-
公开(公告)号：CN119789640A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411975840.X
申请日：2024-12-30
IPC: H10H20/84 , H10H20/81 , H10H20/819 , H10H20/01
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造领域。具体涉及一种微型发光二极管器件及其制造方法。微型发光二极管器件包括：衬底基板；位于衬底基板上的N型GaN层；N型GaN层表面划分有P型电极区和N型电极区；位于N型GaN层上的发光层；位于发光层上的P型GaN层；绝缘隔离槽，位于P型电极区和N型电极区之间，将发光层和P型GaN层位于P型电极区的部分和位于N型电极区的部分隔离；绝缘间隔层；绝缘间隔层包覆发光层和P型GaN层；其中，绝缘间隔层位于P型电极区的部分与位于N型电极区的部分高度相等。本发明的微型发光二极管器件可有效解决从制造基板转移至驱动基板的过程中，转移后的器件容易发生破裂损坏，良率不理想的问题。
-
公开(公告)号：CN117790486A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311824530.3
申请日：2023-12-27
IPC: H01L25/075 , H01L33/32 , H01L33/12 , H01L33/48 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种Micro‑LED芯片封装结构及其制备方法，Micro‑LED芯片封装结构包括：封装基底，封装基底上设置红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片，红光Micro‑LED芯片的发光层、绿光Micro‑LED芯片的发光层和蓝光Micro‑LED芯片的发光层均包括InxGa(1‑X)N层；不同颜色Micro‑LED芯片中InxGa(1‑X)N层中x的取值相同。在具有同一外延结构的基础上，通过调整红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片的面积尺寸或电流大小，即可实现白色Micro‑LED光源，工艺简单。
-
公开(公告)号：CN117577750A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311812460.X
申请日：2023-12-26
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层，位于所述衬底层的一侧表面；发光柱，位于部分所述GaN缓冲层背离所述衬底层的一侧，所述发光柱包括具有纳米孔的N型GaN柱以及位于所述N型GaN柱表面的I nGaN/GaN发光量子点柱；P型GaN层，位于所述发光柱的表面。所述LED芯片结构的发光效率高。
-
公开(公告)号：CN116344718A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310243681.3
申请日：2023-03-14
Abstract: 本发明涉及显示面板技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。显示面板包括：电路板；位于电路板的一侧表面的倒装发光芯片阵列，倒装发光芯片阵列包括阵列排布的若干倒装发光芯片；位于倒装发光芯片阵列背离电路板的一侧的透镜阵列，透镜阵列包括阵列排布的若干凹透镜，凹透镜与倒装发光芯片相对设置，凹透镜的凹陷区朝向倒装发光芯片，倒装发光芯片在电路板的正投影位于凹陷区在电路板的正投影内。倒装发光芯片发出的光照射到凹透镜的折射面从而发生收敛，减小了Micro‑LED芯片发出的光的角度范围，不仅降低了显示面板中不同颜色的串扰程度，还提高了该Micro‑LED芯片所对应的显示区域的亮度，提高了显示面板的显示效果。
-
公开(公告)号：CN115274942B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210922999.X
申请日：2022-08-02
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板和临时基板，临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片；在微型倒装芯片的第二电连接件背离临时基板的一侧表面形成第一键合件，第一键合件的材料为导电胶；将若干微型倒装芯片转移至驱动基板上，且第一键合件连接微型倒装芯片的第二电连接件与驱动基板的第一电连接件；对若干微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在驱动基板上的坏点位置；激光照射位于坏点位置的第一键合件，移除不良芯片。上述方法不仅能够保证微型倒装芯片与驱动基板的稳定键合，还能在避免第一电连接件受到激光辐照的损伤，使原键合焊点可继续使用，且具有较高的不良芯片去除效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116053383A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310082604.4
申请日：2023-01-30
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法，其中，Micro‑LED芯片包括：衬底层；N型半导体层，位于所述衬底层一侧表面；有源层，位于部分所述N型半导体层背离所述衬底层的一侧表面；P型半导体层，位于所述有源层背离所述N型半导体层的一侧表面；氢钝化层，覆盖所述P型半导体层的侧壁和所述有源层的侧壁。所述Micro‑LED芯片的发光效率高且可以避免漏电流的产生。
-
公开(公告)号：CN115274942A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210922999.X
申请日：2022-08-02
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板和临时基板，临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片；在微型倒装芯片的第二电连接件背离临时基板的一侧表面形成第一键合件，第一键合件的材料为导电胶；将若干微型倒装芯片转移至驱动基板上，且第一键合件连接微型倒装芯片的第二电连接件与驱动基板的第一电连接件；对若干微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在驱动基板上的坏点位置；激光照射位于坏点位置的第一键合件，移除不良芯片。上述方法不仅能够保证微型倒装芯片与驱动基板的稳定键合，还能在避免第一电连接件受到激光辐照的损伤，使原键合焊点可继续使用，且具有较高的不良芯片去除效率。
-
公开(公告)号：CN119767869A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411985256.2
申请日：2024-12-31
IPC: H10F77/20 , H10F71/00 , H10F30/222 , H10F30/28
Abstract: 本发明涉及半导体结构技术领域，公开了一种可调谐双波段紫外光电探测器及其制备方法，可调谐双波段紫外光电探测器包括衬底；缓冲氮化镓层，位于衬底的一侧表面；P型氮化镓层，位于缓冲氮化镓层背向衬底一侧的表面；氧化镓层，位于P型氮化镓层背向缓冲氮化镓层的一侧表面；第二电极，位于氧化镓层的侧部的P型氮化镓层表面；第二电极与P型氮化镓层形成电接触；叉指电极，位于氧化镓层背向P型氮化镓层的一侧表面；叉指电极包括第一电极和第三电极，第一电极和第三电极分别与氧化镓层形成电接触。与相关技术相比，本发明可以在单个光电探测器上实现可调谐的双波段紫外光探测，提高探测效率，扩宽器件的应用场景。
-
公开(公告)号：CN119092609A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411266439.9
申请日：2024-09-10
Abstract: 本发明涉及一种抗静电的LED器件及其制备方法。器件结构依次包括：衬底层；第一半导体层；第一应力释放层；第二应力释放层；有源层；第二半导体层；电极层；还包括：第一抗静电层，位于所述第一应力释放层和第二应力释放层之间，所述第一抗静电层为n型掺杂GaN层；其中，第一半导体层和第二半导体层是导电类型相反的半导体层；第一抗静电层的硅掺杂浓度与第一应力释放层的硅掺杂浓度不同，第一抗静电层的硅掺杂浓度与第二应力释放层的硅掺杂浓度不同。本发明提供的抗静电的LED器件能有效提高LED器件的抗静电能力和电学性能，进而提高器件在各种应用中的可靠性和寿命。
-
公开(公告)号：CN118136754A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311755494.X
申请日：2023-12-19
Abstract: 本发明提供了Micro‑LED发光器件及其制备方法。Micro‑LED发光器件包括：层叠的半导体衬底层、N型半导体层；发光量子阱层，位于N型半导体层远离半导体衬底层的一侧表面；p型半导体层，位于发光量子阱层远离半导体衬底层的一侧；p型半导体层包括本征p型半导体层和掺杂p型半导体层，掺杂p型半导体层的电阻值高于本征p型半导体层；第一电极；位于掺杂p型半导体层一侧的本征p型半导体层远离半导体衬底层的一侧；第二电极；位于掺杂p型半导体层另一侧的本征p型半导体层远离半导体衬底层的一侧。本发明提供的Micro‑LED发光器件的发光效率高，且生产成本低，为后续工艺提供较大窗口。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.046 seconds)
