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公开(公告)号:CN107564990B
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201710621411.6
申请日:2017-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , G01J11/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种双带宽的超导纳米线单光子探测器,包括衬底、第一布拉格反射镜、硅层、二氧化硅层、氮化铌纳米线和第二布拉格反射镜;第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜中均包含有若干个周期的周期性介质层,且第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜所包含的周期数不同;第一布拉格反射镜设置在衬底的上表面,硅层设置在第一布拉格反射镜的上表面,二氧化硅层设置在硅层的上表面,氮化铌纳米线设置在二氧化硅层内部,第二布拉格反射镜设置在二氧化硅层的上表面。本发明的单光子探测器对G652和G655两种单模光纤所对应波段的光子的光子吸收率均超过95%,具有产业应用价值。
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公开(公告)号:CN107564990A
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201710621411.6
申请日:2017-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , G01J11/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种双带宽的超导纳米线单光子探测器,包括衬底、第一布拉格反射镜、硅层、二氧化硅层、氮化铌纳米线和第二布拉格反射镜;第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜中均包含有若干个周期的周期性介质层,且第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜所包含的周期数不同;第一布拉格反射镜设置在衬底的上表面,硅层设置在第一布拉格反射镜的上表面,二氧化硅层设置在硅层的上表面,氮化铌纳米线设置在二氧化硅层内部,第二布拉格反射镜设置在二氧化硅层的上表面。本发明的单光子探测器对G652和G655两种单模光纤所对应波段的光子的光子吸收率均超过95%,具有产业应用价值。
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