一种多功能几何光学演示仪

    公开(公告)号:CN110364063A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910667829.X

    申请日:2019-07-23

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明提出一种多功能几何光学演示仪,其包括一个长方形水槽、两个马蹄形的透明容器、一个长方形支架、三只激光笔、一个激光电源、一个长方形挡板、一台烟雾机;在长方体水槽内放置两个马蹄形的透明容器;两个马蹄形容器分别放置在长方体水槽内两端,且其凸起半圆形部分相对,马蹄形透明容器放置在长方体水槽内不同的介质中;在长方体水槽前外侧放置一长方形支架;长方形支架上有三个等间距的圆孔,其支架上可插入三只激光笔,激光笔分别同时连接激光电源;长方形水槽上方放置一透明挡板,所述烟雾机产生充当光的传播介质的烟雾。本发明能够同时允许多人参与演示几何光学有关的实验,具有较强的互动性、趣味性。

    一种外延取向铌酸锂薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN109913813A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910236425.5

    申请日:2019-03-26

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明属于铁电薄膜制备及其应用领域。铌酸锂靶材在高能脉冲激光的作用下形成等离子态余晖,之后沉积到衬底上形成薄膜,该方法制备的薄膜厚度均匀、致密性好,但容易出现复杂多晶的问题,限制了其在纳米铁电畴、片上集成光学等领域的应用。本发明公布一种基于脉冲激光沉积法结合两步控制氧气压制备良好外延取向铌酸锂薄膜的技术方法。薄膜沉积过程中,首先控制较高氧气压抑制其非特征晶向生长,然后控制较低氧气压促进其特征晶向择优生长。该方法解决了薄膜出现复杂多晶的问题,操作简捷、易于制备纳米级高质量外延取向铌酸锂薄膜。所制备薄膜可应用于制备波导、微腔、电光调制器等功能器件。

    一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体

    公开(公告)号:CN106929917A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710280810.0

    申请日:2017-04-25

    CPC classification number: C30B29/30 C30B15/00 G02F1/3551

    Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体领域,特别是涉及一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体。所述的双掺铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2和MgO制成,其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.88~0.94∶1,ZrO2的掺入量按摩尔百分比计为1.1~1.9mol%,MgO的掺入量按摩尔百分比计为3.0~6.0mol%。本发明解决了现有掺镁铌酸锂晶体存在高的90°相位匹配温度(大于100℃)和窄的匹配温度半宽度(小于0.5℃)的问题。本发明提供的双掺铌酸锂晶体的90°相位匹配温度低至25.1℃,匹配温度半宽度达到1.2℃,不需要使用加热炉和精密温度控制部件,在室温条件下即可实现90°相位匹配,同时具有突出的抗光折变能力,比同成分掺镁(5.0mol%)铌酸锂晶体提高了2个数量级,可应用于激光倍频、光参量振荡、调Q开关和光波导等领域。

    一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法

    公开(公告)号:CN106283194A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610766947.2

    申请日:2016-08-29

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明提出了一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法,其目的在于解决现有极化技术在铌酸锂晶体中制备纳米畴结构中存在的技术难题,其适用于铁电晶体纳米畴工程领域中纳米畴结构的制备,尤其适用于Z切向的同成分铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体等。所述制备方法包括步骤:第一步,在铌酸锂晶体中构造畴壁结构;第二步,对该样品进行热处理;第三步,对样品进行二次极化。本技术通过改变热处理温度和热处理时间,可以制备出不同尺寸的纳米畴结构。畴结构的尺寸一般在百纳米量级,深度在百微米量级。利用该技术可以制备百微米长的高质量纳米畴结构。该技术具有操作简单,可以实现批量化、大面积制备纳米畴结构等特点。

    一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN102689927B

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201210203084.X

    申请日:2012-06-19

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法,包括:将碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到富锂多晶粉末A,将A装入耐高温的坩埚下部;把待扩散的缺锂铌酸锂晶体放置在A上,晶体周围裸露的A用铂金片覆盖;再用碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到贫锂多晶粉末B,将B装入坩埚上部;然后将坩埚在高温炉中加热进行扩散处理,扩散温度为1000~1150℃,扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定,扩散温度越高、晶体厚度越小需要的扩散时间越短,反之时间越长。经过扩散处理后,可以获得高质量的近化学计量比铌酸锂晶体。

    一种硫掺杂硅纳米颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN102976326A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210543892.0

    申请日:2012-12-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂硅纳米颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片置于加工腔内,经过飞秒激光在六氟化硫(SF6)气体中辐照硅片制备硫掺杂硅样品和飞秒激光辐照硫掺杂硅样品制备硫掺杂硅纳米颗粒两大步骤,制备出球形粒径范围为1-500nm的硫掺杂硅纳米颗粒,掺杂浓度为1×1019/cm3~1×1021/cm3。本发明能够快速的制备硫掺杂硅纳米颗粒,掺杂浓度高,而且能够通过控制入射激光能量和辐照时间的方法,控制颗粒的粒径和颗粒量。解决了通常制造硅纳米颗粒速度慢、工艺过程复杂、成本高的问题。

    一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN102689928A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210203315.7

    申请日:2012-06-19

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法,包括:将碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到富锂多晶粉末A,将A装入耐高温的坩埚下部;把待扩散的缺锂钽酸锂晶体放置在A上,晶体周围裸露的A用铂金片覆盖;再用碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到贫锂多晶粉末B,将B装入坩埚上部;然后将坩埚在高温炉中进行扩散处理,扩散温度为1300~1500℃,扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定,扩散温度越高、晶体厚度越小扩散时间越短,反之越长。经过扩散处理后,可以获得高质量的近化学计量比钽酸锂晶体。

    基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器

    公开(公告)号:CN102157898B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110064153.9

    申请日:2011-03-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器。其特征在于其结构包括有:泵浦光源、准直透镜、聚焦透镜、斩波器、激光增益介质,其泵浦光源为波长980nm的红外激光器;其激光增益介质为掺铒铌酸锂多孔材料,利用其上转换特性及光子局域化特性可将980nm的激发光转化为绿光随机激光输出。本发明克服了现有光泵浦随机激光器发光波长无法覆盖至绿光波段以及使用成本偏高的问题,具有能够发射上转换绿光随机激光、使用成本低的优点。

    基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器

    公开(公告)号:CN102157898A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110064153.9

    申请日:2011-03-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器。其特征在于其结构包括有:泵浦光源、准直透镜、聚焦透镜、斩波器、激光增益介质,其泵浦光源为波长980nm的红外激光器;其激光增益介质为掺铒铌酸锂多孔材料,利用其上转换特性及光子局域化特性可将980nm的激发光转化为绿光随机激光输出。本发明克服了现有光泵浦随机激光器发光波长无法覆盖至绿光波段以及使用成本偏高的问题,具有能够发射上转换绿光随机激光、使用成本低的优点。

    掺锡铌酸锂晶体
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101550598A

    公开(公告)日:2009-10-07

    申请号:CN200910068819.0

    申请日:2009-05-13

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体,在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+,所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1~6.0mol%(摩尔百分比),且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93~1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低,抗光折变能力较强,且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级,比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级,因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料,可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用,具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。

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