公开(公告)号：CN119092609A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411266439.9

申请日：2024-09-10

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 毕朝霞 ,  刘春煜 ,  黄凯 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及一种抗静电的LED器件及其制备方法。器件结构依次包括：衬底层；第一半导体层；第一应力释放层；第二应力释放层；有源层；第二半导体层；电极层；还包括：第一抗静电层，位于所述第一应力释放层和第二应力释放层之间，所述第一抗静电层为n型掺杂GaN层；其中，第一半导体层和第二半导体层是导电类型相反的半导体层；第一抗静电层的硅掺杂浓度与第一应力释放层的硅掺杂浓度不同，第一抗静电层的硅掺杂浓度与第二应力释放层的硅掺杂浓度不同。本发明提供的抗静电的LED器件能有效提高LED器件的抗静电能力和电学性能，进而提高器件在各种应用中的可靠性和寿命。

公开(公告)号：CN117790486A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311824530.3

申请日：2023-12-27

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 刘春煜 ,  毕朝霞 ,  卢卫芳 ,  黄凯 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/12 ,  H01L33/48 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明提供了一种Micro‑LED芯片封装结构及其制备方法，Micro‑LED芯片封装结构包括：封装基底，封装基底上设置红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片，红光Micro‑LED芯片的发光层、绿光Micro‑LED芯片的发光层和蓝光Micro‑LED芯片的发光层均包括InxGa(1‑X)N层；不同颜色Micro‑LED芯片中InxGa(1‑X)N层中x的取值相同。在具有同一外延结构的基础上，通过调整红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片的面积尺寸或电流大小，即可实现白色Micro‑LED光源，工艺简单。

公开(公告)号：CN119153602A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411259249.4

申请日：2024-09-09

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  吴莉莉 ,  毕朝霞 ,  李冠錡 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及交流驱动的LED器件及其制备方法。交流驱动的LED器件包括：衬底层；第一半导体层，位于衬底层表面，第一半导体层包括平面部分和凸起部分，凸起部位于平面部分背向衬底层一侧的表面；有源层，位于第一半导体层的凸起部分背向衬底层一侧的表面；第二半导体层，位于有源层背向第一半导体层一侧的表面，第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反；第一半导体层的凸起部分、有源层和第二半导体层构成LED器件的外延层；钝化层，位于第二半导体层背向有源层一侧的表面，且包覆外延层的侧部；侧部电极，位于钝化层背向外延层侧部的表面。本发明提供的交流驱动的LED器件能有效降低器件在交流驱动下的开启电压，同时提高注入电流，提高器件发光亮度。