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公开(公告)号：CN1584504A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410009165.1
申请日：2004-06-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用金属薄膜磁电阻探头的磁栅尺位移传感器。其特征在于：磁栅尺位移传感器由敏感元件金属薄膜磁电阻探头(13)和被充磁的磁栅尺带(12)构成，金属薄膜磁电阻探头(13)中的金属薄膜磁电阻(10)与磁栅尺带(12)之间的距离为10微米～10毫米；金属薄膜磁电阻探头(13)由印刷电路板(PCB)衬板(1)、基片层(2)、缓冲层(3)、在基片层(2)上溅射生成磁性金属合金薄膜层(4)、金属导电薄膜层(5)、保护层(6)、金丝压焊引线(7)、镀金电极(8)、挠性电路板引线(9)组成。其优点在于灵敏度高、温度稳定性好，信号处理电路简单。通过合理设计磁阻条的排列与分布达到降低和消除信号输出中的高次谐波仅保留基波，提高位移测量的细分精度。
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公开(公告)号：CN1151314C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN02103673.X
申请日：2002-02-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置，涉及薄膜的制备方法及装置，特别是涉及到利用溅射方法制备薄膜。本发明是在电子能谱仪样品制备室中装有样品基座来制备薄膜，控制样品制备室的本底真空为2×10-7～8×10-7Pa，溅射气压为1×10-4～3×10-4Pa，薄膜沉积速率1～3/分钟，在单晶Si或玻璃基片上依次沉积所要沉积的薄膜，采用此方法所用装置的主要结构是离子枪(6)相对于样品轰击台(5)的对称方位上安置一样品基座(2)，基片(3)被贴在基座(2)下面，并且垂直于基座(2)平面的中心轴线、样品轰击台(5)的中心轴线以及离子枪(6)的中心轴线在同一平面内。本发明不仅可以制备出均匀、性能明显提高的较薄薄膜，而且制备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN1438355A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03119630.6
申请日：2003-03-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及功能材料薄膜的制备，特别是涉及制备磁电阻薄膜。本方法是在清洗干净的玻璃基片上或单晶硅基片上沉积镍铁Ni0.81Fe0.19薄膜，将(Ni0.81Fe0.19)xCr1－x层作为种子层，x值介于0.13～0.53之间；沉积的顺序依次是1.0～12.0nm厚度的镍铁铬(Ni0.81Fe0.19)xCr1－x、10.0～200.0nm厚度的镍铁Ni0.81Fe0.19和5.0～9.0nm钽Ta。本发明由于采用体心结构的NiFeCr作为坡莫合金薄膜的一种新型种子层，其各向异性磁电阻AMR值比以传统的Ta为种子层时明显提高，最大可达34％，具有制备方便、不需要高温沉积和磁场热处理、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN113036034A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110255553.1
申请日：2021-03-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁性薄膜领域，尤其涉及一种可调控Co2FeX合金垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及方法：该磁性薄膜材料包括：基底、缓冲层、磁性层、氧化物层和保护层，磁性层的磁性材料为断裂式的Co2FeX/Zr/Co2FeX，Zr占磁性层的量比为0.001‑50％，X为Al、Si或Mn中的一种或者多种。本发明的有益效果是，该磁性薄膜材料是在以Ta或者其它金属做为缓冲层和保护层，在缓冲层上沉积Co2FeX/Zr/Co2FeX，再沉积金属氧化物层，利用对氧有较强亲和力的Zr来调控Co2FeX中Co、Fe氧化物的比例，改善薄膜中输运性能，同时提高薄膜的垂直磁各向异性，以满足磁性随机存储器和磁传感器的应用需求。
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公开(公告)号：CN113025954A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110254760.5
申请日：2021-03-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种调控铁磁多层膜相互作用的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理和超声清洗的Si基片上，沉积铂Pt/钴Co/钽Ta多层膜。沉积完毕后，对薄膜进行砷As离子注入，通过As离子调节与界面处的电子轨道占据以影响多层膜的自旋轨道耦合强度，从而调控铁磁多层膜的DM相互作用。本发明通过As离子注入的方法直接调节多层膜界面的轨道占据，从而改变自旋‑轨道耦合作用，最终调控多层膜界面的DM相互作用，该方法不依赖于特殊材料体系，具有普适性；并且，该方法可以通过改变注入离子源、注入能量以及注入密度等参数实现DM相互作用不同程度的调控，工艺简单，成本低且可控性强，能够应用于未来自旋电子学技术中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111009365A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911280695.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法，属于信息存储及传感技术领域。对钛镍铌TiNiNb形状记忆合金基片进行预拉伸处理、表面抛光以及表面的氩离子轰击处理；然后，在上述TiNiNb记忆合金基片上沉积钽Ta/镍铁NiFe/铁锰FeMn/钽Ta多层膜；沉积完毕后，在真空环境下并同时施加磁场时，对其进行热处理最后，冷却至室温即可。其原理是：通过温控TiNiNb基底的逆马氏体相变产生显著的晶格应变作用在多层膜上，通过这种应变可以控制NiFe/FeMn界面处的交换弹簧结构，从而引起FeMn的Néel矢量转动，并有效调控FeMn的磁矩排列。本发明通过简单的温度控制就能实现对交换弹簧结构的调节，进而实现对FeMn磁矩排列的有效调控，具有制备简单、控制方便、能耗低、效率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN110021702A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910164964.2
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种快速提高垂直磁各向异性的方法，属于磁性材料技术领域，先通过磁控溅射仪器在室温下氩气环境下磁控溅射沉积制备CoFeB/MgO结构的薄膜磁性异质结材料；然后将制备的薄膜磁性异质结材料在超高真空的反应装置内快速退火，最终获得良好垂直磁各向异性的薄膜磁性异质结材料。本发明通过对简单膜层结构的薄膜磁性异质结材料Ta(1～5nm)/Co40Fe40B20(0.5～1.4nm)/MgO(1～2nm)/Ta(1～3nm)在超高真空1×10-7～9×10-7Torr、温度范围250～350℃、30～60秒时间内快速退火，由于在CoFeB/MgO界面，电荷在高温下发生瞬间的轨道杂化，Fe的3d轨道和O的2p轨道杂化，从而获得良好垂直磁各向异性；该操作方法简便易行，适用于大规模连续化的具有良好垂直磁各向异性的薄膜磁性异质结材料生产。
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公开(公告)号：CN109972104A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910164965.7
申请日：2019-03-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种弥补Co靶材质量缺陷的方法，属于磁性材料技术领域，包括以下步骤：首先选用市面上常见的高透磁率的Co靶材，并对Co靶材表面进行清洗；其次将清洗后的Co靶材放入磁控溅射仪中溅射，溅射过程中在磁控溅射仪内的基片位置平行于膜面处施加均匀磁场，最后磁控溅射沉积制得高镀膜质量、高剩磁比的5‑10nm厚的Co薄膜。本发明通过在Co薄膜沉积过程中在基片位置平行于膜面处施加600～1000Oe的均匀磁场；在磁控溅射沉积过程中Co原子被前述平行施加的均匀磁场磁化，从而使得沉积后的Co薄膜具有较好的磁性，操作简单，极大地降低了生产成本，利于规模化连续化的工业生产。
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公开(公告)号：CN102290193B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110124341.6
申请日：2011-05-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁性薄膜材料领域，特别提供了一种高磁电阻值的NiFe薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/纳米金属颗粒/MgO/NiFe/MgO/纳米金属颗粒/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。本发明的有益效果是：该材料具有磁电阻值高、退磁场小、制备方便和热稳定性好等优点，同时在很大程度上解决了NiFe薄膜材料在超薄情况下磁电阻值比较低的问题，可用于制作计算机硬盘读头、磁性随机存储器和各类磁传感器等。
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公开(公告)号：CN102290193A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110124341.6
申请日：2011-05-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁性薄膜材料领域，特别是提供了一种高磁电阻值的NiFe薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/纳米金属颗粒/MgO/NiFe/MgO/纳米金属颗粒/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。本发明的有益效果是：该材料具有磁电阻值高、退磁场小、制备方便和热稳定性好等优点，同时在很大程度上解决了NiFe薄膜材料在超薄情况下磁电阻值比较低的问题，可用于制作计算机硬盘读头、磁性随机存储器和各类磁传感器等。
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