一种基于稠环石墨烯纳米带及制备方法

    公开(公告)号:CN110204691B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN201910525833.2

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于稠环石墨烯纳米带及制备方法,所述制备方法为:等摩尔量化合物A与化合物B发生Suzuki反应,得聚合物C;聚合物C加入无水三氯化铁的硝基甲烷溶液,发生关环反应,制得石墨烯纳米带;化合物A为双溴代、双碘代或双三氟甲磺酸酯的并五苯衍生物,化合物B为双硼酸和双硼酸酯萘、芘或苝中的一种。本发明采用先合成具有特定关环位点的可溶性共轭聚合物,再氧化脱氢反应关环,制得可溶规整石墨烯纳米带,引入了适当增加溶解性的柔性烷基链,改善了材料的稳定性、溶解性和加工性能。其制备方法简单易行、产率高、结构可控且可设计、易于分离纯化,在有机半导体器件、生物传感等多领域具有广泛的应用前景。

    一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用

    公开(公告)号:CN108484885B

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN201810299092.6

    申请日:2018-04-04

    Abstract: 本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用,共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中,有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底,在所述衬底的上表面设置有栅电极,在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层,在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层,所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域,在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能,获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。

    一类基于噻吩并芳基吲哚单元的共轭聚合物半导体材料、制备及其高效聚合物太阳电池应用

    公开(公告)号:CN105175691B

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201510593395.5

    申请日:2015-09-17

    Abstract: 本发明公开了一类基于噻吩并芳基吲哚单元的共轭聚合物半导体材料、制备方法及其有机聚合物太阳电池器件应用。其结构如通式(I)所示:其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基及取代杂环芳基;R可以是直链烷基或支链烷基;E表示碳原子、氮原子、硅原子等;A表示缺电子的受体单元,一般为缺电子共轭芳香基团。本发明所及的半导体材料具有良好的溶解性、热稳定性和成膜性,较高的迁移率以及高达5.83%的聚合物太阳电池光电转换效率;本发明提供的制备方法所获得的噻吩并芳基吲哚共轭单元及其衍生材料有望在有机太阳能电池、有机场效应晶体管等光电半导体器件领域获得广泛应用。

    一种苝酰亚胺稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108558881A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810554675.9

    申请日:2018-05-31

    Abstract: 本发明揭示了一种苝酰亚胺稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法及应用,本发明高度扭曲多环芳烃分子可以通过Suzuki偶联反应和光催化氧化脱氢反应或是Scholl氧化脱氢反应合成。本发明通过对苝酰亚胺衍生物稠合形成多环芳烃、引入分子内刚性位阻方法实现多环芳烃分子的高度扭曲,能够有效抑制在溶液、固态薄膜中苝酰亚胺衍生物常见聚集而引起的荧光效率降低等问题;合成方法简单易行、合成产率高、结构可控、易于分离;相关材料能够在有机半导体器件、生物传感等多领域获得全新且广泛的应用前景。

    一种基于多环芳烃的共轭聚合物及其应用

    公开(公告)号:CN108484885A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810299092.6

    申请日:2018-04-04

    Abstract: 本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物及其应用,共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中,有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底,在所述衬底的上表面设置有栅电极,在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层,在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层,所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域,在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能,获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。

Patent Agency Ranking