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公开(公告)号：CN114335213A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111359465.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L21/027 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种在绝缘衬底上制备高精度、大面积纳米结构的方法，在旋涂的电子束胶层与即将用于制备成微纳结构的薄膜层之间引入一层或多层导电层，增大电子束曝光过程中高能电子的释放速率，减小局域电场，从而有效避免大量电荷累积在绝缘衬底表面，为后续进一步制备出具有小尺寸、高密度以及大面积微纳结构的纳米电子器件奠定了一定的技术基础。
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公开(公告)号：CN113193106A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110435556.3
申请日：2021-04-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/24 , H01L39/08 , H01L31/0352 , H01L31/09 , G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种超导纳米线单光子探测器阵列的设计，在基底上生成纳米薄膜，在纳米薄膜上生成第一电极和网格状的第二电极，第二电极包括行列电极和顶层电极，在网格中生成纳米线单元，组成探测器阵列；本发明将三维工艺转化为二维工艺，降低了工艺难度，保持了超大像素，行列电极分次生长，降低了读出电路的难度，行列电极有隔离层，分辨能力强，纳米线的宽度合适，均匀性好，器件性能优，成品率高。
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公开(公告)号：CN113108902A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110316984.4
申请日：2021-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的可调谐太赫兹探测器，包括第一硅基衬底和第二硅基衬底，所述第一硅基衬底的正面设置天线耦合的六氮五铌薄膜微测热辐射计，背面沉积金层；所述第二硅基衬底背面设置周期排布的口字型超材料阵列，与第一硅基衬底正面相对形成空气腔，通过调节空气腔的长度，实现太赫兹探测器谐振频率的调节。本发明使用超材料，通过仿真设计可以实现特定频率的谐振特性，通过改变空气腔间隔可以调节太赫兹探测器的谐振频率，并且结构简单，制备方便。
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公开(公告)号：CN111721408B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010595694.3
申请日：2020-06-28
Applicant: 南京大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种基于超导纳米线光子探测阵列的电荷积分成像方法，采用超导纳米线单光子探测器作为阵元，组成超导纳米线光子探测阵列，阵元的数量可调整；采用透镜阵列作为光学对位系统，将透射光分成与阵元数量相等的多光束，分别汇聚到超导纳米线探测区域；采用脉冲式激光器探测物体表面，将物体表面反射的不同光脉冲透过透镜阵列，记录每个光子的往返时间；采集各阵元探测的光子数，将阵元作为像元，由阵元的光子数计算像元的灰度值；将像元作为像素点绘制灰度图，由每个光子的往返时间计算物体和像素点的距离，根据灰度图和物像距离重建物体的三维图像。
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公开(公告)号：CN112456434A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011226273.X
申请日：2020-11-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法，在Si和SiO2双层衬底上进行磁控溅射，生长Nb5N6热敏薄膜；在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制天线图形，磁控生长Au薄膜后，剥离出电极；在Nb5N6薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制微桥图形，通过反应离子刻蚀法刻蚀多余的Nb5N6，形成Nb5N6薄膜微桥；在衬底表面旋涂AZ4620光刻胶，通过紫外光刻的方式在微桥两侧形成窗口，通过湿法刻刻蚀掉窗口中的SiO2，通过反应离子分步刻蚀法，先刻蚀掉窗口的部分Si，再横向刻蚀微桥下方，形成空气腔。本发明提高了工艺的稳定性和太赫兹阵列探测器的良品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111912683A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010761186.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PDMS的块材转移固定方法，具体步骤如下,打开二维转移平台，将平台加热装置温度设置在65度，并使平台的样品台温度维持在65度左右，提前配置好环氧树脂，将清洗干净的放在烘台上95度烘烤2分钟，然后放置在二维转移平台的样品台上，本发明的一种基于PDMS的块材转移固定方法，同时可以使单晶上表面不被环氧树脂覆盖，能够确保与PDMS接触的单晶面不会被环氧树脂覆盖，调节夹片台和样品台的平面的水平位置，使单晶表面与衬底表面平行,在制备电极时侧面固化的环氧树脂，阻挡电极短路单晶的不同层。
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公开(公告)号：CN110455410A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910799322.X
申请日：2019-08-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种阵列谐振式太赫兹接收器及其太赫兹光谱仪装置。该太赫兹光谱仪装置基于阵列谐振式太赫兹接收器接收太赫兹波信号。阵列谐振式太赫兹接收器包括由若干组不同谐振频率的天线阵列。天线阵列由谐振单元按N×M行列排列组成。谐振单元为基于电感电容谐振原理的双开口谐振环结构。天线阵列最中心的谐振单元的双开口谐振环结构的中心部设有超导氮化铌热电子测辐射热计，并由超导氮化铌热电子测辐射热计桥接。实验证明，本发明在检测太赫兹光谱信号时具有很高的灵敏度，并且响应速度快，且易于片上集成，制备工艺简单方便，成本低，系统简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN107564990B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201710621411.6
申请日：2017-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , G01J11/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种双带宽的超导纳米线单光子探测器，包括衬底、第一布拉格反射镜、硅层、二氧化硅层、氮化铌纳米线和第二布拉格反射镜；第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜中均包含有若干个周期的周期性介质层，且第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜所包含的周期数不同；第一布拉格反射镜设置在衬底的上表面，硅层设置在第一布拉格反射镜的上表面，二氧化硅层设置在硅层的上表面，氮化铌纳米线设置在二氧化硅层内部，第二布拉格反射镜设置在二氧化硅层的上表面。本发明的单光子探测器对G652和G655两种单模光纤所对应波段的光子的光子吸收率均超过95%，具有产业应用价值。
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公开(公告)号：CN108535305A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810288730.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01N23/2276
CPC classification number: G01N23/2276
Abstract: 本发明公开了一种基于元素成像对超导纳米线进行均匀性分析的方法，包括以下步骤：制备需要进行均匀性分析的纳米线条样品；对选定区域选定元素进行AES元素成像；将所得元素分布强度信息导入MATLAB；对所得信息进行横向分析，标定纳米线过渡区宽度参数；对所得信息进行纵向分析，标定纳米线边缘粗糙度参数。本发明提出了标定纳米线均匀性的参数，并通过实例说明给出了详细的分析方法，所得均匀性分析结果与实际超导纳米线制备情况相符，为判别超导纳米线质量提供了直观的标准。
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公开(公告)号：CN108169562A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810115424.0
申请日：2018-02-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用微波实时改变机械振子频率的装置，包括：微波源、微波分束器、衰减器、无氧铜腔体、第一级放大器、第二级放大器、矢量网络分析仪、混频器、频谱分析仪和控制电脑，本发明将悬空电容样品作为微机械振子，同时电容的周围存在螺旋电感，螺旋电感与电容共同构成了LC谐振电路。利用微波驱动LC谐振电路形成电磁振荡，同时也会引起电容上极板薄膜的机械振动，这导致了电容上下极板间距离的变化，从而对LC谐振电路的谐振频率产生了调制作用。本发明还公开了一种利用微波实时改变机械振子频率的方法。本发明实现了在低温下通过改变微波的输入功率来调控机械振子的振动频率。
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