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公开(公告)号：CN1140930C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02113005.1
申请日：2002-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于AlxGa1-xN/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法，在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构，然后在AlxGa1-xN上用PLD技术生长PZT铁电薄膜，最后用电子束蒸发技术分别在AlxGa1-xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/AlxGa1-xN界面的高温稳定性，避免了普通的铁电体/Si MFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时，这种结构以AlxGa1-xN/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子，有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。
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公开(公告)号：CN1140915C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02113080.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再进行表面抛光处理，就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点：获得高质量的位错密度的GaN薄膜；可以快速生长大面积GaN厚膜；可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。
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公开(公告)号：CN1388567A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02113083.3
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用溶胶－凝胶(Sol－Gel)法制备p型ZnO薄膜,先制备Ga或N共掺杂的ZnO胶体溶液,在预先清洗好的Si片或其他衬底(石英玻璃、蓝宝石等)上滴加胶体溶液,以旋转衬底的方式使胶体溶液均匀涂覆,然后将薄膜在室温～100℃下放置一段时间再经过240－300℃的热处理,尔后在500～900℃,氨气气氛下热处理1～5小时。溶胶－凝胶法制备薄膜材料具有技术简单,低耗费,易于获得大面积的薄膜等优点。
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公开(公告)号：CN1388537A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02113082.5
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入GaN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可能制备出高居里温度的磁性半导体材料。
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公开(公告)号：CN1384533A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02112514.7
申请日：2002-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/00
Abstract: 改进氢化物气相外延(HVPE)生长GaN材料均匀性的方法和装置,在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN薄膜材料电炉中,将单路金属镓源－HCl－N2管道分成多路金属镓源－HCl－N2管道,改善反应物GaCl－N2的传输均匀性,并将反应物GaCl－N2输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区。两路或多路镓源传输管道使内部气流分布均匀,可以看出改进后沉积的薄膜均匀性也有很大的改善。生长的GaN薄膜面积扩大到5cm×4cm,而厚度均匀的有效薄膜面积可达到4cm×3cm甚至更大。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1381897A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02113005.1
申请日：2002-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于AlxGa1－xN/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法,在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长AlxGa1－xN/GaN调制掺杂异质结构,然后在AlxGa1－xN上用PLD技术生长PZT铁电薄膜,最后用电子束蒸发技术分别在AlxGa1－xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/AlxGa1－xN界面的高温稳定性,避免了普通的铁电体/SiMFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时,这种结构以AlxGa1－xN/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子,有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。
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公开(公告)号：CN1288721C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200310106425.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善薄膜的表面形貌和质量，直接添加至衬底的HCl流量为4-10sccm。与其他的方法相比，不会引入额外的杂质，这是该发明的一大技术特点。此外，将HCl引入生长区，改变了局域的反应平衡，也会改善GaN薄膜的表面形貌和质量。
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公开(公告)号：CN1264200C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200310106426.7
申请日：2003-11-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01F41/22
Abstract: 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源-HCl-N2管道，包括一路金属镓源-HCl-N2管道，并将反应物GaCl-N2均匀输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区，添加一路HCl气体，将金属Mn载入反应区域，使得Mn可以参加到GaN合成反应过程中。通过质量流量计来控制反应中携带Mn的HCl的流量，就可以控制Mn的载入量。本发明可以获得完全的GaMnN和GaN薄膜材料。HVPE生长GaMnN合金薄膜具有生长速率高、可以生长大面积薄膜，反应物中Mn的掺杂量可控等优点。
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