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公开(公告)号：CN116314322A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310312054.0
申请日：2023-03-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种极化调控的超低亚阈值斜率增强型铁电栅GaN基HEMT器件及其制备方法。该器件利用刻槽+沉积铁电薄膜的方法获得多片鳍形铁电栅。利用铁电极化耗尽沟道二维电子气，实现增强型器件。此外，由于铁电薄膜的负电容效应，器件有超低的亚阈值斜率。鳍形铁电栅可以增大阈值电压的调控范围、减小栅极漏电流、降低亚阈值斜率，最终实现高阈值电压、高开关速度和低功耗的器件。最后，多沟道可以保证大的输出电流。
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公开(公告)号：CN115290869A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210894405.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: G01N33/483 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于成像芯片表面的微电极阵列及制作工艺，涉及细胞光学和生理信号探测，包括对细胞级别的生物组织进行成像的商用或专用成像芯片、微电极阵列、引线、触点和表面绝缘阻隔层构成。成像芯片是可对单细胞级别生物组织进行实时光学成像的商用或者专用成像芯片；微电极阵列是基于成像芯片表面、通过后期微加工技术制作的，其具有良好的生物兼容性和电学特性，其阵列规模、微电极尺寸、间隔以及排布方式可以根据需要设置；所述微电极通过引线连接到位于成像芯片四周边缘的触点上，微电极与触点一一对应；引线上覆盖一层表面绝缘阻隔层，以防止溶液引起引线与引线之间的串联。
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公开(公告)号：CN109935614A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910278874.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro-LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro-LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro-LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。
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公开(公告)号：CN106087051B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610396031.2
申请日：2016-06-06
Applicant: 南京大学
Abstract: AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备：采用固态或液态碳氢化合物为碳源，控制挥发量，通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面，利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳源：固态烃类化合物或烃类的衍生物；通过对固体碳源加热，控制碳源挥发量；或碳氢化合物采用液体碳源：液态烃类化合物或烃类衍生物；通过通入惰性气体量的大小，控制液体碳源的挥发量。本发明实现了双层石墨稀的同步生长，得到了高质量晶圆级AB堆垛的双层石墨烯，AB堆垛的双层石墨稀覆盖率可达100%，单晶场效应载流子迁移率高达5300 cm2v‑1s‑1。实验参数控制方便，操作简单，环保高效，很容易扩展到工业大规模卷对卷生产。
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公开(公告)号：CN111675199A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010417882.7
申请日：2020-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高深宽比超导氮化铌纳米线及制备方法和应用，采用优化的镀膜技术在衬底表面沉积氮化铌薄膜；在氮化铌薄膜表面旋涂电子束抗刻蚀剂，形成电子束抗刻蚀剂层；采用电子束曝光技术在电子束抗刻蚀剂层上定义氮化铌纳米线图形；采用反应离子刻蚀技术将图形转移到氮化铌薄膜上，得到高深宽比超导氮化铌纳米线。本发明通过将电子束曝光系统和反应离子刻蚀相结合的微纳加工技术，成功制备出了膜厚纳米线，深宽比超过1∶1的超导氮化铌纳米线，可应用与高性能全波段光子探测器和其他相关领域的研究。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109841710B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910293737.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，将硅基GaN Micro‑LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro‑LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro‑LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro‑LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。
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公开(公告)号：CN111675199B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010417882.7
申请日：2020-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高深宽比超导氮化铌纳米线及制备方法和应用，采用优化的镀膜技术在衬底表面沉积氮化铌薄膜；在氮化铌薄膜表面旋涂电子束抗刻蚀剂，形成电子束抗刻蚀剂层；采用电子束曝光技术在电子束抗刻蚀剂层上定义氮化铌纳米线图形；采用反应离子刻蚀技术将图形转移到氮化铌薄膜上，得到高深宽比超导氮化铌纳米线。本发明通过将电子束曝光系统和反应离子刻蚀相结合的微纳加工技术，成功制备出了膜厚纳米线，深宽比超过1∶1的超导氮化铌纳米线，可应用与高性能全波段光子探测器和其他相关领域的研究。
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公开(公告)号：CN109935614B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910278874.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro‑LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro‑LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro‑LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。
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公开(公告)号：CN109841710A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910293737.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，将硅基GaN Micro-LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro-LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro-LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro-LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。
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公开(公告)号：CN106087051A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610396031.2
申请日：2016-06-06
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B29/02 , C01B2204/04 , C01P2002/82 , C30B25/14 , C30B25/186
Abstract: AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备：采用固态或液态碳氢化合物为碳源，控制挥发量，通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面，利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳源：固态烃类化合物或烃类的衍生物；通过对固体碳源加热，控制碳源挥发量；或碳氢化合物采用液体碳源：液态烃类化合物或烃类衍生物；通过通入惰性气体量的大小，控制液体碳源的挥发量。本发明实现了双层石墨稀的同步生长，得到了高质量晶圆级AB堆垛的双层石墨烯，AB堆垛的双层石墨稀覆盖率可达100%，单晶场效应载流子迁移率高达5300 cm2v‑1s‑1。实验参数控制方便，操作简单，环保高效，很容易扩展到工业大规模卷对卷生产。
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