公开(公告)号：CN101550598B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200910068819.0

申请日：2009-05-13

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘士国 ,  孔勇发 ,  王利忠 ,  许京军 ,  陈绍林 ,  黄自恒 ,  张玲

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+，所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。

公开(公告)号：CN101550598A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910068819.0

申请日：2009-05-13

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘士国 ,  孔勇发 ,  王利忠 ,  许京军 ,  陈绍林 ,  黄自恒 ,  张玲

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/04

Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+，所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。