公开(公告)号：CN114655971A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111655548.6

申请日：2021-12-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 郭学锋 ,  刘健 ,  吕昌昌 ,  王轩 ,  李永婷 ,  王秋月 ,  陈庆亮 ,  梅飞飞 ,  丁鸿志

IPC: C01F5/22 ,  C01F5/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种氢氧化镁纳米管的制备方法，将碱源与镁源通过水热反应生成氢氧化镁，之后通过高温高压处理将氢氧化镁卷曲得到氢氧化镁纳米管。本发明制备氢氧化镁纳米管成本低、效率高，有望实现规模化工业生产。

公开(公告)号：CN110993762B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201911334325.2

申请日：2019-12-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  王轩 ,  许非凡 ,  刘斌 ,  智婷 ,  张荣

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体的Micro‑LED阵列器件，刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式扇形台面结构，p型阵列电极，蒸镀在扇形阵列的p型GaN层上，n型阵列电极，蒸镀在n型GaN层上，且n型阵列电极形成挡墙，将各扇形台面相互隔离。并公开了其制备方法。本发明通过在Micro‑LED扇形台面阵列的发光单元之间增设n型电极所做的挡墙，挡墙宽度仅为6‑10μm，在不显著增加器件尺寸的前提下，有效解决了器件各发光单元之间相互串扰的问题，有利于实现单独控制；利用n型电极金属做挡墙以及采用网状结构的p型电极，增加了电流扩展范围，有效提高了发光效率。

公开(公告)号：CN109935614A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910278874.6

申请日：2019-04-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  蒋迪 ,  余俊驰 ,  王轩 ,  陶涛 ,  潘丹峰 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  陈敦军 ,  修向前 ,  张荣

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro-LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro-LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro-LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。

公开(公告)号：CN114702059A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202111655612.0

申请日：2021-12-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 郭学锋 ,  刘健 ,  吕昌昌 ,  王轩 ,  李永婷 ,  王秋月 ,  刘畅 ,  宋浩宇

IPC: C01G11/00 ,  C01F5/14 ,  C01F5/20 ,  C01F5/22 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种具有复合结构的二元氢氧化物纳米管及其制备方法，二元氢氧化物纳米管为氢氧化镉和氢氧化镁复合的纳米管，纳米管内径在4‑10nm之间，外径为20‑50nm,管长在200nm‑5μm之间。制备方法使用氢氧化镁纳米管为模板，采用离子交换的方法温和制备了氢氧化镉和氢氧化镁复合的二元氢氧化物纳米管。本方法制备简单，容易放大，具有工业化应用前景。

公开(公告)号：CN114702059B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111655612.0

申请日：2021-12-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 郭学锋 ,  刘健 ,  吕昌昌 ,  王轩 ,  李永婷 ,  王秋月 ,  刘畅 ,  宋浩宇

IPC: C01G11/00 ,  C01F5/14 ,  C01F5/20 ,  C01F5/22 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种具有复合结构的二元氢氧化物纳米管及其制备方法，二元氢氧化物纳米管为氢氧化镉和氢氧化镁复合的纳米管，纳米管内径在4‑10nm之间，外径为20‑50nm,管长在200nm‑5μm之间。制备方法使用氢氧化镁纳米管为模板，采用离子交换的方法温和制备了氢氧化镉和氢氧化镁复合的二元氢氧化物纳米管。本方法制备简单，容易放大，具有工业化应用前景。

公开(公告)号：CN109935614B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201910278874.6

申请日：2019-04-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  蒋迪 ,  余俊驰 ,  王轩 ,  陶涛 ,  潘丹峰 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  陈敦军 ,  修向前 ,  张荣

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro‑LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro‑LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro‑LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。

公开(公告)号：CN110993762A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911334325.2

申请日：2019-12-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  王轩 ,  许非凡 ,  刘斌 ,  智婷 ,  张荣

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体的Micro-LED阵列器件，刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式扇形台面结构，p型阵列电极，蒸镀在扇形阵列的p型GaN层上，n型阵列电极，蒸镀在n型GaN层上，且n型阵列电极形成挡墙，将各扇形台面相互隔离。并公开了其制备方法。本发明通过在Micro-LED扇形台面阵列的发光单元之间增设n型电极所做的挡墙，挡墙宽度仅为6-10μm，在不显著增加器件尺寸的前提下，有效解决了器件各发光单元之间相互串扰的问题，有利于实现单独控制；利用n型电极金属做挡墙以及采用网状结构的p型电极，增加了电流扩展范围，有效提高了发光效率。