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公开(公告)号：CN119789623A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411969264.8
申请日：2024-12-30
IPC: H10H20/01 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件。本发明提供的氮化镓器件的形成方法，包括以下步骤：提供待刻蚀基体；待刻蚀基体至少包括层叠设置的：衬底层、第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；干法刻蚀待刻蚀基体；在刻蚀气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，在待刻蚀基体形成刻蚀槽，使待刻蚀基体形成初步刻蚀器件；其中化学腐蚀与物理轰击共同作用；损伤修复；在修复气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，使初步刻蚀器件形成目标刻蚀器件。其中化学腐蚀起主导作用。本发明可以解决干法刻蚀氮化镓器件会对产品结构侧壁造成损伤，加重侧壁缺陷，导致非辐射复合几率变大的问题。
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公开(公告)号：CN115249725B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211043484.9
申请日：2022-08-29
IPC: H10H29/30 , H10H29/01 , H10H29/49 , H10H20/816
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制备方法，制备方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧有若干间隔的Mi cro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免M i cro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。
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公开(公告)号：CN118919624A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410977433.6
申请日：2024-07-19
Abstract: 本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种发光器件及制备方法，该发光器件包括衬底层、缓冲层、多孔化结构及发光结构层，缓冲层位于衬底层一侧表面，缓冲层上具有目标区域；多孔化结构嵌于目标区域内，多孔化结构包括氮化镓柱，且氮化镓柱具有纳米孔；发光结构层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光结构层包括第一掺杂半导体层、发光层及第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层位于氮化镓柱背离衬底层的一侧表面，发光层位于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间，第一掺杂半导体层的导电类型和第二掺杂半导体层的导电类型相反。本发明减少了大面积多孔化造成的孔径不均匀的情况，进而减少了应力弛豫程度不均匀的情况。
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公开(公告)号：CN118073497A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410396770.6
申请日：2024-04-02
Abstract: 本发明提供一种Mi cro‑LED芯片及其制备方法。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本发明提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。
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公开(公告)号：CN117276436A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311222695.3
申请日：2023-09-20
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制备方法。LED芯片包括：层叠的半导体衬底层、半导体缓冲层以及N型GaN层，N型GaN层远离所述半导体衬底层一侧的部分厚度中具有多孔GaN区域，多孔GaN区域具有若干孔；N型InGaN六棱锥层，阵列排布于多孔GaN区域上。本发明提供的LED芯片可以在多孔GaN区域上得到有更多In含量(超过20％)的N型InGaN六棱锥层阵列，进而得到高In含量的InGaN量子阱层，使InGaN量子阱层中In含量在25～35％，从而实现良好的红光LED。
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公开(公告)号：CN119789640A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411975840.X
申请日：2024-12-30
IPC: H10H20/84 , H10H20/81 , H10H20/819 , H10H20/01
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造领域。具体涉及一种微型发光二极管器件及其制造方法。微型发光二极管器件包括：衬底基板；位于衬底基板上的N型GaN层；N型GaN层表面划分有P型电极区和N型电极区；位于N型GaN层上的发光层；位于发光层上的P型GaN层；绝缘隔离槽，位于P型电极区和N型电极区之间，将发光层和P型GaN层位于P型电极区的部分和位于N型电极区的部分隔离；绝缘间隔层；绝缘间隔层包覆发光层和P型GaN层；其中，绝缘间隔层位于P型电极区的部分与位于N型电极区的部分高度相等。本发明的微型发光二极管器件可有效解决从制造基板转移至驱动基板的过程中，转移后的器件容易发生破裂损坏，良率不理想的问题。
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公开(公告)号：CN117790486A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311824530.3
申请日：2023-12-27
IPC: H01L25/075 , H01L33/32 , H01L33/12 , H01L33/48 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种Micro‑LED芯片封装结构及其制备方法，Micro‑LED芯片封装结构包括：封装基底，封装基底上设置红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片，红光Micro‑LED芯片的发光层、绿光Micro‑LED芯片的发光层和蓝光Micro‑LED芯片的发光层均包括InxGa(1‑X)N层；不同颜色Micro‑LED芯片中InxGa(1‑X)N层中x的取值相同。在具有同一外延结构的基础上，通过调整红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片的面积尺寸或电流大小，即可实现白色Micro‑LED光源，工艺简单。
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公开(公告)号：CN117577750A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311812460.X
申请日：2023-12-26
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层，位于所述衬底层的一侧表面；发光柱，位于部分所述GaN缓冲层背离所述衬底层的一侧，所述发光柱包括具有纳米孔的N型GaN柱以及位于所述N型GaN柱表面的I nGaN/GaN发光量子点柱；P型GaN层，位于所述发光柱的表面。所述LED芯片结构的发光效率高。
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公开(公告)号：CN116344718A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310243681.3
申请日：2023-03-14
Abstract: 本发明涉及显示面板技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。显示面板包括：电路板；位于电路板的一侧表面的倒装发光芯片阵列，倒装发光芯片阵列包括阵列排布的若干倒装发光芯片；位于倒装发光芯片阵列背离电路板的一侧的透镜阵列，透镜阵列包括阵列排布的若干凹透镜，凹透镜与倒装发光芯片相对设置，凹透镜的凹陷区朝向倒装发光芯片，倒装发光芯片在电路板的正投影位于凹陷区在电路板的正投影内。倒装发光芯片发出的光照射到凹透镜的折射面从而发生收敛，减小了Micro‑LED芯片发出的光的角度范围，不仅降低了显示面板中不同颜色的串扰程度，还提高了该Micro‑LED芯片所对应的显示区域的亮度，提高了显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN115274942B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210922999.X
申请日：2022-08-02
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板和临时基板，临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片；在微型倒装芯片的第二电连接件背离临时基板的一侧表面形成第一键合件，第一键合件的材料为导电胶；将若干微型倒装芯片转移至驱动基板上，且第一键合件连接微型倒装芯片的第二电连接件与驱动基板的第一电连接件；对若干微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在驱动基板上的坏点位置；激光照射位于坏点位置的第一键合件，移除不良芯片。上述方法不仅能够保证微型倒装芯片与驱动基板的稳定键合，还能在避免第一电连接件受到激光辐照的损伤，使原键合焊点可继续使用，且具有较高的不良芯片去除效率。
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