公开(公告)号：CN111721408A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010595694.3

申请日：2020-06-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 张蜡宝 ,  印睿 ,  张彪 ,  郭书亚 ,  谭静柔 ,  葛睿 ,  康琳 ,  吴培亨

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明采用超导纳米线单光子探测器(SNSPD)作为阵元，组成超导纳米线光子探测阵列，根据探测需要调整阵元的数量；采用透镜阵列作为光学对位系统，将透射光分成与阵元数量相等的多光束，分别汇聚到超导纳米线探测区域；采用脉冲式激光器探测物体表面，将物体表面反射的不同光脉冲透过透镜阵列，记录每个光子的往返时间；采集各阵元探测的光子数，将阵元作为像元，由阵元的光子数计算像元的灰度值；将像元作为像素点绘制灰度图，由每个光子的往返时间计算物体和像素点的距离，根据灰度图和物像距离重建物体的三维图像。

公开(公告)号：CN111675199A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010417882.7

申请日：2020-05-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 张蜡宝 ,  郭书亚 ,  陈奇 ,  潘丹峰 ,  涂学凑 ,  韩航 ,  贾小氢 ,  赵清源 ,  陈健 ,  康琳 ,  吴培亨

IPC: C01B21/06 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种高深宽比超导氮化铌纳米线及制备方法和应用，采用优化的镀膜技术在衬底表面沉积氮化铌薄膜；在氮化铌薄膜表面旋涂电子束抗刻蚀剂，形成电子束抗刻蚀剂层；采用电子束曝光技术在电子束抗刻蚀剂层上定义氮化铌纳米线图形；采用反应离子刻蚀技术将图形转移到氮化铌薄膜上，得到高深宽比超导氮化铌纳米线。本发明通过将电子束曝光系统和反应离子刻蚀相结合的微纳加工技术，成功制备出了膜厚纳米线，深宽比超过1∶1的超导氮化铌纳米线，可应用与高性能全波段光子探测器和其他相关领域的研究。

公开(公告)号：CN115855281A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211617112.2

申请日：2022-12-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 张蜡宝 ,  季天皓 ,  郭书亚 ,  康琳 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC: G01J11/00 ,  G01T1/16 ,  G01T7/00

Abstract: 本发明公开了可用于超导X射线探测器信号读出的动态偏置抗闩锁电路，包括直流偏置电路、输出级电路和超导氮化铌纳米线探测器器件，共三种抗闩锁电路。通过微纳加工工艺制备深宽比超过1:1的超导氮化铌纳米线，经封装后组成超导芯片，再组装成三种抗闩锁电路：电路1为门控偏置电路，信号发生器为探测器提供门控梯形偏置电压，电路2为前端串联小电阻主动淬灭电路，在Bias‑Tee前端串联10Ω小电阻以控制电路电流，电路3为探测器并联小电阻主动淬灭电路，在纳米线器件两端并联50Ω的小电阻以泄放器件失超电流。本发明可解决X射线探测中光子能量过高带来的器件闩锁问题，实现X射线高时间精度测量，可应用于X射线探测研究领域。

公开(公告)号：CN118032140A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410125572.6

申请日：2024-01-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 张蜡宝 ,  张力扬 ,  郭书亚 ,  谭静柔 ,  陈奇 ,  吴培亨

IPC: G01J11/00 ,  G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  G01J1/00

Abstract: 本发明公开了高时间精度高能射线光子探测器和感光装置及其制备方法，感光装置包括衬底，衬底上设置微米线阵列，微米线阵列包括若干微米线单元，微米线单元包括若干田字形分布且并联的NbN微米线，NbN微米线为若干首尾相连的U形结构，与钛电阻相连；微米线阵列的周向设置若干复合电极，复合电极与微米线单元相连。本发明在一定程度上兼顾了对γ射线探测的探测效率、信噪比、时间精度、计数率，具有较好的综合探测性能，在4.2K以下温度工作综合性能优异；以铅玻璃切伦科夫辐射体作为γ射线吸收体、再耦合至感光模块的间接探测法，解决超导微条材料有效原子序数低而几乎不与γ射线发生作用的问题。

公开(公告)号：CN111675199B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202010417882.7

申请日：2020-05-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 张蜡宝 ,  郭书亚 ,  陈奇 ,  潘丹峰 ,  涂学凑 ,  韩航 ,  贾小氢 ,  赵清源 ,  陈健 ,  康琳 ,  吴培亨

IPC: H10N60/85 ,  H10N60/01 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种高深宽比超导氮化铌纳米线及制备方法和应用，采用优化的镀膜技术在衬底表面沉积氮化铌薄膜；在氮化铌薄膜表面旋涂电子束抗刻蚀剂，形成电子束抗刻蚀剂层；采用电子束曝光技术在电子束抗刻蚀剂层上定义氮化铌纳米线图形；采用反应离子刻蚀技术将图形转移到氮化铌薄膜上，得到高深宽比超导氮化铌纳米线。本发明通过将电子束曝光系统和反应离子刻蚀相结合的微纳加工技术，成功制备出了膜厚纳米线，深宽比超过1∶1的超导氮化铌纳米线，可应用与高性能全波段光子探测器和其他相关领域的研究。

公开(公告)号：CN111721408B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202010595694.3

申请日：2020-06-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 张蜡宝 ,  印睿 ,  张彪 ,  郭书亚 ,  谭静柔 ,  葛睿 ,  康琳 ,  吴培亨

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种基于超导纳米线光子探测阵列的电荷积分成像方法，采用超导纳米线单光子探测器作为阵元，组成超导纳米线光子探测阵列，阵元的数量可调整；采用透镜阵列作为光学对位系统，将透射光分成与阵元数量相等的多光束，分别汇聚到超导纳米线探测区域；采用脉冲式激光器探测物体表面，将物体表面反射的不同光脉冲透过透镜阵列，记录每个光子的往返时间；采集各阵元探测的光子数，将阵元作为像元，由阵元的光子数计算像元的灰度值；将像元作为像素点绘制灰度图，由每个光子的往返时间计算物体和像素点的距离，根据灰度图和物像距离重建物体的三维图像。