间隔设置的第一导电层和第二导电层；位于第一基板的一侧的绝缘层，绝缘层中具有间隔设置的第一开口和第二开口，第一开口位于第一导电层的上方，第二开口位于第二导电层的上方；位于第一开口中的第一键合层，第一键合层位于第一导电层的上表面；位于第二开口中的第二键合层，第二键合层位于第二导电层的上表面；Micro‑LED芯片，Micro‑LED芯片包括：P型电极和N型电极；P型电极与第一键合层接触，N型电极与第二键合层接触。所述显示面板可以避免第一导电层与第二导电层之间发生短路。
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公开(公告)号：CN222126570U
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202420673678.5
申请日：2024-04-02
Abstract: 本实用新型提供一种Mi cro‑LED芯片。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本实用新型提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。
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公开(公告)号：CN118738197A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410769561.1
申请日：2024-06-14
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种高线性动态范围的紫外光电探测器及制备方法。探测器包括半导体衬底、氮化镓层、氧化镓层和电极结构层，氮化镓层设置于半导体衬底上，氮化镓层为第一导电类型；氧化镓层设置于氮化镓层远离半导体衬底一侧的表面上，氧化镓层为与第一导电类型相反的第二导电类型，氧化镓层的电阻率高于氮化镓层的电阻率；电极结构层位于氧化镓层远离半导体衬底一侧的表面上，电极结构层包括间隔设置在同一平面上的第一电极和第二电极以及镂空设置的透光区。有效降低器件的响应时间，扩大器件的线性动态范围，可以在较低的电压下便具有较好的响应性能，且在一定的电压范围内光电流几乎不发生变化。
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公开(公告)号：CN118173610A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410161085.5
申请日：2024-02-05
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种二维材料场效应晶体管器件及其制备方法。其中，所述方法包括：该器件栅介质层采用固态质子导体膜；该固态质子导体膜在电场影响下，产生H+质子。本发明通过制备固态质子导体作为栅介质，施加一个电场，固态质子导体膜会通过去质子化的过程提供一个H+质子，在外部电场的驱动下，H+质子会移动到介质/电极界面，并且和界面处的电子产生静电耦合，利用固态质子较大的特殊电容，可以在二维材料层诱导出较大的二维电荷密度，并且在低电压下可以实现高跨导，能够极大的提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN118130413A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410395840.6
申请日：2024-04-02
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及辐射特性探测技术领域，特别涉及一种可用于恶劣环境的激波辐射特性探测系统与解析方法，其中探测系统包括：试验舱、分光子系统、紫外辐射强度标定子系统、紫外图像探测子系统和可见光图像探测子系统；试验舱的内部设有气流喷管和旋转机构；分光子系统设于测量窗口的外侧，包括分光镜、中性分束镜、凸透镜、第一反射镜和第二反射镜，用于构成第一、二和三支路；紫外辐射强度标定子系统包括光纤和光谱仪，连接第一支路的出射端；紫外图像探测子系统包括紫外CCD模块，连接第三支路的出射侧；可见光图像探测子系统包括可见光CCD模块，连接第二支路的出射侧。本发明能够对高温、低压的恶劣环境下所形成的激波进行辐射强度测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242771B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111443699.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 一种光增强碳化硅功率器件导通特性的结构，属于碳化硅功率半导体领域。提供结合碳化硅材料特性，通过顶部栅极挖孔，来实现透光，同时通过在JFET区域的底部进行高掺来实现同种掺杂的耗尽层，从而产生更多光生载流子的一种光增强碳化硅功率器件导通特性的结构。适用于双极型器件IGBT和单极型器件碳化硅MOSFET，由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区/N型掺杂衬底、N型掺杂场终止层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂JFET区、N型低掺杂JFET区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极/漏电极。可应用于600V以上高压领域，采用光增强结构，导通特性好。
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公开(公告)号：CN113471341A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110577770.2
申请日：2021-05-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种基于红光A l I nGaAs量子点的Mi cro‑LED结构及其制备方法。所述Mi cro‑LED结构自下而上依次包括衬底、n型层、多量子阱有源层以及p型层；所述多量子阱有源层包括势阱层；所述势阱层包括A l I nGaAs量子点层。其能够降低侧壁及其边缘处的非辐射复合，有效提高低电流密度下的发光效率；且其发光波长可实现在红光波长范围的调控；且其结构简单，制备工艺简便，易于生产应用。
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公开(公告)号：CN119275092A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411405943.2
申请日：2024-10-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B33/02 , C30B33/00
Abstract: 一种提高SiC外延少数载流子寿命的方法，涉及半导体材料领域。S1、SiC衬底标准清洗后外延生长一层厚10μm以上的外延层；S2、再次标准清洗，在O2气氛下对4H‑SiC外延片高温氧化，在SiC表面形成SiO2氧化层和部分间隙碳原子和碳团簇，NO高温钝化退火；S3、对高温氧化和表面钝化处理的SiC外延片，利用BOE溶液去除其表面氧化层，再次标准清洗；S4、SiC外延片放入高温退火装置，升高温度，降低炉腔压强，在H2气氛下对SiC外延片低压氢气退火；S5、重复S2～S4。高温氧化和低压氢气退火相结合，降低高温氧化所需时间，得到更高少子寿命的外延片，且对N、P型SiC的少数载流子寿命均能有效提高。
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公开(公告)号：CN114242772B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111444358.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 一种类超结光增强IGBT器件，属于功率半导体领域。由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂柱区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极和集电极电极。通过将IGBT的顶部栅极开孔，使得光线可通过这个窗口入射到JFET区，通过向IGBT器件的JFET区进行光照射产生光生载流子以提高器件导通特性，JFET区域和漂移区的电流密度分布更加均匀。照射光波长可为30～1800nm，可应用于高压领域，防止JFET区和漂移区的电流密度过大引发过热而损伤半导体的晶格结构，提高器件使用寿命。
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公开(公告)号：CN114383821A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111665174.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了基于三维成像的微小尺寸LED芯片测试系统，其构成包括压电驱控六轴探针台、马达驱控器、支架、底座、显微相机、信号采集器、光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机；本发明压电驱控六轴台以小步进发生位移，同步结合三维显微成像实现探针与芯片的精准定位，所述三维成像包括正面和截面显微成像，根据观测到的成像可以对探针与芯片的局部接触进行全方位控制；微芯片阵列在不同工作区间的整体出射光强度、光谱分布信息及电学特性，可通过数字源表光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机等测量组件获得，特别是运用机器视觉对图像的深度处理，有效实现了对高密度微LED阵列中单元器件发光均匀性的快速识辨及分析。
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