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公开(公告)号：CN115183202A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210851963.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种漫反射式激光照明装置，包括激光照明模块、入射激光光源和反射层；激光照明模块设有激光照明模块内环和激光照明模块外环，激光照明模块内环为混有漫反射颗粒的漫反射层，激光照明模块外环为混有漫反射颗粒和荧光粉颗粒的荧光粉层；入射激光光源设于激光照明模块内环底部，反射层设于激光照明模块的顶部；部分激光光束进入激光照明模块内环漫反射改变光束方向后进入激光照明模块外环；部分激光至反射层反射后经漫反射进入激光照明模块外环；激光进入激光照明模块外环，部分激光照射至荧光粉颗粒完成转换，部分激光不能被充分吸收转换，照射至漫反射颗粒再次无规则地改变光束方向，所有光线从激光照明模块外环侧壁射出，最终实现均匀照明。
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公开(公告)号：CN113451464B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110692043.0
申请日：2021-06-22
Applicant: 厦门大学 , 福建中晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，氮化镓基谐振腔发光二极管包括依序层叠设置的支撑基板、高对比度光栅、有源区、N型层，N型层远离有源区的端面上还设置有第一反射镜和N电极；其中，高对比度光栅由P型层和透明导电层组成，P型层的一端面与有源区贴合，P型层的另一端面上经刻蚀形成非平整的光栅结构，透明导电层设置在P型层的光栅结构间隙和表面；本方案直接使用部分P型层及透明导电层作为高对比度光栅结构以替代传统的底部反射镜结构，不仅减小了器件串联电阻，降低吸收损耗，还提高了输出光质量，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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公开(公告)号：CN114276024A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111519381.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种高显色复合荧光玻璃及其制备方法，所述高显色复合荧光玻璃包括PiG层和红色荧光粉层。所述高显色复合荧光玻璃的制备方法为：根据低熔点玻璃配方称取一定量的原料，混合均匀后放入坩埚，熔制0.1‑4h，将熔融的玻璃液进行水淬，经干燥、研磨、过筛后获得基质玻璃粉；按所需质量配比将基质玻璃粉与商业绿色或黄色荧光粉混合后放入坩埚，熔制0.1‑4h，将熔体倒入加热至一定温度的模具中，该模具内已预先铺好一层红色荧光粉，待坩埚中的熔体完全流入模具后，迅速盖紧模具，继续保温0.1‑1h，待其自然冷却至室温，经退火处理得到复合荧光玻璃材料。本发明的制备方法适用于不同体系的基质玻璃与多种荧光粉的复合，适用领域广泛且易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN112510127B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011515819.3
申请日：2020-12-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种悬浮LED器件及其制造方法，包括衬底、半导体外延层阵列、反射层及电极；半导体外延层阵列包括多个半导体外延层，衬底上设有凸起的支撑柱阵列，支撑柱阵列包括多个支撑柱；支撑柱及衬底都由导电材料制成；半导体外延层的第一面与支撑柱的上表面连接，支撑柱的上表面面积小于半导体外延层的第一面面积，反射层覆盖于衬底的上表面及支撑柱的侧面上；半导体外延层的第二面与电极连接。这种悬浮LED器件将发光二极管的半导体外延层通过支撑柱支撑起，形成了悬浮的结构，由于半导体外延层与支撑柱的接触面积较小，半导体外延层内应力得以释放，因此有源区内量子斯塔克效应能被有效抑制，器件发光效率能得到显著提高。
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公开(公告)号：CN113206446A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110485561.5
申请日：2021-04-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法，激光器包括依序层叠设置的支撑基板、第一反射镜、电流限制层、p型层、有源区、n型层、第二反射镜以及n电极；其中，第一反射镜、第二反射镜分别由p型、n型导电性氧化物DBR构成；本发明使用具有导电性的氧化物材料制作分布式布拉格反射镜，作为氮化物垂直腔面发射激光器的反射镜，具有优良的导电性能，能够同时作为激光器电极使用，同时，本发明激光器结构中不需要使用透明电流扩展层以及腔内接触电极结构，从而显著地简化了激光器结构以及制备工艺；本方案制作方法与标准半导体制备工艺兼容，可以满足大规模光电器件制备与集成的需要，有着广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110265864B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910608744.4
申请日：2019-07-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明公开了一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，采用光刻和图形化电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；使用胶键合技术将样品转移到临时基板上；采用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬底，同时达到分离器件的目的；去除缓冲层、u‑GaN层以及一部分n‑GaN层；制作n金属电极和顶部介质膜DBR；去除临时基板，得到分立的GaN基垂直腔面发射激光器。本发明不仅有效改善了器件的散热性能，而且避免了金属切割带来的金属卷边和器件短路的问题，简化了器件制备的工艺流程，降低了成本。
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公开(公告)号：CN110139465A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910244125.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明提供了一种大电流PCB板，PCB板本体、高压大电流走线、顶层阻焊层、底层阻焊层、顶层丝印涂层、底层丝印涂层；高压大电流走线设置于所述PCB板本体上；高压大电流走线之间设置有安规绝缘距离；顶层阻焊层完全包覆PCB板本体设置有高压大电流走线的一面，并完全包覆所述高压大电流走线；底层阻焊层完全包覆PCB板本体背向高压大电流走线的一面；顶层丝印涂层完全包覆顶层阻焊层背向PCB板本体的一面；底层丝印涂层完全包覆所述底层阻焊层背向所述PCB板本体的一面；所述顶层丝印涂层及底层丝印涂层均具有一定厚度。应用本技术方案可实现既保证PCB板性能又控制了PCB板的制作成本。
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公开(公告)号：CN103325894B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310278517.2
申请日：2013-07-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n型金属接触层、p型金属接触层和顶部介质膜DBR，再与临时基底键合在一起，然后采用激光剥离技术去除蓝宝石基底；对激光剥离后的GaN表面进行研磨抛光，在抛光后的GaN表面上生长底部的介质膜DBR，再与一个永久基底键合在一起，并去除临时基底，完成电注入高性能GaN基谐振腔的制作。采用两个高质量的介质膜DBR和损耗较小的p型电流扩展层ITO，实现高性能GaN基谐振腔。
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公开(公告)号：CN110808508B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201911029296.9
申请日：2019-10-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种单体全球充转换器，包括外壳、自适应插头、USB接口电源。所述自适应插头，分为固定插销和自适应伸缩插销，所述固定插销用于定位插头插座对接，自适应伸缩插销用于弹性的配各种插座的尺寸大小；所述外壳顶盖设有通用型插座口，可以兼容各国插头标准。该产品的插接方式操作简单方便，结构紧密，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN117498146A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311195683.6
申请日：2023-09-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。其中，所述发射激光器从上至下依序包括曲面介质膜DBR、谐振腔层、平面介质膜DBR，还包括：平面衬底，该平面衬底设置于平面介质膜DBR远离谐振腔层一侧；该平面衬底用于支撑所述氮化镓基垂直腔面发射激光器，且该平面衬底的热导率≥100Wm/K，厚度范围为10‑500μm。在传统的大腔长曲面介质膜DBR结构氮化镓基垂直腔面发射激光器中引入平面衬底，避免传统曲面介质膜DBR垂直腔面发射激光器中较薄的自支撑外延层易碎的工艺难题，进一步改善器件散热。平面衬底为具有高热导率的平面结构，相比曲面结构，与其他光学元件以及系统集成具有更好的机械稳定性，同时高热导率特性有助于改善器件的散热特性。
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