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公开(公告)号：CN103021983A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210478722.9
申请日：2012-11-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L27/146
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶圆级芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器领域。其包括晶圆，晶圆的正面为形成图像传感区的第一表面，晶圆的负面为第二表面；第一表面自上而下：微镜头、金属互联层和光学交互区；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O连接到硅通孔；硅通孔孔壁制作作钝化层并填充；在重分布层上用聚合物材料制作第二保护层；第一表面与玻璃片之间键合，玻璃片和晶圆之间形成空腔；第二表面进行减薄，通过蚀刻工艺形成凹槽结构并暴露出硅通孔；第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫；在线路层上制作防焊层并暴露焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明减少了工艺流程，提高了产品可靠性、生产效率，降低了生产的成本。
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公开(公告)号：CN102543907A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110460400.7
申请日：2011-12-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/18161 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种热增强型四边扁平无引脚倒装芯片封装及制造方法。本封装包括引线框架、第一金属材料层、第二金属材料层、具有凸点的IC芯片、绝缘填充材料、粘贴材料、散热片、导热隔片和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。第一金属材料层和第二金属材料层分别配置于引线框架上表面和下表面。具有凸点的IC芯片倒装焊接配置于引线框架上表面的第一金属材料层位置。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。导热隔片通过粘贴材料配置于IC芯片与芯片载体之间。散热片通过粘贴材料配置于IC芯片无缘面上。通过塑封材料包覆形成封装件。本发明提供了一种高可靠性、低成本、高I/O密度的QFN封装。
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公开(公告)号：CN103021876B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210549526.6
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种高密度QFN封装器件的制造方法。制造形成的高密度QFN封装器件的芯片载荷和引脚无需基于事先制作成型的引线框架结构，而是在封装工艺过程中，有机结合蚀刻、电镀、化学镀方法形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，采用注塑或者丝网印刷方法在外芯片载体与外引脚之间、以及外引脚与外引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。制造形成的具有多圈引脚排列的QFN具有高的I/O密度和良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN103000649B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210480106.7
申请日：2012-11-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法，属传感器领域。光学交互区位于硅衬底正面第一表面的中央，在光学交互区的上方形成有金属互连层，微镜头阵列放置在金属互联层上方，金属互联层外侧有第一保护层；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O通过重分布层连接硅通孔；硅通孔孔壁上有作钝化层并填充；在重分布层上有第二保护层；硅衬底同玻璃片键合，玻璃片和硅衬底之间设空腔；硅衬底的第二表面减薄暴露出硅通孔；硅衬底第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫，线路层上制作防焊层并暴露出焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明改善了封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了可靠性，封装结构适合更大尺寸芯片。
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公开(公告)号：CN103021983B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210478722.9
申请日：2012-11-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L27/146
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶圆级芯片尺寸封装及其制造方法，属于传感器领域。其包括晶圆，晶圆的正面为形成图像传感区的第一表面，晶圆的负面为第二表面；第一表面自上而下：微镜头、金属互联层和光学交互区；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O连接到硅通孔；硅通孔孔壁制作作钝化层并填充；在重分布层上用聚合物材料制作第二保护层；第一表面与玻璃片之间键合，玻璃片和晶圆之间形成空腔；第二表面进行减薄，通过蚀刻工艺形成凹槽结构并暴露出硅通孔；第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫；在线路层上制作防焊层并暴露焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明减少了工艺流程，提高了产品可靠性、生产效率，降低了生产的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103065975B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210549512.4
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种再布线QFN封装器件的制造方法。制造形成的再布线QFN封装器件的芯片载荷和引脚在封装工艺过程中采用蚀刻方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用电镀和化学镀方法制作再布线层，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。制造形成的再布线QFN具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN102339809B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110344630.7
申请日：2011-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种多圈引脚排列四边扁平无引脚封装及制造方法。本多圈引脚排列四边扁平无引脚封装包括引线框架，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围绕芯片载体呈多圈排列的引脚。金属材料层配置于引线框架上表面和下表面。IC芯片配置于引线框架上表面的金属材料层位置。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。粘贴材料配置于IC芯片与引线框架上表面的金属材料层中间。IC芯片通过金属导线分别连接至多圈引脚的内引脚和芯片载体上表面。塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、引线框架部分区域和部分金属材料层。本发明突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。
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公开(公告)号：CN102420205B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110344525.3
申请日：2011-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种先进四边扁平无引脚封装及制造方法。本先进四边扁平无引脚封装包括芯片载体，引脚，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。芯片载体具有凹槽结构和用于接地的引脚，多个引脚在封装件结构中呈面阵排列分布。金属材料层配置于芯片载体和多个引脚的上表面和下表面位置。IC芯片配置于芯片载体上表面位置的金属材料层上，或者配置于多个引脚上表面位置的金属材料层上。绝缘填充材料配置于多个引脚的台阶式结构下和芯片载体的凹槽中。通过塑封材料包覆密封形成封装件，暴露出封装件结构底面的芯片载体和外引脚具有凸起部分。本发明突破了低I/O数量瓶颈，提高封装可靠性。
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公开(公告)号：CN103090999A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310010900.X
申请日：2013-01-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01L1/00
Abstract: 一种用于TSV填充铜残余应力测量的加热装置，属于封装设备技术领域，包括夹具部分、加热部分和调整载台部分。本发明夹具上的导轨结构可满足一次装卡即可对TSV转接板上的所有铜柱的压出应力进行测量，导轨底面上的缝隙可满足调整一次TSV转接板的位置即可对一排铜柱的压出应力进行测量，使铜柱与载台通孔的对中简单、精确，大大简化了实验的过程，节省实验成本，使用定位弹簧片结构，既能满足TSV转接板左右和上下方向的定位，又可以满足TSV转接板在平面上滑动，结构简单，使用方便。本发明可以对试样进行加热，加热部分可精确控制试样温度，夹具上的加紧弹簧片和定位弹簧片可以有效的消除试样加热时由于试样和夹具材料热膨胀系数的不同而产生的额外应力。
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公开(公告)号：CN103065975A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210549512.4
申请日：2012-12-17
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种再布线QFN封装器件的制造方法。制造形成的再布线QFN封装器件的芯片载荷和引脚在封装工艺过程中采用蚀刻方法形成，采用注塑或者丝网印刷方法在芯片载体与引脚之间、引脚与引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料，采用电镀和化学镀方法制作再布线层，采用塑封材料进行包封，塑封完成后，采用蚀刻或者机械磨削方法形成独立的芯片载体和引脚。制造形成的再布线QFN具有高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
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