公开(公告)号：CN113036034B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202110255553.1

申请日：2021-03-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李明华 ,  陈宇 ,  许铭扬 ,  李阔 ,  刘沛桥 ,  张垚 ,  于广华

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明属于磁性薄膜领域，尤其涉及一种可调控Co2FeX合金垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及方法：该磁性薄膜材料包括：基底、缓冲层、磁性层、氧化物层和保护层，磁性层的磁性材料为断裂式的Co2FeX/Zr/Co2FeX，Zr占磁性层的量比为0.001‑50％，X为Al、Si或Mn中的一种或者多种。本发明的有益效果是，该磁性薄膜材料是在以Ta或者其它金属做为缓冲层和保护层，在缓冲层上沉积Co2FeX/Zr/Co2FeX，再沉积金属氧化物层，利用对氧有较强亲和力的Zr来调控Co2FeX中Co、Fe氧化物的比例，改善薄膜中输运性能，同时提高薄膜的垂直磁各向异性，以满足磁性随机存储器和磁传感器的应用需求。

公开(公告)号：CN113036034A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110255553.1

申请日：2021-03-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李明华 ,  陈宇 ,  许铭扬 ,  李阔 ,  刘沛桥 ,  张垚 ,  于广华

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于磁性薄膜领域，尤其涉及一种可调控Co2FeX合金垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及方法：该磁性薄膜材料包括：基底、缓冲层、磁性层、氧化物层和保护层，磁性层的磁性材料为断裂式的Co2FeX/Zr/Co2FeX，Zr占磁性层的量比为0.001‑50％，X为Al、Si或Mn中的一种或者多种。本发明的有益效果是，该磁性薄膜材料是在以Ta或者其它金属做为缓冲层和保护层，在缓冲层上沉积Co2FeX/Zr/Co2FeX，再沉积金属氧化物层，利用对氧有较强亲和力的Zr来调控Co2FeX中Co、Fe氧化物的比例，改善薄膜中输运性能，同时提高薄膜的垂直磁各向异性，以满足磁性随机存储器和磁传感器的应用需求。