公开(公告)号：CN117747727A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311768650.6

申请日：2023-12-19

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  赵政仰 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了Micro‑LED发光器件及其制备方法。Micro‑LED发光器件包括：层叠的半导体衬底层、N型半导体层，还包括：发光量子阱层，位于N型半导体层远离半导体衬底层的一侧表面；p型半导体层，位于发光量子阱层远离半导体衬底层的一侧；第一电极；位于所述p型半导体层远离所述半导体衬底层的一侧；第二电极；位于所述p型半导体层远离所述半导体衬底层的一侧；所述第一电极和所述第二电极间隔设置；第三电极，位于所述半导体衬底层远离所述N型半导体层的一侧表面。本发明提供的Micro‑LED发光器件一方面生产成本低，且为后续工艺提供较大窗口；另一方面Micro‑LED发光器件的发光效率高，且功率损耗低。

公开(公告)号：CN118136754A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311755494.X

申请日：2023-12-19

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  赵政仰 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了Micro‑LED发光器件及其制备方法。Micro‑LED发光器件包括：层叠的半导体衬底层、N型半导体层；发光量子阱层，位于N型半导体层远离半导体衬底层的一侧表面；p型半导体层，位于发光量子阱层远离半导体衬底层的一侧；p型半导体层包括本征p型半导体层和掺杂p型半导体层，掺杂p型半导体层的电阻值高于本征p型半导体层；第一电极；位于掺杂p型半导体层一侧的本征p型半导体层远离半导体衬底层的一侧；第二电极；位于掺杂p型半导体层另一侧的本征p型半导体层远离半导体衬底层的一侧。本发明提供的Micro‑LED发光器件的发光效率高，且生产成本低，为后续工艺提供较大窗口。