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公开(公告)号：CN103056500B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210516162.1
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法，属于半导体陶瓷封装技术领域。在金属盖板表面预置镀金属层，在陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框；将焊料环点焊在金属盖板的镀金属层上；在氮气气氛下，将金属盖板与陶瓷外壳的金属封口框对位，利用平行缝焊设备使用小角度(5°)铜电极进行低功率焊接，使焊料环充分熔化并分别与金属盖板的镀金层和陶瓷外壳的金属封口框焊接，完成电路的熔封。本发明的方法避免了平行缝焊过程中，脉冲过大，局部集中加热温度过高的问题；避免了熔封工艺中使电路内部芯片和键合处在高温状态中；降低了平行缝焊的最高温度。
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公开(公告)号：CN104002003A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410256784.4
申请日：2014-06-10
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法，包括如下步骤：(1)将待钎焊的芯片背面采用溅射Au工艺，进行背面金属化；(2)将待钎焊的芯片安装在集成电路封装外壳的待钎焊镀金装片区，并在待钎焊的芯片与待钎焊镀金装片区之间放入钎料；(3)将待焊接试样放置在钎焊设备中按照特殊设计的工艺条件进行钎焊，本发明在钎焊过程中通过温度曲线优化结合真空度控制，用气压差来替代压块负载，并对温度区间、升温速率、保温时间以及真空度进行了优化设计，确定了最佳的工艺条件，避免了传统方法中采用负载对芯片的损伤问题，降低钎焊空洞率，显著提高了钎焊成品率和钎焊质量。
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公开(公告)号：CN215342570U
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202120920054.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/495 , H01L23/488
Abstract: 一种防震动的TO金属外壳键合指结构，包括金属壳体、键合指端头、陶瓷绝缘子、外引线，其中键合指端头下设有与键合指端头尺寸配合的氧化铝陶瓷绝缘块，绝缘块通过银铜焊料与键合指端头底部平面及金属外壳底部壳体进行焊接。使得该TO金属外壳在粗铝丝键合过程中避免因键合机压力及超声频率产生震动，增强键合指的强度及稳定性，确保键合指表面平面度，提升键合可靠性。
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公开(公告)号：CN204011365U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420282746.1
申请日：2014-05-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种适用于CPGA封装高密度集成电路的引线键合装置，包括两个功能模块、共三部分。一个功能模块为键合夹具，包括基座和上板两部分，基座通过螺栓组固定在键合机工作台面上，上板可根据不同产品特点设计和选用，使用螺钉固定在基座上。另一功能模块为真空模块，将设备真空吸孔由单孔分为多孔，实现多通道单独控制，保证机台真空吸力，提高键合定位精度。对于CPGA类插装式电路，为适应其结构，提高键合精度，在夹具上板设计和加工中加入两个位置可变的多孔对称固定插槽，插槽位置可在上板滑轨内调节。该装置的设计使用，显著提升了设备键合精度，充分保证了高密度多引线集成电路键合工艺质量，提高了设备完成多品种、小批量封装任务的效率。
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公开(公告)号：CN203179868U
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201320174866.5
申请日：2013-04-09
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/49
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型公开了一种集成电路内引线连接结构。采用弧形键合丝结构改变了传统弧形理念，通过弧形参数设置，使键合丝高低交错分布，这种键合丝弧形设置的主要参数包括第一个转折位置、第一个转折角度、第二个转折位置、第二个转折角度。使用这种弧形，可提高高密度、超细间距、多层芯片PAD对多排键合指键合工艺的可靠性，在元器件满足机械试验考核标准前提下，键合丝摆动时无碰丝短路情况，提高产品抗振动、抗冲击能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102446803A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110291342.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/60 , B23K3/08
CPC classification number: H01L2224/78 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 一种引线键合夹具，包括固定轴、齿轮箱、小齿轮、大齿轮、小轴和大轴；固定轴一端与设备工作台连接，另一端与齿轮箱连接，大齿轮和小齿轮啮合，小轴和大轴分别是小齿轮和大齿轮的中心轴，所述大齿轮和小齿轮镶嵌于齿轮箱内部，大齿轮的端面有大齿轮凸台，大齿轮凸台的端面有均匀分布的通孔，用于固定被夹器件。通过小齿轮的旋转，带动大齿轮转动，大齿轮同时带动固定于其上的器件转动，使器件切换到下一个工作面。本发明实现了器件的立体空间中多个侧面的连续切换，避免了器件的多次安装，大大节约了引线键合夹具暂停时间，提高了生产效率。所述夹具不仅操作简便，而且提高了加工精度，保证了良好的焊接质量。
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公开(公告)号：CN102157405A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010617973.1
申请日：2010-12-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 基于熔封封帽工艺的芯片真空共晶焊接方法，通过陶瓷外壳、圆片镀金、切片、真空共晶焊接、引线键合和金锡合金熔封封帽等步骤解决了现有真空共晶焊接不能采用熔封封帽工艺的技术难题。本发明焊接温度采用340℃，保温6分钟，时间和温度均高于传统焊接条件，使陶瓷外壳装片区表面和芯片表面金层渗入焊料，导致焊料中Au/Sn的成份发生改变，避免了熔封封帽时芯片焊接区域的二次熔化问题；本发明在焊料熔化后进行抽真空，抽除了芯片焊接时形成的大部分气泡，有效减少了焊接区域形成空洞的几率，使焊接空洞得到了有效的控制；本发明采用芯片键合方法是基于熔封封帽工艺，有利于整个封装生产的批量生产，提高产品的一致性水平。
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公开(公告)号：CN102446803B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110291342.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L2224/78 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 一种引线键合夹具，包括固定轴、齿轮箱、小齿轮、大齿轮、小轴和大轴；固定轴一端与设备工作台连接，另一端与齿轮箱连接，大齿轮和小齿轮啮合，小轴和大轴分别是小齿轮和大齿轮的中心轴，所述大齿轮和小齿轮镶嵌于齿轮箱内部，大齿轮的端面有大齿轮凸台，大齿轮凸台的端面有均匀分布的通孔，用于固定被夹器件。通过小齿轮的旋转，带动大齿轮转动，大齿轮同时带动固定于其上的器件转动，使器件切换到下一个工作面。本发明实现了器件的立体空间中多个侧面的连续切换，避免了器件的多次安装，大大节约了引线键合夹具暂停时间，提高了生产效率。所述夹具不仅操作简便，而且提高了加工精度，保证了良好的焊接质量。
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公开(公告)号：CN102500636B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110319813.3
申请日：2011-10-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: B21C25/02
Abstract: 方形扁平封装外壳的切筋成型模具，包括上模连接柱、上模压块、上模主体、切筋冲刀、下模主体和下模压块。上模连接柱、上模压块与上模主体固定连接，下模主体与下模压块固定连接，切筋冲刀镶嵌于上模主体中且在铅垂方向平行分布，切筋冲刀末端突出于上模主体。该模具将传统的冲压成型模式改为挤压成型，并将切筋、成型合二为一，设计了相应的模具形状。上模主体自上而下降落，先由切筋冲刀切断引线，再由上模主体的下表面和下模主体的上表面相互平行挤压，实现引线的成型。本发明使不仅实现了切筋、成型的双边一次性加工，还使引线的质量得到了改善，避免了模具对引线的过度摩擦，得到较为缓和的引线过渡段，同时还消除了毛刺所带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN102157405B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010617973.1
申请日：2010-12-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 基于熔封封帽工艺的芯片真空共晶焊接方法，通过陶瓷外壳、圆片镀金、切片、真空共晶焊接、引线键合和金锡合金熔封封帽等步骤解决了现有真空共晶焊接不能采用熔封封帽工艺的技术难题。本发明焊接温度采用340℃，保温6分钟，时间和温度均高于传统焊接条件，使陶瓷外壳装片区表面和芯片表面金层渗入焊料，导致焊料中Au/Sn的成份发生改变，避免了熔封封帽时芯片焊接区域的二次熔化问题；本发明在焊料熔化后进行抽真空，抽除了芯片焊接时形成的大部分气泡，有效减少了焊接区域形成空洞的几率，使焊接空洞得到了有效的控制；本发明采用芯片键合方法是基于熔封封帽工艺，有利于整个封装生产的批量生产，提高产品的一致性水平。
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