-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100575541C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710176699.7
申请日：2007-11-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用反铁磁材料提高金属磁性多层膜矫顽力的方法，利用磁控溅射仪，在清洗干净的玻璃基片沉积铂Pt/[钴铬CoCr/铂Pt]5/铁锰FeMn/铂Pt多层膜。本发明的优点在于：薄膜的厚度较小，同时又具有良好的垂直磁各向异性和较高的矫顽力，比较适合应用于CoCr合金薄膜的超高密度垂直磁记录。此外，沉积后的薄膜无需进行后退火处理，所以它还具有成本低，制备简单等优点，适用于未来的生产。
-
公开(公告)号：CN101217041A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810056065.2
申请日：2008-01-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用于超高密度垂直磁记录介质的制备方法。利用磁控溅射方法，在加热的MgO(001)单晶基片上沉积[FePt(5～20)/Au(2.5～ 7)]5～10多层膜。基片温度为100～450℃，溅射室本底真空为1×10－5～7× 10－5Pa，溅射时氩气压为0.9～1.6Pa。沉积完毕后，将薄膜降至室温，再放入真空退火炉中进行热处理，退火温度为470～700℃，退火时间为20分钟～4小时，退火炉本底真空度为 2×10－5～7×10－5Pa。所制备出的L10－FePt薄膜具有垂直膜面取向、磁性能优良、颗粒尺寸小于10nm等特点，适合应用于超高密度垂直磁记录介质。本方法还具有成本低，制备简单等优点，适合于工业应用。
-
公开(公告)号：CN101150171A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710177709.9
申请日：2007-11-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料，Ta/NiCo/Ta多层膜中插入FeMn层制得Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜材料，磁电阻传感器元件由Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜结构元件和Au电极层构成，NiCo合金的成分为Ni65Co35，FeMn合金成分为Fe50Mn50，为反铁磁性合金。该方法通过NiCo/FeMn界面产生的交换偏置场来减小磁电阻传感器元件的磁滞。该方法结构及工艺简单，成本低，适于较高磁场使用。
-
公开(公告)号：CN101046394A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710064729.5
申请日：2007-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 一种高精度磁编码器用磁鼓的制备方法，属于磁编码器技术领域。以铝合金为基体，以钴盐、还原剂、络合剂、缓冲剂按比例配成溶液，化学镀法制备Co－P或Co－Ni－P薄膜作为磁鼓的记录介质。薄膜中P含量为5～10％，为晶态，有磁性；膜厚为1～10μm。对用该法制得的磁鼓，可写入1024～2500对N、S磁极。本发明的优点在于：磁性薄膜磁性能优异，制备工艺稳定，实施性强，易于工业化批量生产；制得的磁鼓分辨率高，与各向异性磁电阻薄膜探头结合，可得到高精度的磁旋转编码器。
-
公开(公告)号：CN1648610A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510011202.7
申请日：2005-01-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01D5/12
Abstract: 本发明提供了一种提高磁编码器磁鼓分辨率的方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓后，用精细抛光砂纸抛光磁性层，使磁性涂层减薄至0.1～0.05mm。再用窄漏磁间隙的磁头对磁鼓写入磁极，采用的窄漏磁间隙为0.1～0.05mm漏磁间隙的磁头对磁鼓进行充磁，写入磁极为512对极。本发明的优点在于，工艺精简，易于操作，可写入512对极，脉冲计数完整，输出波形信号良好，元器件性能优异。
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.017 seconds)
